onsemi通用晶体管MMBT3904WT1G和MMBT3906WT1G数据手册解读

在电子电路设计中，通用晶体管是非常基础且关键的元件。今天我们来详细解读onsemi的MMBT3904WT1G（NPN）和MMBT3906WT1G（PNP）通用晶体管的数据手册，为电子工程师们在实际设计中提供参考。

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一、产品概述

MMBT3904WT1G和MMBT3906WT1G这两款晶体管专为通用放大器应用而设计，采用SOT - 323/SC - 70封装，这种封装适用于低功率表面贴装应用。它们具有以下特点：

• 汽车及特殊应用适用性：带有“S”前缀，适用于汽车及其他有独特场地和控制变更要求的应用，并且通过了AEC - Q101认证，具备PPAP能力。
• 环保特性：这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂（BFR），符合RoHS标准。

二、最大额定值

在使用晶体管时，了解其最大额定值至关重要，超过这些值可能会损坏器件，影响其功能和可靠性。以下是主要的最大额定值参数：	额定值	符号	值	单位
集电极 - 发射极电压（MMBT3904WT1、SMMBT3904WT1、MMBT3906WT1、SMMBT3906WT1）	VCEO	40 / -40	Vdc
集电极 - 基极电压（MMBT3904WT1、SMMBT3904WT1、MMBT3906WT1、SMMBT3906WT1）	VCBO	60 / -40	Vdc
发射极 - 基极电压（MMBT3904WT1、SMMBT3904WT1、MMBT3906WT1、SMMBT3906WT1）	VEBO	6.0 / -5.0	Vdc
集电极连续电流（MMBT3904WT1、SMMBT3904WT1、MMBT3906WT1、SMMBT3906WT1）	Ic	200 / -200	mAdc

三、热特性

热特性对于晶体管的性能和稳定性也很关键。在环境温度TA = 25°C时，耗散功率PD为833mW，工作结温TJ和存储温度Tstg范围为 - 55°C至 + 150°C。大家在设计散热方案时，就需要参考这些热特性参数，以确保晶体管能在合适的温度环境下工作。

四、电气特性

4.1 截止特性

• 集电极 - 发射极击穿电压：MMBT3904WT1和SMMBT3904WT1的V(BR)CEO最小值为40Vdc，MMBT3906WT1和SMMBT3906WT1为 - 40Vdc。
• 集电极 - 基极击穿电压：MMBT3904WT1和SMMBT3904WT1的V(BR)CBO最小值为60Vdc，MMBT3906WT1和SMMBT3906WT1为 - 40Vdc。
• 发射极 - 基极击穿电压：MMBT3904WT1和SMMBT3904WT1的V(BR)EBO最小值为6.0Vdc，MMBT3906WT1和SMMBT3906WT1为 - 5.0Vdc。
• 基极截止电流：在VcE = 30Vdc，VEB = 3.0Vdc条件下，MMBT3904WT1和SMMBT3904WT1、MMBT3906WT1和SMMBT3906WT1的最大值为50 / - 50nAdc。
• 集电极截止电流：在VcE = 30Vdc，VEB = 3.0Vdc条件下，MMBT3904WT1和SMMBT3904WT1、MMBT3906WT1和SMMBT3906WT1的最大值为50 / - 50nAdc。

4.2 导通特性

• 集电极 - 发射极饱和电压：在不同集电极电流和基极电流条件下，MMBT3904WT1和SMMBT3904WT1、MMBT3906WT1和SMMBT3906WT1的VCE(sat)有不同的值，例如在Ic = 10mAdc，IB = 1.0mAdc时，MMBT3904WT1和SMMBT3904WT1最大值为0.2Vdc，MMBT3906WT1和SMMBT3906WT1为 - 0.25Vdc。
• 基极 - 发射极饱和电压：在不同集电极电流和基极电流条件下，MMBT3904WT1和SMMBT3904WT1的VBE(sat)范围为0.65 - 0.85Vdc，MMBT3906WT1和SMMBT3906WT1为 - 0.65 - - 0.95Vdc。

4.3 小信号特性

• 电流增益 - 带宽积：在Ic = 10mAdc，VcE = 20Vdc，f = 100MHz条件下，MMBT3904WT1和SMMBT3904WT1的fT最小值为300MHz，MMBT3906WT1和SMMBT3906WT1为250MHz。
• 输出电容：在VcB = 5.0Vdc，Ie = 0，f = 1.0MHz条件下，MMBT3904WT1和SMMBT3904WT1的Cobo最大值为4.0pF，MMBT3906WT1和SMMBT3906WT1为4.5pF。
• 输入电容：在VEB = 0.5Vdc，Ic = 0，f = 1.0MHz条件下，MMBT3904WT1和SMMBT3904WT1的Cibo最大值为8.0pF，MMBT3906WT1和SMMBT3906WT1为10.0pF。
• 输入阻抗：在Vce = 10Vdc，Ic = 1.0mAdc，f = 1.0kHz条件下，MMBT3904WT1和SMMBT3904WT1的hie范围为1.0 - 10kΩ，MMBT3906WT1和SMMBT3906WT1为2.0 - 12kΩ。
• 电压反馈比：在Vce = 10Vdc，Ic = 1.0mAdc，f = 1.0kHz条件下，MMBT3904WT1和SMMBT3904WT1的hre范围为0.5 - 8.0×10 - 4，MMBT3906WT1和SMMBT3906WT1为0.1 - 10×10 - 4。
• 小信号电流增益：在Vce = 10Vdc，Ic = 1.0mAdc，f = 1.0kHz条件下，MMBT3904WT1和SMMBT3904WT1、MMBT3906WT1和SMMBT3906WT1的hfe范围为100 - 400。
• 输出导纳：在Vce = 10Vdc，Ic = 1.0mAdc，f = 1.0kHz条件下，MMBT3904WT1和SMMBT3904WT1的hoe范围为1.0 - 40μmhos，MMBT3906WT1和SMMBT3906WT1为3.0 - 60μmhos。
• 噪声系数：在Vce = 5.0Vdc，Ic = 100Adc，Rs = 1.0kΩ，f = 1.0kHz条件下，MMBT3904WT1和SMMBT3904WT1的NF最大值为5.0dB，MMBT3906WT1和SMMBT3906WT1为4.0dB。

4.4 开关特性

特性	条件	符号	最小值	最大值	单位
延迟时间	VCC = 3.0Vdc，VBE = - 0.5Vdc（MMBT3906WT1、SMMBT3906WT1）；VCC = - 3.0Vdc，VBE = 0.5Vdc（MMBT3904WT1、SMMBT3904WT1）	td	35	35	ns
上升时间	IC = 10mAdc，IB1 = 1.0mAdc（MMBT3904WT1、SMMBT3904WT1）；IC = - 10mAdc，IB1 = - 1.0mAdc（MMBT3906WT1、SMMBT3906WT1）	tr	35	35	ns
存储时间	VCC = 3.0Vdc，IC = 10mAdc（MMBT3904WT1、SMMBT3904WT1）；VCC = - 3.0Vdc，IC = - 10mAdc（MMBT3906WT1、SMMBT3906WT1）	ts	200	225	ns
下降时间	IB1 = IB2 = - 1.0mAdc（MMBT3904WT1、SMMBT3904WT1）；IB1 = IB2 = 1.0mAdc（MMBT3906WT1、SMMBT3906WT1）	tf	50	75	ns

五、封装与订购信息

这两款晶体管采用SC - 70/SOT - 323无铅封装，每卷3000个。对于卷带规格的详细信息，可参考Tape and Reel Packaging Specifications Brochure，BRD8011/D。

六、典型特性曲线

数据手册中还提供了大量的典型特性曲线，包括瞬态特性、音频小信号特性、H参数、静态特性等。这些曲线能帮助工程师更直观地了解晶体管在不同工作条件下的性能表现，在实际设计中根据具体需求进行参考和优化。

在实际的电子设计中，大家要充分考虑这些参数和特性，结合具体的应用场景，合理选择和使用这两款晶体管。同时，要注意遵守最大额定值等限制条件，以确保电路的稳定性和可靠性。大家在使用过程中有没有遇到过什么问题或者有什么独特的应用经验呢？欢迎在评论区分享交流。