Everspin非易失性串行mram存储器存储技术

作为新一代主流存储技术，MRAM存储器（磁性随机存储器）依托隧穿磁阻效应实现数据存储，颠覆了传统存储器的电荷存储模式，是目前性能极具优势的新型非易失性存储方案。Everspin串行MRAM系列产品凭借适配性强、性能稳定、耐用性高等诸多优势，广泛替代传统EEPROM、闪存等存储芯片，成为工业、车载、智能设备领域的优选存储器件。英尚微电子是专业的Everspin存储器一级代理，可为行业客户提供正品原装MRAM存储器、精准选型及全套技术支持服务。

相较于市面上常规的串行存储器，Everspin串行MRAM拥有极强的兼容性，读写时序可完美匹配串行EEPROM与串行闪存，无需改动原有电路设计即可直接替换。mram存储器零写入延迟，支持随机读写操作，打破了传统闪存、EEPROM读写延迟高、操作受限的痛点，同时具备超高读写耐受度，可满足设备高频次、持续性的读写运行需求。

目前主推的Everspin存储器MR25H256ACDF型号，是工业级高性能非易失性MRAM存储器的典型产品。该mram存储器通过电子自旋磁性结构完成数据存储，彻底摆脱传统DRAM断电数据丢失的弊端，真正实现断电数据长效留存。这款MRAM存储器存储密度达256Kb，存储容量为32K×8，标准工作电压3.3V，采用8-DFN小型化封装，兼顾小巧体积与稳定性能，适配各类紧凑型设备的硬件安装需求。

同时，Everspin mram存储器具备20年长效数据留存能力，即便遭遇设备突发断电、系统意外中断、工况波动等特殊情况，也可自动快速保存核心运行数据，从根源上杜绝数据丢失、数据错乱等问题。mram存储器还具备优秀的抗辐射、抗干扰特性，可适应复杂严苛的运行工况，环境适配性极强。

审核编辑 黄宇