探索onsemi的NJD1718和NJVNJD1718 PNP硅功率晶体管

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探索onsemi的NJD1718和NJVNJD1718 PNP硅功率晶体管

在电子设计领域,选择合适的功率晶体管对于实现高性能、可靠的电路至关重要。今天,我们来深入了解一下onsemi推出的NJD1718和NJVNJD1718 PNP硅功率晶体管,看看它们在高增益音频放大器和功率开关应用中能带来怎样的表现。

文件下载:NJD1718-D.PDF

产品概述

NJD1718和NJVNJD1718是专为高增益音频放大器和功率开关应用而设计的PNP硅功率晶体管,采用DPAK封装,适用于表面贴装应用。这些器件具有低集电极 - 发射极饱和电压、高开关速度等特点,并且其环氧树脂符合UL 94 V - 0标准(0.125英寸厚度)。带有NJV前缀的产品适用于汽车和其他有独特站点和控制变更要求的应用,经过AEC - Q101认证且具备PPAP能力。同时,它们是无铅、无卤素/无溴化阻燃剂的,符合RoHS标准。

主要特性

电气特性

  1. 截止特性:集电极 - 发射极击穿电压(BVCEO)最小值为 - 50Vdc(IC = - 10mAdc,IB = 0),集电极截止电流(ICBO)最大值为 - 100nAdc(VCB = - 50Vdc,IE = 0),发射极截止电流(IEBO)最大值为 - 100nAdc(VBE = - 5Vdc,IC = 0)。
  2. 导通特性:直流电流增益(hFE)在不同集电极电流下有不同表现,如IC = - 0.5A,VCE = 2V时最小值为70;IC = - 1.5Adc,VCE = 2Vdc时最小值为40。集电极 - 发射极饱和电压(VCE(sat))典型值为 - 0.2Vdc(IC = - 1A,IB = - 0.05A),基极 - 发射极饱和电压(VBE(sat))最大值为 - 1.2Vdc(IC = - 1A,IB = - 0.05Adc),基极 - 发射极导通电压(VBE(on))最大值为 - 1.2Vdc(IC = - 1Adc,VCE = - 2Vdc)。
  3. 动态特性:电流增益 - 带宽积(fT)典型值为80MHz(IC = - 500mAdc,VCE = - 2Vdc,ftest = 10MHz),输出电容(Cob)典型值为33pF(VCB = 10Vdc,IE = 0,f = 0.1MHz),开关时间方面,tON典型值为55ns(VCC = - 30V,IC = - 1A),tSTG为320ns,tf为40ns。

热特性

热阻方面,结到壳热阻(RJC)最大值为89.3°C/W,结到环境热阻(RJA)最大值为10°C/W(在推荐的最小焊盘尺寸表面贴装时适用)。

最大额定值

符号 额定值 单位
VCB 集电极 - 基极电压 - 50 Vdc
VCEO 集电极 - 发射极电压 - 50 Vdc
VEB 发射极 - 基极电压 - 5 Vdc
IC 集电极电流 - 连续 - 2 Adc
ICM 集电极电流 - 峰值 - 3 Adc
IB 基极电流 - 0.4 Adc
PD 总器件功耗(@ TC = 25°C)
25°C以上降额
15
0.1
W
W/°C
PD 总器件功耗(@ TA = 25°C,25°C以上降额,注1) 1.68
0.011
W
W/°C
TJ, Tstg 工作和存储结温范围 - 65至 + 150 °C
HBM ESD 人体模型静电放电 3B V
MM ESD 机器模型静电放电 C V

需要注意的是,超过最大额定值表中列出的应力可能会损坏器件。如果超过这些限制,不能保证器件的功能,可能会发生损坏并影响可靠性。

封装与订购信息

该产品采用DPAK封装,提供两种型号NJD1718T4G(无铅)和NJVNJD1718T4G(无铅),均以带盘形式发货,每盘2500个。关于带盘规格的详细信息,可参考Tape and Reel Packaging Specification Brochure, BRD8011/D。

机械尺寸与标记

封装尺寸

DPAK - 3封装尺寸为6.10x6.54x2.28(2.29P),CASE 369C,ISSUE K。各尺寸的最小值、标称值和最大值都有详细规定,例如A尺寸范围为2.18 - 2.38mm,b尺寸范围为0.63 - 0.89mm等。

标记图

标记包含装配位置(A)、年份(Y)、工作周(WW)和无铅标识(G)等信息。同时,还提供了多种引脚定义的样式,如STYLE 1 - 10,不同样式适用于不同的应用场景。

总结与思考

NJD1718和NJVNJD1718 PNP硅功率晶体管凭借其优秀的电气特性和热特性,在高增益音频放大器和功率开关应用中具有很大的优势。其低饱和电压和高开关速度有助于提高电路效率和性能,而无铅、无卤素的环保特性也符合现代电子设计的趋势。

作为电子工程师,在使用这些器件时,我们需要根据具体的应用需求,合理选择工作参数,确保器件在安全的工作范围内运行。同时,要关注器件的热管理,避免因过热导致性能下降或损坏。大家在实际设计中是否遇到过类似功率晶体管的应用问题呢?又是如何解决的呢?欢迎在评论区分享你的经验和见解。

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