电子说
在电子工程师的日常工作中,评估电机驱动芯片是一项重要任务。德州仪器(Texas Instruments)的DRV82X1系列客户评估模块(EVM)为我们提供了一个便捷的解决方案。本文将基于DRV8251/AEVM用户指南,深入介绍该评估模块的硬件实现、操作方法以及相关注意事项。
文件下载:DRV8251AEVM.pdf
MD039是用于评估DRV8251/DRV8251A/DRV231/DRV8231A H桥电机驱动器的完整解决方案。它包含了非A变体中用于电流调节的必要分流电阻,以及A变体中电流镜像电路所需的内部FET。评估模块还集成了一个预编程的MSP430微控制器,可通过三个专用模拟电位器进行PWM速度控制和电流调节与监控。
为避免温度超过130°C(环境温度25°C),需将峰值电流保持在1.6 A RMS以下。
DRV8251/AEVM使用单个接头为评估板供电,板载3.3 V稳压器为MSP430供电。评估模块的最小推荐VM电压为4.5 V,最大电压取决于安装的具体设备。
如果要通过外部eZ-FET™仿真工具更改固件,请勿在编程时向EVM的VM连接器供电。eZ-FET™板在连接到J6连接器时会提供编程所需的电源。编程时,需将一个四针斜角公头焊接到Launchpad的J21上,并移除U1 MCU。
| 连接器/组件 | 功能 |
|---|---|
| J1 | 主电源连接器 |
| J3 | 电机连接 |
| J4 | 信号头测试点 |
| J6 | 用于连接LaunchPad的接头 |
| VREF | 用于VREF调整的电位器 |
| 3.3 V | 3.3 V LDO测试点 |
| IN1 PWM | 用于VREF调整的电位器 |
| GND | 主接地 |
| IN1 | IN2 | OUT1 | OUT2 | 描述 |
|---|---|---|---|---|
| 0 | 0 | High-Z | High-Z | 滑行;H桥禁用至高阻态(1 ms后进入睡眠状态) |
| 0 | 1 | L | H | 反转(电流从OUT2流向OUT1) |
| 1 | 0 | H | L | 正转(电流从OUT1流向OUT2) |
| 1 | 1 | L | L | 制动;低侧缓慢衰减 |
输入可以设置为静态电压以实现100%占空比驱动,也可以进行脉冲宽度调制(PWM)以实现可变电机速度。使用PWM时,在驱动和制动之间切换通常效果最佳。此外,还可以使用滑行模式(IN1 = 0,IN2 = 0)实现快速电流衰减。输入引脚可以在施加VM之前供电。
电流调节取决于Itrip阈值,超过该阈值设备将进入电流调节状态。该阈值可通过VREF电位器调整,计算公式为: [I{TRIP }(A)=frac{VREF(V)}{A{v} × R{ISEN }(Omega)}=frac{VREF(V)}{10 × R{ISEN }(Omega)}]
EVM可以支持DRV8251/DRV8251A/DRV8231/DRV8231A设备。以下是拆卸和安装不同驱动器的步骤:
| 不同设备切换时的焊接程序如下: | 新安装的设备 | 焊接程序 |
|---|---|---|
| 8251切换到8251A | • 将设备焊接到U2焊盘,确保设备的引脚1与PCB上的点对齐 • 移除C6、R5、R7、R8、R13、R14和U2 • 用0欧姆电阻填充R4和R7 • 用1.5 k欧姆电阻填充R5 |
|
| 8251A切换到8251 | • 将设备焊接到U2焊盘,确保设备的引脚1与PCB上的点对齐 • 移除R4、R5和R7 • 用0欧姆电阻填充R5和R14 • 用0.15欧姆电阻填充R7 • 用0.1 uF电容填充C6 • 用1 k欧姆电阻填充R8 • 用4.02 k欧姆电阻填充R13 • 用TLV9001IDCKR填充U4 |
由于DRV8231系列与DRV8251系列引脚兼容,因此在DRV8231和DRV8231A之间切换的步骤与DRV8251和8251A之间的切换步骤相同。但要注意电压差异的警告。
DRV8251/AEVM评估模块为电子工程师提供了一个方便的平台,用于评估DRV82X1系列电机驱动器。通过了解其硬件实现、操作方法和注意事项,我们可以更好地利用该模块进行电机驱动的测试和验证。在实际应用中,我们还需要根据具体需求进行适当的调整和优化,以确保系统的性能和稳定性。你在使用类似评估模块时遇到过哪些问题呢?欢迎在评论区分享你的经验和见解。
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