英诺赛科发布两款全氮化镓ACDC方案 重塑电源能效新高度

近日，国内氮化镓功率半导体领军企业英诺赛科正式推出两款全新All GaN全氮化镓AC-DC电源解决方案，依托旗下全系列氮化镓功率器件与驱动芯片的深度协同优化，两款方案分别面向200W以内消费级快充与1kW级工业电源场景，彻底摆脱传统硅基器件的性能束缚，进一步拓宽了ACDC电源在能效、功率密度与可靠性层面的边界，为电源产业的氮化镓升级提供了成熟的全链路国产化选择。

作为全球最大的8英寸氮化镓晶圆制造厂商，英诺赛科长期深耕氮化镓功率器件的研发与量产，依托自主可控的全产业链技术体系，已实现从低压到高压全品类氮化镓器件的大规模落地，产品广泛覆盖消费电子、新能源汽车、工业电源等多个领域，是国内氮化镓产业实现自主可控的核心标杆企业。此次推出的两款全氮化镓方案，彻底摒弃了传统“硅基控制器+氮化镓功率管”的混合架构，将主功率管、同步整流管、驱动电路甚至部分控制单元全部采用氮化镓器件实现，从底层释放了氮化镓技术的全部性能潜力。

其中面向200W以内消费级快充场景的All GaN方案，依托英诺赛科自研的650V高压氮化镓功率管与集成氮化镓驱动的同步整流芯片，实现了高达96.5%的峰值转换效率，在20V/10A满功率输出时，整机功率密度达到2.1W/cm³，相比同功率传统硅基电源体积缩小60%。方案采用高频准谐振拓扑，开关频率提升至传统硅基电源的3倍以上，大幅减小了变压器、电解电容等无源器件的体积，同时依托氮化镓器件极低的开关损耗，在50%轻载工况下能效仍可保持在94%以上，完美适配当前多设备快充、桌面智能电源等场景的需求。

面向1kW级工业电源场景的全氮化镓方案，则针对工业场景的高可靠性要求做了专属优化，采用图腾柱PFC+LLC谐振的两级全氮化镓架构，整机峰值效率突破98%，在230V交流输入、满功率输出时，整机损耗相比同功率硅基方案降低40%。方案内置氮化镓专属的高速驱动保护机制，可实现纳秒级过流响应，避免氮化镓器件在异常工况下损坏，同时支持-40℃至85℃的超宽工作温度范围，通过了工业级EMC与安规认证，可直接适配工业控制电源、服务器电源、新能源储能变流器等场景。

两款All GaN方案均依托英诺赛科的8英寸氮化镓产线实现全流程量产，核心器件全部实现国产化，供应链完全自主可控，避免了海外器件供应波动带来的风险。同时英诺赛科同步推出了完整的参考设计与评估套件，开发者无需从零开始调试氮化镓电路，依托成熟的方案即可快速完成产品原型验证，大幅缩短从设计到量产的周期。

目前两款方案已正式开放技术对接与样片申请，后续将广泛应用于消费级快充、工业电源、数据中心服务器供电等场景。业内人士指出，英诺赛科全氮化镓ACDC方案的落地，标志着国内氮化镓产业已经从单一器件应用，走向全系统架构创新的新阶段，将进一步推动电源产业向更高能效、更高功率密度的方向迭代，为双碳目标下的工业节能升级提供有力的硬件支撑。