SmartClamp DrMOS发布 为高密度AI算力筑牢供电安全屏障

近日，面向高端算力场景的全新一代SmartClamp DrMOS正式亮相，这款专为高密度AI应用定制的集成式智能功率器件，将高精度过流保护机制与高性能驱动-MOS单元深度整合，在极致紧凑的封装内实现了高可靠、高效率的供电输出，为AI服务器、高性能计算集群等高密度算力场景的核心供电系统，带来了兼具安全性与功率密度的全新解决方案。

随着大模型与生成式AI产业的快速发展，AI算力芯片的核心供电需求持续升级，单颗AI加速芯片的供电电流已经攀升至数百安培，供电系统的功率密度不断突破新高。传统的分立MOS管搭配外置驱动的方案，不仅占用大量PCB布局空间，还存在过流保护响应延迟、器件一致性差等痛点，一旦出现负载短路、电流异常冲击等工况，很容易导致昂贵的AI算力芯片被烧毁，造成巨大的经济损失。SmartClamp DrMOS正是针对这一行业痛点打造的标杆级产品，从底层架构上重构了AI场景的供电安全体系。

在核心性能层面，SmartClamp DrMOS依托先进的功率封装整合工艺，将栅极驱动IC、上下桥功率MOS管与智能电流采样单元全部集成在单颗极小的封装内，单颗器件的持续输出电流能力最高可达80A，相比同尺寸传统DrMOS提升了30%的电流承载上限，可支撑AI供电系统实现更高的功率密度，帮助服务器主板在有限的PCB空间内布置更多相供电，满足大电流AI芯片的供电需求。同时器件采用优化的栅极驱动时序控制技术，将开关损耗降低了20%，在高负载工况下整机供电转换效率最高可达94%，大幅降低AI服务器的供电损耗，减少数据中心的散热压力与PUE值。

其最具创新性的SmartClamp智能钳位过流保护机制，彻底打破了传统过流保护的响应瓶颈：传统DrMOS的过流保护往往需要通过外部控制芯片完成电流采样、阈值判断再发出关断指令，整个过程需要数百纳秒的延迟，面对AI场景下的纳秒级异常电流尖峰，很容易出现保护不及时的问题。而SmartClamp DrMOS将过流检测与钳位电路直接集成在器件内部，无需外部芯片参与，可在10ns级别的时间内快速响应异常电流，将输出电流牢牢钳位在安全阈值以内，从根源上避免异常大电流冲击AI算力芯片，大幅提升高密度AI供电系统的可靠性。

针对AI场景的严苛使用需求，SmartClamp DrMOS还内置了全维度的智能监测功能，可实时采集器件的工作电流、结温等关键参数，通过PMBus数字接口将数据上传至系统主控，运维人员可以实时掌握每一颗DrMOS的运行状态，提前预判潜在的过热、过流风险，实现供电系统的预测性维护。同时器件支持12V直接输入的宽电压适配，可直接对接AI服务器的主流供电体系，外围仅需少量无源器件即可完成供电回路搭建，大幅简化主板的供电设计流程。

目前SmartClamp DrMOS已完成全流程验证，正式面向AI服务器、高性能计算等领域开放技术对接。业内人士指出，这款专为高密度AI场景定制的智能DrMOS，解决了当前大电流AI供电系统的安全痛点，将进一步提升AI算力集群的运行稳定性，为AI产业的大规模落地提供坚实的供电硬件支撑。