SiC MOSEFET驱动芯片专用高性价比反激式开关电源方案

 

 

前言

随着第三代宽禁带半导体技术快速发展，碳化硅（SiC）MOSFET 凭借高击穿场强、低开关损耗、耐高温与高频工作特性，在新能源汽车、光伏逆变器、工业电源、储能变流器等领域逐步替代传统硅基 IGBT 与 MOSFET，成为提升电力电子系统效率、功率密度与可靠性的核心器件。

SiC MOSFET 的高速开关特性带来显著性能增益，同时也对栅极驱动与驱动电源提出更严苛要求：更高驱动电流、精准正负栅压、强共模瞬态抗扰（CMTI）、快速保护响应、低噪声与高隔离稳定性。驱动电源作为栅极驱动的能量供给核心，直接决定开关波形质量、损耗水平、EMI 性能与系统长期可靠性。

萃锦半导体围绕 SiC MOSFET 驱动芯片的设计需求、拓扑选型、参数优化与工程实现展开研究，为 SiC 器件在大功率、高频电力电子装置中推出一套兼顾效率、稳定性与成本的专用高性价比反激式开关电源方案。

 

 

方案介绍

萃锦半导体推出一套兼顾效率、稳定性与成本的专用高性价比反激式开关电源方案，输入高压经过保险丝，整流桥整流后，再经过电容滤波，得到较为平滑的输出电压，之后再经过反激隔离变压器，输出绕组一个经过二极管整流和LC滤波得到18v的直流驱动电压，给碳化硅驱动芯片供18V驱动电压，采用TL431光耦反馈电路实现反馈。这种反馈可以将输出电压稳定的控制在18V；绕组另一路经过整流二极管，得到-3V电压。

该方案具有电路简单、通用性强、成本低等特点，可以兼容全球范围内的市电输入。

图1：方案图

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电路特点：

1

输入适应性强：220Vac

2

 

开启电压稳定、纹波小，有电压检测环路控制

3

关断电压灵活、成本低

3

变压器简单，芯片自供电

 

 

萃锦碳化硅（SiC）MOSFET应用领域：

图2：逆变焊机

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萃锦产品特点：

萃锦开发的 SiC MOSFET 通过优化元胞结构，增强耐雪崩能力。导通损耗小，开关损耗低，开关速度快，满足逆变焊机的响应速度快，高稳定性特点。我司器件在结温175℃时，阈值电压、导通电阻、开关损耗等参数稳定性好，器件效率优，契合逆变焊机高温与高效的应用特性。

 

 

总结

随着 SiC 器件在新能源、工控、车载、储能与高端电源等领域的持续渗透，驱动电源设计已从 “配套电路” 升级为关键技术瓶颈。只有坚持以器件特性为依据、以应用工况为导向、以测试验证为支撑，不断优化拓扑、布线、保护与集成化方案，才能充分释放第三代半导体的性能优势，推动电力电子装置向更高频、更高效率、更高功率密度迈进。

萃锦半导体将继续推出集成化、模块化、智能化与高可靠性的专用高性价比电源方案，为高效能源变换系统提供更坚实、更可靠的技术保障！