深入解析Onsemi BC856BM3与NSVBC856BM3通用晶体管

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深入解析Onsemi BC856BM3与NSVBC856BM3通用晶体管

在电子设计领域,通用晶体管是不可或缺的基础元件,它们广泛应用于各种放大器电路中。今天,我们将深入探讨Onsemi公司的BC856BM3和NSVBC856BM3 PNP硅通用晶体管,了解它们的特性、参数以及应用场景。

文件下载:BC856BM3-D.PDF

产品概述

BC856BM3和NSVBC856BM3晶体管专为通用放大器应用而设计,采用SOT - 723封装,这种封装适用于低功率表面贴装应用。NSV前缀用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用,并且该产品通过了AEC - Q101认证,具备生产件批准程序(PPAP)能力。同时,这些器件是无铅、无卤素/无溴化阻燃剂(BFR)的,符合RoHS标准。

关键特性

封装与标识

  • 封装:SOT - 723(CASE 631AA),尺寸为1.20x0.80x0.50,引脚间距0.40P。
  • 标识:器件代码为“3B”,日期代码为“M”。不过需要注意的是,实际的产品标识可能会有所不同,具体要参考器件数据手册。

环保特性

无铅、无卤素/无BFR且符合RoHS标准,这使得产品在环保方面表现出色,满足现代电子设备对绿色环保的要求。

主要参数

最大额定值

额定参数 符号 单位
集电极 - 发射极电压 VCEO -65 V
集电极 - 基极电压 VCBO -80 V
发射极 - 基极电压 VEBO -5.0 V
集电极连续电流 IC -100 mA

这些参数定义了晶体管正常工作的电压和电流范围,超过这些额定值可能会损坏器件,影响其功能和可靠性。

热特性

不同的电路板材料会影响晶体管的热性能,具体如下:

  • FR - 5板:在TA = 25°C时,总器件耗散功率PD为265mW,25°C以上每升高1°C,耗散功率降低2.1mW;结到环境的热阻RBJA为470°C/W。
  • 氧化铝基板:在TA = 25°C时,总器件耗散功率PD为640mW,25°C以上每升高1°C,耗散功率降低5.1mW;结到环境的热阻RBJA为195°C/W。
  • 结温和存储温度范围:TJ、Tstg为 - 55°C到 + 150°C。

热特性对于确保晶体管在不同工作环境下的稳定性至关重要,设计师需要根据实际应用场景选择合适的电路板材料。

电气特性

截止特性

  • 集电极 - 基极击穿电压:最小值为 - 80V。
  • 发射极 - 基极击穿电压(IE = - 1.0μA):V(BR)EBO为 - 5.0V。
  • 集电极截止电流:在VCB = - 30V时,最大值为 - 15aA;在VCB = - 30V且TA = 150°C时,最大值为 - 4.0aA。

导通特性

  • 直流电流增益(IC = - 10μA,VCE = - 5.0V):hFE范围为150 - 290。
  • 集电极 - 发射极饱和电压(IC = - 10mA,IB = - 0.5mA):范围为 - 0.3V到 - 0.65V。
  • 基极 - 发射极饱和电压(IC = - 10mA,IB = - 0.5mA):有相应的电压范围。
  • 基极 - 发射极导通电压(IC = - 10mA,VCE = - 5.0V):VBE(on)范围为 - 0.6V到 - 0.75V( - 0.82mV可能存在数据记录问题)。

小信号特性

  • 电流增益 - 带宽积(Ic = - 10mA,VcE = - 5.0Vdc,f = 100MHz):fT为100MHz。
  • 输出电容(VcB = - 10V,f = 1.0MHz):Cobo为4.5pF。
  • 噪声系数(Ic = - 0.2mA,VcE = - 5.0Vdc,Rs = 2.0k,f = 1.0kHz,BW = 200Hz):NF为10dB。

这些电气特性决定了晶体管在不同工作状态下的性能表现,对于放大器设计至关重要。

典型特性图表

数据手册中提供了一系列典型特性图表,包括直流电流增益、“导通”电压、集电极饱和区域、基极 - 发射极温度系数、电容以及电流增益 - 带宽积等。这些图表可以帮助工程师更直观地了解晶体管在不同条件下的性能变化,为电路设计提供参考。

机械封装与推荐焊盘

机械封装

SOT - 723封装有详细的尺寸标注,包括高度、引脚宽度、引脚间距等,并且对尺寸的公差和控制进行了说明。设计师在进行PCB布局时,需要严格按照这些尺寸要求进行设计,以确保晶体管能够正确安装和焊接。

推荐焊盘

文档中提供了不同引脚定义的推荐焊盘样式,如引脚1为基极、2为发射极、3为集电极等。同时,建议工程师下载On Semiconductor的焊接和安装技术参考手册(SOL DERRM/D),以获取更多关于无铅焊接策略和焊接细节的信息。

应用与注意事项

应用场景

由于其通用的特性,BC856BM3和NSVBC856BM3晶体管适用于各种低功率放大器电路,如音频放大器、信号放大器等。特别是NSV前缀的产品,可用于汽车电子等对可靠性和安全性要求较高的应用场景。

注意事项

  • 超过最大额定值可能会损坏器件,影响其功能和可靠性,因此在设计电路时必须严格遵守这些参数限制。
  • “典型”参数在不同应用中可能会有所变化,实际性能也会随时间而改变,所以所有工作参数都需要由客户的技术专家针对每个具体应用进行验证。
  • Onsemi产品不设计、不打算也未获授权用于生命支持系统、FDA 3类医疗设备或类似分类的医疗设备以及人体植入设备。如果买家将产品用于此类未授权的应用,需要承担相应的责任并赔偿Onsemi的损失。

总之,Onsemi的BC856BM3和NSVBC856BM3晶体管是性能优良、环保可靠的通用晶体管,在电子设计中具有广泛的应用前景。工程师在使用时,需要充分了解其特性和参数,结合实际应用场景进行合理设计。你在使用这类晶体管时遇到过哪些问题呢?欢迎在评论区分享交流。

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