onsemi NPN多芯片通用放大器FMB2222A和MMPQ2222A：特性与应用解析

在电子设计领域，选择合适的放大器和开关器件对于确保电路性能至关重要。onsemi的NPN多芯片通用放大器FMB2222A和MMPQ2222A，是两款在中功率应用中表现出色的器件。下面我们就来详细了解一下它们的特性和应用。

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器件概述

FMB2222A和MMPQ2222A适用于需要集电极电流高达500 mA的中功率放大器和开关应用。它们采用了特定的工艺（process 19）制造，为电路设计提供了可靠的性能。

绝对最大额定值

在使用这两款器件时，必须注意其绝对最大额定值，以避免对器件造成损坏。以下是主要的额定值参数：	Symbol	Rating	Value	Unit
VCEO	集电极 - 发射极电压	40	V
VCBO	集电极 - 基极电压	75	V
VEBO	发射极 - 基极电压	5.0	V
IC	集电极连续电流	500	mA
TJ, TSTG	工作和存储结温范围	−55 to +150	°C

超过这些额定值可能会损坏器件，影响其功能和可靠性。特别是对于脉冲或低占空比操作的应用，建议咨询onsemi以获取更准确的使用指导。

热特性

热特性对于器件的性能和寿命至关重要。在TA = 25°C的条件下，两款器件的热特性参数如下：	Symbol	Characteristic	FMB2222A Max	MMPQ2222A Max	Unit
PD	功率耗散	700	1,000	mW
Derate Above 25 °C	每升高1°C的功率降额	5.6	8.0	mW/°C
RUA	结到环境的热阻	180		°C/W
4个芯片有效结到环境的热阻		125
每个芯片结到环境的热阻		240

这里的热特性是基于特定的PCB尺寸（FR - 4，76 mm x 114 mm x 1.57 mm）和最小焊盘图案尺寸得出的。在实际设计中，需要根据具体的散热条件进行评估和优化。

电气特性

电气特性是评估器件性能的关键指标。在TA = 25°C的条件下，两款器件的主要电气特性参数如下：

击穿电压

• V(BR)CEO：集电极 - 发射极击穿电压，在IC = 10 mA，IB = 0的条件下，最小值为40 V。
• V(BR)CBO：集电极 - 基极击穿电压，在IC = 10 μA，IE = 0的条件下，最小值为75 V。
• V(BR)EBO：发射极 - 基极击穿电压，在IE = 10 μA，IC = 0的条件下，最小值为5.0 V。

截止电流

• ICBO：集电极截止电流，在VCB = 60 V，IE = 0的条件下，最大值为10 nA。
• LEBO：发射极截止电流，在VEB = 3.0 V，IC = 0的条件下，最大值为10 nA。

直流电流增益（hFE）

在不同的集电极电流和集电极 - 发射极电压条件下，hFE的值有所不同。例如，在IC = 150 mA，VCE = 10 V的条件下，hFE的最小值为100，最大值为300。

饱和电压

• VCE(sat)：集电极 - 发射极饱和电压，在IC = 150 mA，IB = 15 mA的条件下，最大值为0.3 V；在IC = 500 mA，IB = 50 mA的条件下，最大值为1.0 V。
• VBE(sat)：基极 - 发射极饱和电压，在IC = 150 mA，IB = 15 mA的条件下，最大值为1.2 V；在IC = 500 mA，IB = 50 mA的条件下，最大值为2.0 V。

其他特性

• fT：电流增益 - 带宽乘积，在IC = 20 mA，VCE = 20 V，f = 100 MHz的条件下，典型值为300 MHz。
• Cobo：输出电容，在VCB = 10 V，IE = 0，f = 100 kHz的条件下，典型值为4.0 pF。
• Cibo：输入电容，在VEB = 0.5 V，IC = 0，f = 100 kHz的条件下，典型值为20 pF。
• NF：噪声系数，在IC = 100 μA，VCE = 10 V，RS = 1.0 kΩ，f = 1.0 kHz的条件下，典型值为2.0 dB。
• 开关时间：包括延迟时间（td）、上升时间（tr）、存储时间（ts）和下降时间（t）等参数。

需要注意的是，产品的参数性能是在特定的测试条件下给出的，如果在不同的条件下使用，实际性能可能会有所不同。对于一些参数的测试，采用了脉冲测试（脉冲宽度 ≤ 300 μs，占空比 ≤ 2.0%）。

封装与订购信息

FMB2222A采用TSOT23封装（无铅、无卤），每卷3000个；MMPQ2222A采用SOIC - 16封装（无铅、无卤），每卷2500个。关于卷带规格的详细信息，可以参考Tape and Reel Packaging Specifications Brochure（BRD8011/D）。

典型性能特性与测试电路

文档中还给出了一系列典型性能特性曲线，如典型脉冲电流增益与集电极电流的关系、集电极 - 发射极饱和电压与集电极电流的关系等。同时，提供了饱和导通和关断开关时间的测试电路，这些信息对于工程师进行电路设计和性能评估非常有帮助。

机械尺寸与推荐焊接焊盘

文档详细给出了TSOT23 6 - 引脚和SOIC - 16封装的机械尺寸和公差要求，以及推荐的焊接焊盘信息。在进行PCB设计时，需要严格按照这些尺寸要求进行布局，以确保器件的正确安装和焊接。

总结

onsemi的FMB2222A和MMPQ2222A是两款性能优良的NPN多芯片通用放大器和开关器件，适用于中功率应用。在使用过程中，工程师需要充分了解其绝对最大额定值、热特性、电气特性等参数，根据具体的应用需求进行合理的设计和选择。同时，要注意遵守器件的使用规范，确保电路的可靠性和稳定性。大家在实际应用中是否遇到过类似器件的使用问题呢？欢迎在评论区分享交流。