电子说
在电子设计领域,晶体管是不可或缺的基础元件,其性能直接影响电路的稳定性和效率。今天,我们就来深入了解一下Onsemi公司的BD135、BD137、BD139 NPN外延硅晶体管。
文件下载:BD139-D.PDF
BD135、BD137、BD139分别与BD136、BD138和BD140互补,这种互补特性在电路设计中非常实用,可以方便地实现不同功能的电路组合。
这些晶体管是无铅器件,符合环保要求,响应了当前电子行业对绿色环保产品的需求。
BD135、BD137、BD139适用于中功率线性和开关应用。在中功率线性应用中,它们可以稳定地放大信号;在开关应用中,能够快速地实现导通和截止,满足电路对开关速度的要求。大家在实际设计中,是否遇到过因为晶体管选择不当而导致电路性能不佳的情况呢?
| 参数 | BD135 | BD137 | BD139 | 单位 |
|---|---|---|---|---|
| 集电极 - 基极电压($V_{CBO}$) | 45 | 60 | 80 | V |
| 集电极 - 发射极电压($V_{CEO}$) | 45 | 60 | 80 | V |
| 发射极 - 基极电压($V_{EBO}$) | 5 | 5 | 5 | V |
| 集电极电流(直流,$I_{C}$) | 1.5 | 1.5 | 1.5 | A |
| 集电极电流(脉冲,$I_{CP}$) | 3.0 | 3.0 | 3.0 | A |
| 基极电流($I_{B}$) | 0.5 | 0.5 | 0.5 | A |
| 器件功耗($T{C}=25^{circ}C$,$P{C}$) | 12.5 | 12.5 | 12.5 | W |
| 器件功耗($T{A}=25^{circ}C$,$P{C}$) | 1.25 | 1.25 | 1.25 | W |
| 结温($T_{J}$) | 150 | 150 | 150 | $^{circ}C$ |
| 储存温度($T_{STG}$) | -55 至 +150 | -55 至 +150 | -55 至 +150 | $^{circ}C$ |
需要特别注意的是,超过最大额定值表中列出的应力可能会损坏器件。一旦这些极限值被突破,就不能保证器件的功能正常,可能会造成损坏并影响可靠性。在设计电路时,大家一定要严格遵守这些参数限制,以免出现问题。
文档中虽未详细给出热特性的具体内容,但热特性对于晶体管的性能和可靠性至关重要。良好的热特性可以保证晶体管在工作过程中保持稳定的性能,避免因过热而损坏。大家在设计散热方案时,是否会充分考虑晶体管的热特性呢?
在$T{C}=25^{circ}C$的条件下,不同型号的晶体管在集电极 - 发射极维持电压($V{CEO(sus)}$)等参数上有所差异。例如,BD135的$V_{CEO(sus)}$为45V,BD137为60V,BD139为80V。产品的参数性能在列出的测试条件下由电气特性表示,但如果在不同条件下运行,产品性能可能无法通过电气特性体现出来。所以在实际应用中,要根据具体的工作条件来评估晶体管的性能。
文档中给出了一些典型性能特性的图表,包括直流电流增益、集电极 - 发射极饱和电压、基极 - 发射极电压、安全工作区和功率降额等。这些图表可以帮助我们直观地了解晶体管在不同工作条件下的性能表现,在设计电路时,我们可以根据这些图表来选择合适的工作点。大家在查看这些图表时,是否有过一些独特的发现呢?
| 型号 | 标记 | 封装 | 包装方式 |
|---|---|---|---|
| BD13516STU | BD135 - 16 | TO - 126 - 3LD | 导轨 |
| BD13716STU | BD137 - 16 | (无铅) | |
| BD13916STU | BD139 - 16 |
同时,部分器件已停产,如BD13516S、BD1356STU等。如果需要相关信息,可以联系Onsemi代表或在www.onsemi.com上查询最新信息。在订购器件时,大家一定要注意器件的可用性,避免因为器件停产而影响项目进度。
晶体管采用TO - 126 - 3LD封装,文档给出了不同生产类型下的引脚长度参数。需要注意的是,该封装没有行业标准,所有尺寸单位为毫米,且不包括毛刺、模具飞边和连接条突起。在进行PCB设计时,大家一定要准确获取这些封装尺寸信息,确保器件能够正确安装。
Onsemi的BD135、BD137、BD139 NPN晶体管具有多种特性和广泛的应用场景,但在使用过程中,我们要严格遵守其各项参数限制,充分考虑热特性、电气特性等因素,同时注意器件的订购信息和封装尺寸,这样才能设计出稳定、高效的电路。大家在使用这些晶体管的过程中,有没有遇到过一些有趣的问题或者有什么独特的经验呢?欢迎在评论区分享。
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