onsemi BD787G（NPN）和BD788G（PNP）功率晶体管的特性与应用分析

在电子设计领域中，功率晶体管是非常重要的基础元件，它广泛应用于音频放大、高速开关等电路中。今天我们就来详细分析一下onsemi公司的BD787G（NPN）和BD788G（PNP）互补型塑料硅功率晶体管。

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一、产品概述

BD787G（NPN）和BD788G（PNP）这两款器件主要是为低功率音频放大器以及低电流、高速开关应用而设计的。它们具有低集电极 - 发射极维持电压、高电流增益 - 带宽乘积等特点，并且符合无铅和RoHS标准。

二、关键参数

（一）最大额定值

这是我们在使用晶体管时必须要关注的重要参数，超过这些额定值可能会损坏器件，影响其可靠性。	额定参数	符号	值	单位
集电极 - 基极电压	VcBO	80	Vdc
发射极 - 基极电压	VEBO	6.0	Vdc
集电极连续电流	Ic	4.0	Adc
集电极峰值电流	ICM	8.0	Adc
基极连续电流		1.0
25°C 时的功率耗散，25°C 以上需降额	PD	0.12	W
工作和存储结温范围	TJ, Tstg	-65 至 +150	°C

从这些参数中我们可以看出，该晶体管能够承受一定的电压和电流，但在实际应用中，我们需要根据具体的电路要求，合理设计，确保不超过其最大额定值。大家在设计时有没有遇到过因为参数选择不当而导致器件损坏的情况呢？

（二）热特性

热特性对于功率晶体管的性能和可靠性至关重要，它关系到器件在工作过程中的散热问题。	特性	符号	最大值
结到外壳的热阻	Reuc	8.34

较低的热阻意味着器件在工作时能够更好地散热，从而保证其性能的稳定性。在实际设计中，我们可以根据这个热阻参数来选择合适的散热措施，比如散热片等。

三、电气特性

（一）截止特性

特性	符号	最小值	最大值	单位
集电极 - 发射极维持电压（(I{C}= 10 mAdc, I{B}=0)）	VCEO(sus)	60		Vdc
集电极截止电流（(V{CE}=20Vdc, I{B}=0)；(V{CE}=30Vdc, I{B}=0)）	ICEO		100	uAdc
集电极截止电流（(V{CE}=80 Vdc, V{BE(off)}=1.5 Vdc)；(V{CE}=40 Vdc, V{BE(off)}=1.5 Vdc, T_{C}=125^{circ} C)）	ICEX	1	0.1	uAdc/mAdc
发射极截止电流（(V{EB}= 6.0 Vdc, I{C}= 0)）	LEBO			uAdc

截止特性反映了晶体管在截止状态下的性能，比如集电极截止电流越小，说明晶体管的截止性能越好，漏电流越小。在设计开关电路时，我们就需要关注这些截止特性参数，以确保电路在截止状态下的稳定性。

（二）导通特性

特性	符号	最小值	最大值	单位
直流电流增益（(I{C})不同取值，(V{CE}=3.0 Vdc)）	hFE	40、25、5.0	250
集电极 - 发射极饱和电压（(I{C})不同取值，对应不同(I{B})）	VCE(sat)		0.4、0.6、0.8、2.5	Vdc
基极 - 发射极饱和电压（(I{C}=2.0 Adc, I{B}=200 mAdc)）	VBE(sat)		2.0	Vdc
基极 - 发射极导通电压（(I{C}=2.0 Adc, V{CE}=3.0 Vdc)）	VBE(on)		1.8
电流增益 - 带宽乘积（(I{C}=100 mAdc, V{CE}=10 Vdc, f = 10 MHz)）	fT	50	-
输出电容（BD787G：(f = 0.1 MHz)；BD788G）		-	50、70
小信号电流增益（(I{C}=200 mAdc, V{CE}=10 Vdc, f = 1.0 kHz)）		10

导通特性决定了晶体管在导通状态下的性能，例如直流电流增益越大，说明晶体管的放大能力越强。在音频放大电路中，我们就可以根据这些导通特性参数来选择合适的晶体管，以达到理想的放大效果。大家在设计音频放大电路时，是如何选择晶体管的呢？

四、安全工作区

晶体管的功率处理能力受到平均结温和二次击穿两个因素的限制。安全工作区曲线给出了(I{C}-V{CE})的限制范围，为了保证晶体管可靠工作，其功耗不能超过曲线所示的值。图5的数据基于(T{J(pk)}=150^{circ} C)，(T{C})会根据实际条件变化。二次击穿脉冲限制在占空比为10%且(T{J(pk)} ≤150^{circ} C)时有效，(T{J(pk)})可以从图4的数据中计算得出。在高外壳温度下，热限制会使晶体管能够处理的功率低于二次击穿所施加的限制。在实际设计中，我们需要仔细考虑安全工作区的问题，避免晶体管工作在危险区域。

五、封装与订购信息

（一）封装尺寸

该晶体管采用TO - 225封装，其具体的尺寸参数如下：	尺寸	最小值（毫米）	最大值（毫米）
A	2.40	3.00
A1	1.00	1.50
b	0.60	0.90
b2	0.51	0.88
c	0.39	0.63
D	10.60	11.10
E	7.40	7.80
e	2.04	2.54
L	14.50	16.63
L1	1.27	2.54
P	2.90	3.30
Q	3.80	4.20

在进行PCB设计时，我们需要根据这些封装尺寸来合理布局，确保晶体管能够正确安装和焊接。

（二）订购信息

器件	封装	包装数量
BD787G	TO - 225（无铅）	500 个/盒

需要注意的是，该器件已停产，不推荐用于新设计。如果有相关需求，可联系onsemi代表获取更多信息，最新信息也可在www.onsemi.com上查询。

综上所述，onsemi的BD787G（NPN）和BD788G（PNP）功率晶体管具有特定的性能特点和应用范围。在实际电子设计中，我们需要根据具体的电路要求，综合考虑其各项参数，合理选择和使用这些晶体管，以确保电路的稳定性和可靠性。大家在使用功率晶体管时，还有哪些经验和问题，欢迎一起交流讨论。