Onsemi互补功率晶体管MJD44H11与MJD45H11的特性与应用解析

在电子设计领域，功率晶体管是不可或缺的关键元件，广泛应用于各类电源和开关电路中。Onsemi推出的MJD44H11（NPN）和MJD45H11（PNP）互补功率晶体管，专为通用功率和开关应用而设计，如开关稳压器、转换器和功率放大器的输出或驱动级。下面我们就来详细了解一下这两款晶体管的特性、参数及应用要点。

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产品特性

封装形式多样

该系列晶体管有适用于表面贴装应用的引脚成型版本（无后缀），还有直引脚版本（“−1”后缀），均采用塑料套管包装。这种多样化的封装形式，能满足不同的设计需求，方便工程师在不同的电路板布局中进行选择。

电气性能优越

• 低饱和电压：具有低集电极 - 发射极饱和电压，这意味着在导通状态下，晶体管的功率损耗较小，能有效提高电路的效率。
• 快速开关速度：快速的开关速度使得晶体管能够在高频信号下快速响应，适用于对开关速度要求较高的应用场景。
• 互补配对设计：MJD44H11和MJD45H11为互补对，这种设计简化了电路设计过程，工程师无需再为匹配不同类型的晶体管而烦恼。

环保与可靠性

• 符合环保标准：这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂（BFR），并且符合RoHS标准，满足环保要求。
• 高可靠性：环氧树脂符合UL 94 V - 0 @ 0.125 in标准，具有良好的阻燃性能。此外，带有NJV前缀的产品适用于汽车和其他有独特产地和控制变更要求的应用，经过AEC - Q101认证且具备PPAP能力，保证了产品在严苛环境下的可靠性。

最大额定值

额定值	符号	最大值	单位
集电极 - 发射极电压	VCEO	80	Vdc
发射极 - 基极电压	VEB	5	Vdc
集电极连续电流	IC	8	Adc
集电极峰值电流	ICM	16	Adc
总功率耗散（@ TC = 25 °C，25 °C以上降额）	PD	20 / 0.16	W / W/°C
总功率耗散（注1，@ TA = 25 °C，25 °C以上降额）	PD	1.75 / 0.014	W / W/°C
工作和存储结温范围	TJ, Tstg	-55 to +150	°C
ESD - 人体模型	HBM	3B	V
ESD - 机器模型	MM	C	V

注1：这些额定值适用于表面贴装在推荐的最小焊盘尺寸上时。

需要注意的是，超过最大额定值表中列出的应力可能会损坏器件。如果超过任何这些限制，不能保证器件的功能，可能会发生损坏并影响可靠性。

热特性

特性	符号	最大值	单位
结到外壳的热阻	-	6.25	°C/W
结到环境的热阻（注2）	-	71.4	°C/W
温度限制	TL	260	°C

注2：这些额定值适用于表面贴装在推荐的最小焊盘尺寸上时。

热特性是功率晶体管设计中需要重点考虑的因素之一。了解结到外壳和结到环境的热阻，有助于工程师合理设计散热方案，确保晶体管在正常工作温度范围内运行。

电气特性

截止特性

• 集电极 - 发射极维持电压：VCEO(sus)在IC = 30 mA，IB = 0时为80 Vdc。
• 集电极截止电流：ICES在VCE = 额定VCEO，VBE = 0时最大为1.0 A。
• 发射极截止电流：IEBO在VEB = 5 Vdc时最大为1.0 A。

导通特性

• 集电极 - 发射极饱和电压：VCE(sat)在IC = 8 Adc，IB = 0.4 Adc时最大为1 Vdc。
• 基极 - 发射极饱和电压：VBE(sat)在IC = 8 Adc，IB = 0.8 Adc时最大为1.5 Vdc。
• 直流电流增益：hFE在VCE = 1 Vdc，IC = 2 Adc时最小为60；在VCE = 1 Vdc，IC = 4 Adc时最小为40。

动态特性

• 集电极电容：MJD45H11在V = 10 Vdc，f = 1 Mhz时最大为130 pF。
• 增益带宽积：MJD44H11在IC = 0.5 Adc，VCE = 10 Vdc，f = 20 Mhz时为85 MHz；MJD45H11为90 MHz。

开关时间

类型	MJD44H11	MJD45H11
延迟和上升时间（IC = 5 Adc，IB1 = 0.5 Adc）	300 ns	135 ns
存储时间（IC = 5 Adc，IB1 = IB2 = 0.5 Adc）	500 ns	500 ns
下降时间（IC = 5 Adc，IB1 = IB2 = 0.5 Adc）	140 ns	100 ns

电气特性是评估晶体管性能的重要指标。在实际设计中，工程师需要根据具体的应用需求，合理选择晶体管，并确保其工作在电气特性允许的范围内。

安全工作区

晶体管的功率处理能力受到平均结温和二次击穿两个因素的限制。安全工作区曲线表示了晶体管在可靠运行时必须遵守的IC - VCE限制，即晶体管的耗散功率不能超过曲线所示的值。图2的数据基于TJ(pk) = 150 °C，TC根据条件而变化。二次击穿脉冲限制在占空比为10%且TJ(pk) ≤ 150 °C时有效，TJ(pk)可根据图1的数据计算得出。在高外壳温度下，热限制会使可处理的功率低于二次击穿所施加的限制。

订购信息

该系列晶体管提供多种封装和包装形式可供选择，如DPAK和IPAK封装，有不同的引脚样式和包装数量。需要注意的是，部分器件已停产，请参考数据表第7页的表格。同时，带有NJV前缀的产品适用于汽车和其他有特殊要求的应用。

机械尺寸

文档中还提供了DPAK - 3（CASE 369C、CASE 369G）和IPAK（CASE 369D）封装的详细机械尺寸和公差信息，以及通用标记图。这些信息对于电路板设计和装配非常重要，工程师需要根据实际情况进行合理的布局和安装。

总结

Onsemi的MJD44H11和MJD45H11互补功率晶体管具有多种优越的特性，适用于多种通用功率和开关应用。在设计过程中，工程师需要综合考虑产品的最大额定值、热特性、电气特性、安全工作区等因素，合理选择封装形式和工作条件，以确保电路的可靠性和性能。同时，要注意部分器件已停产的情况，及时获取最新的产品信息。你在使用类似功率晶体管时，遇到过哪些挑战呢？欢迎在评论区分享你的经验。