安森美双通用晶体管BC847/BC848系列产品解析

在电子设计中，通用晶体管是非常基础且关键的元件。今天，我们来深入了解安森美（onsemi）推出的BC847CDXV6T1G、SBC847CDXV6T1G、BC847CDXV6T5G、BC848CDXV6T1G这几款双通用NPN晶体管，看看它们在实际应用中能为我们带来哪些优势。

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产品概述

这些晶体管专为通用放大器应用而设计，采用SOT - 563封装，这种封装适用于低功率表面贴装应用。其特点显著，不仅通过了AEC - Q101认证且具备生产件批准程序（PPAP）能力，还有适用于汽车及其他有独特场地和控制变更要求的应用的“S”前缀版本，并且它们都是无铅器件，符合环保要求。

关键参数

最大额定值

额定参数	符号	BC847	BC848	单位
集电极 - 发射极电压	VCEO	45	30	V
集电极 - 基极电压	VCBO	50	30	V
发射极 - 基极电压	VEBO	6.0	5.0	V
集电极连续电流	Ic	100	100	mAdc

需要注意的是，超过最大额定值表中列出的应力可能会损坏器件。一旦超出这些限制，就不能保证器件的功能，可能会造成损坏并影响可靠性。

热特性

热特性分为单结加热和双结加热两种情况。

• 单结加热：在TA = 25°C时，总器件功耗为357mW，25°C以上需以2.9mW/°C的速率降额，结到环境的热阻RJA为350°C/W。
• 双结加热：TA = 25°C时，总器件功耗为500mW，25°C以上降额速率为4.0mW/°C，结到环境的热阻RJA为250°C/W。 结和储存温度范围为 - 55至 + 150°C。

电气特性

截止特性

特性	器件	符号	最小值	典型值	最大值	单位
集电极 - 发射极击穿电压（Ic = 10mA）	BC847CDXV6T1等	V(BR)CEO	45/30			V
集电极 - 发射极击穿电压（Ic = 10μA，VEB = 0）	BC847CDXV6T1等	V(BR)CES	50/30			V
集电极 - 基极击穿电压（Ic = 10μA）	BC847CDXV6T1等	V(BR)CBO	50/30			V
发射极 - 基极击穿电压（IE = 1.0μA）	BC847CDXV6T1等	V(BR)EBO	6.0/5.0			V
集电极截止电流（VCB = 30V）（VCB = 30V，TA = 150°C）		ICBO			15/5.0	nA/μA

导通特性

• 直流电流增益：在$I{C}= 10mu A$，$V{CE}=5.0V$以及$I{C}=2.0 mA$，$V{CE}=5.0 V$条件下，典型值为270。
• 集电极 - 发射极饱和电压：在$I{C}=10 mA$，$I{B}=0.5 mA$时，典型值为0.25 - 0.6V；在$I{C}=100 mA$，$I{B}=5.0 mA$时，VBE(sat)为0.7V；在$I{C}=10mA$，$V{CE}=5.0V$时，为700mV。

小信号特性

输出电容在$V_{CB}=10 V$，$f = 1.0 MHz$时的相关参数以MHz和pF为单位。

订购信息

器件	特定标记	封装	包装
BC847CDXV6T1G	1G	SOT - 563	4000 / 卷带式包装
SBC847CDXV6T1G	(无铅)		已停产
BC847CDXV6T5G	1G	SOT - 563 (无铅)	8000 / 卷带式包装
BC848CDXV6T1G	1L	SOT - 563 (无铅)	4000 / 卷带式包装

部分器件已停产，如需了解最新信息，可访问www.onsemi.com或联系安森美代表。

典型特性

文档中给出了一系列典型特性曲线，如直流电流增益与集电极电流的关系、集电极发射极饱和电压与集电极电流的关系等。这些曲线能帮助我们更直观地了解器件在不同工作条件下的性能表现。在实际设计中，我们可以根据这些曲线来优化电路参数，以达到最佳的性能。

机械封装尺寸

SOT - 563 - 6封装尺寸为1.60x1.20x0.55，引脚间距为0.50P。文档详细列出了各尺寸的最小、标称和最大值，这对于电路板布局设计非常重要。工程师在进行布局时，需要严格按照这些尺寸要求来确保器件的正确安装和电气连接。

总结

安森美BC847/BC848系列双通用晶体管凭借其丰富的特性和明确的参数，为通用放大器应用提供了可靠的解决方案。不过，在使用过程中，我们要密切关注器件的最大额定值和热特性，避免因超出限制而损坏器件。同时，对于已停产的器件，要提前做好替代方案的规划。大家在实际应用中，有没有遇到过类似晶体管的使用问题呢？欢迎在评论区分享。