onsemi NPN硅放大器晶体管MMBT6428LT1G、MMBT6429LT1G、NSVMMBT6429LT1G技术解析

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描述

onsemi NPN硅放大器晶体管MMBT6428LT1G、MMBT6429LT1G、NSVMMBT6429LT1G技术解析

在电子电路设计中,放大器晶体管是至关重要的基础元件。今天我们就来深入探讨一下安森美(onsemi)的NPN硅放大器晶体管MMBT6428LT1G、MMBT6429LT1G和NSVMMBT6429LT1G。

文件下载:MMBT6428LT1-D.PDF

一、产品特性

1. 应用范围

这些晶体管带有NSV前缀,适用于汽车及其他对独特产地和控制变更有要求的应用场景。并且它们通过了AEC - Q101认证,具备生产件批准程序(PPAP)能力,这意味着它们在汽车等对可靠性要求极高的领域也能稳定工作。

2. 环保特性

产品为无铅、无卤素/无溴化阻燃剂(BFR),符合RoHS标准,这符合当前电子行业对环保的要求,也为工程师在设计环保型产品时提供了选择。

二、最大额定值

额定值 符号 6428LT1 6429LT1 单位
集电极 - 发射极电压 VCEO 50 45 Vdc
集电极 - 基极电压 VCBO 60 55 Vdc
发射极 - 基极电压 VEBO 6.0 Vdc
集电极连续电流 IC 200 mAdc

需要注意的是,超过最大额定值表中列出的应力可能会损坏器件。一旦超过这些限制,就不能保证器件的功能正常,可能会造成损坏并影响可靠性。大家在设计电路时,一定要严格遵循这些参数,避免因电压或电流过大而损坏晶体管。

三、热特性与订购信息

1. 热特性

热阻RUA相关信息显示,其值为300 mW/°C ,这对于评估晶体管在工作时的散热情况非常重要。在设计散热方案时,我们可以根据这个热阻参数来计算晶体管的温度上升情况,从而选择合适的散热措施。

2. 订购信息

三款产品均采用SOT - 23(无铅)封装,每盘3000个以带盘形式发货。对于具体的带盘规格,包括零件方向和带盘尺寸等信息,可参考安森美的带盘封装规格手册BRD8011/D。

四、电气特性

1. 截止特性

  • 集电极 - 发射极击穿电压:MMBT6428在IC = 1.0 mAdc、IB = 0时为50 Vdc,MMBT6429 / NSVMMBT6429为45 Vdc。
  • 集电极 - 基极击穿电压:MMBT6428在IC = 0.1 mAdc、IE = 0时为60 Vdc,MMBT6429 / NSVMMBT6429为55 Vdc。
  • 集电极截止电流:ICES(VCE = 30 Vdc)为0.1 Adc,ICBO(VCB = 30 Vdc,IE = 0)为0.01 Adc。
  • 发射极截止电流:IEBO(VEB = 5.0 Vdc,IC = 0)为0.01 Adc。

2. 导通特性

  • 直流电流增益:在不同的集电极电流和集电极 - 发射极电压条件下,三款产品的直流电流增益hFE有所不同。例如,在IC = 0.01 mAdc、VCE = 5.0 Vdc时,MMBT6428的hFE为250 - 500,MMBT6429 / NSVMMBT6429为250 - 500。
  • 集电极 - 发射极饱和电压:在IC = 10 mAdc、IB = 0.5 mAdc时为0.2 Vdc,在IC = 100 mAdc、IB = 5.0 mAdc时为0.6 Vdc。
  • 基极 - 发射极导通电压:在IC = 1.0 mAdc、VCE = 5.0 Vdc时为0.56 - 0.66 Vdc。

3. 小信号特性

  • 电流增益 - 带宽积:在IC = 1.0 mAdc、VCE = 5.0 Vdc、f = 100 MHz时为100 - 700 MHz。
  • 输出电容:Cobo(VCB = 10 Vdc,IE = 0,f = 1.0 MHz)为3.0 pF。
  • 输入电容:Cibo(VEB = 0.5 Vdc,IC = 0,f = 1.0 MHz)为8.0 pF。

这里需要提醒大家,产品的参数性能是在列出的测试条件下给出的。如果在不同条件下工作,产品性能可能无法通过电气特性体现出来。所以在实际设计中,要根据具体的工作条件来评估晶体管的性能。

五、噪声特性

在VCE = 5.0 Vdc、TA = 25°C的条件下,文档给出了一系列关于噪声特性的图表,包括噪声电压随频率和集电极电流的变化、噪声电流、宽带噪声系数等。噪声特性对于一些对信号质量要求较高的应用,如音频放大器、射频前端等非常重要。大家在设计这类电路时,要仔细研究这些噪声特性图表,以确保设计出的电路具有良好的抗噪声能力。

六、机械封装与引脚定义

1. 封装尺寸

采用SOT - 23(TO - 236)封装,尺寸为2.90x1.30x1.00 1.90P。文档中还给出了详细的封装尺寸图和标注,对于PCB布局设计非常有帮助。

2. 引脚定义

不同的封装样式有不同的引脚定义,例如STYLE 6中,引脚1为基极,引脚2为发射极,引脚3为集电极。在设计电路时,一定要根据具体的封装样式来正确连接引脚,避免因引脚连接错误而导致电路无法正常工作。

七、注意事项

安森美保留对产品进行更改的权利,且不做进一步通知。同时,安森美不保证产品适用于任何特定用途,也不承担因产品应用或使用而产生的任何责任。产品中的“典型”参数会因不同应用而有所变化,实际性能也可能随时间变化。所以,大家在使用这些晶体管时,一定要对所有工作参数进行验证,确保其符合设计要求。

以上就是对安森美MMBT6428LT1G、MMBT6429LT1G、NSVMMBT6429LT1G放大器晶体管的详细解析。希望这些信息能对大家的电子电路设计有所帮助。大家在实际应用中遇到什么问题,欢迎一起交流探讨。

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