电子说
在电子设计领域,通用放大晶体管是不可或缺的基础元件。今天我们要深入探讨安森美(onsemi)推出的两款NPN硅表面贴装通用放大晶体管——MSD1819A-RT1G和NSVMSD1819A-RT1G。
文件下载:MSD1819A-RT1-D.PDF
MSD1819A-RT1G和NSVMSD1819A-RT1G属于NPN硅外延平面晶体管,专为通用放大应用而设计。它们采用SC - 70/SOT - 323封装,这种封装非常适合低功率表面贴装应用。
这两款晶体管具有高hFE值,范围在210 - 460之间。高电流增益意味着在输入信号较小的情况下,也能获得较大的输出信号,这对于放大微弱信号非常关键。在实际应用中,你是否遇到过需要放大微弱信号但又担心增益不足的情况呢?
低(V_{CE (sat)}),小于0.5V。低饱和电压可以降低晶体管在导通状态下的功率损耗,提高电路的效率。在设计低功耗电路时,这一特性就显得尤为重要。
NSV前缀的NSVMSD1819A - RT1G适用于汽车及其他有独特场地和控制变更要求的应用。它通过了AEC - Q101认证,具备生产件批准程序(PPAP)能力,这为汽车电子等对可靠性要求极高的领域提供了可靠的选择。
这两款器件均为无铅、无卤素/无溴化阻燃剂(BFR),并且符合RoHS标准,满足环保要求。
| 额定参数 | 符号 | 值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 集电极 - 基极电压 | (V_{(BR)CBO}) | 60 | Vdc |
| 集电极 - 发射极电压 | (V_{(BR)CEO}) | 50 | Vdc |
| 发射极 - 基极电压 | (V_{(BR)EBO}) | 7.0 | Vdc |
| 集电极连续电流 | (I_{C}) | 100 | mAdc |
| 集电极峰值电流 | (I_{C(P)}) | 200 | mAdc |
在设计电路时,一定要确保工作参数不超过这些最大额定值,否则可能会损坏器件,影响电路的可靠性。
| 特性 | 符号 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 功耗(注1) | (P_{D}) | 150 | mW |
| 结温 | (T_{J}) | 150 | °C |
| 存储温度范围 | (T_{stg}) | - 55 to +150 | °C |
注1:器件安装在使用最小推荐焊盘的FR - 4玻璃环氧树脂印刷电路板上。了解热特性对于合理设计散热方案至关重要,你在设计时是否充分考虑了器件的散热问题呢?
在不同的测试条件下,直流电流增益有所不同。例如,在(V{CE}=10 Vdc),(I{C}=2.0 mAdc)时,(h{FE1})为210 - 340;在(V{CE}=2.0 Vdc),(I{C}=100 mAdc)时,(h{FE2})为90。
在(I{C}=100 mAdc),(I{B}=10 mAdc)时,(V_{CE(sat)})最大为0.5Vdc。
需要注意的是,产品的参数性能是在所列测试条件下给出的,如果在不同条件下工作,产品性能可能会有所不同。
采用SC - 70(SOT - 323)封装,这种封装尺寸小,适合高密度电路板设计。同时文档还给出了详细的封装尺寸信息,包括各个引脚的尺寸和间距等。
| 器件 | 封装 | 包装数量 |
|---|---|---|
| MSD1819A - RT1G | SC - 70(无铅) | 3,000 / 卷带包装 |
| NSVMSD1819A - RT1G | SC - 70(无铅) | 3,000 / 卷带包装 |
对于卷带包装的规格,包括零件方向和卷带尺寸等信息,可以参考安森美的卷带包装规格手册BRD8011/D。
MSD1819A - RT1G和NSVMSD1819A - RT1G这两款通用放大晶体管具有高增益、低饱和电压、高可靠性等优点,并且符合环保要求。无论是在通用放大电路还是汽车电子等特殊应用领域,都能提供可靠的性能。在实际设计中,我们要充分考虑它们的各项特性和参数,合理应用,以确保电路的性能和可靠性。你在使用类似晶体管时,有没有遇到过什么问题或者有什么独特的应用经验呢?欢迎在评论区分享。
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