onsemi NSM3005NZ：小信号BJT与MOSFET的完美结合

在电子设备不断向小型化、高性能发展的今天，小信号晶体管的性能和特性对整个电路的设计和性能起着至关重要的作用。今天我们要介绍的是安森美半导体（onsemi）推出的NSM3005NZ，这是一款集成了30 V、500 mA PNP BJT和20 V、224 mA N - 沟道MOSFET的小信号器件，非常适合便携式设备等应用。

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一、器件特性亮点

环保特性

NSM3005NZ是一款环保型器件，它符合无铅（Pb - Free）、无卤（Halogen Free/BFR Free）标准，并且满足RoHS指令要求。在当今对环保要求日益严格的市场环境下，这样的特性使得该器件在众多应用中更具优势。

二、主要参数指标

（一）最大额定值

1. PNP BJT（Q1）

参数	符号	值	单位
集电极 - 发射极电压	VCEO	30	V
集电极 - 基极电压	VCBO	40	V
发射极 - 基极电压	VEBO	5.0	V
集电极电流	IC	500	mA
基极电流	IB	50	mA

2. N - 沟道MOSFET（Q2）

参数	条件	符号	值	单位
漏源电压		VDSS	20	V
栅源电压		VGSS	±8	V
连续漏电流	稳态，$T_{A}=25^{circ}C$	ID	224	mA
连续漏电流	稳态，$T_{A}=85^{circ}C$	ID	162	mA
连续漏电流	$tleq5s$，$T_{A}=25^{circ}C$	ID	241	mA
脉冲漏电流	$T_{p}=10mu s$	IDM	673	mA
源极电流（体二极管）		IS	120	mA

（二）热特性

参数	符号	值	单位
热阻（结到环境）	$R_{theta JA}$	245	°C/W
总功耗（$T_{A}=25^{circ}C$）	$P_{D}$	0.8	W
工作结温和存储温度范围	$T{J}$，$T{STG}$	-55 to 150	°C
焊接时引脚温度（1/8" 离外壳，10 s）	$T_{L}$	260	°C

提醒大家注意，使用时应力超过最大额定值表中列出的值可能会损坏器件。如果超过这些极限，不能保证器件的功能，可能会导致损坏并影响可靠性。

三、电气特性分析

（一）PNP BJT（Q1）

1. 截止特性

参数	符号	测试条件	最小值	典型值	最大值	单位
集电极 - 基极击穿电压	V(BR)CBO	IC = 100 μA	40			V
集电极 - 发射极击穿电压	V(BR)CEO	IC = 10 mA	30			V
发射极 - 基极击穿电压	V(BR)EBO	IE = 100 μA	5.0			V
集电极截止电流	ICBO	VCB = 25 V，IE = 0 μA			1.0	μA
发射极截止电流	IEBO	VEB = 5.0 V，IC = 0 μA			10	μA

2. 导通特性

在不同的集电极电流和集电极 - 发射极电压条件下，直流电流增益（h_FE）的范围在20 - 100之间。当I_C = 500 mA，I_B = 50 mA时，集电极 - 发射极饱和电压（V_CE(sat)）最大为0.4 V，基极 - 发射极饱和电压（V_BE(sat)）最大为1.1 V，基极 - 发射极开启电压（V_BE(on)）最大为1.0 V。

（二）N - 沟道MOSFET（Q2）

1. 截止特性

参数	符号	测试条件	最小值	典型值	最大值	单位
漏源击穿电压	V(BR)DSS	$V_{GS}=0$ V，ID = 250 μA	20			V
漏源击穿电压温度系数	$V{(BR)DSS}/T{J}$	ID = - 250 μA，参考$25^{circ}C$		19		mV/°C
零栅压漏电流	IDSS	$V{GS}=0$ V，$V{DS}=16$ V，$T_{J}=25^{circ}C$			1.0	μA
栅源泄漏电流	IGSS	$V{DS}=0$ V，$V{GS}=pm8.0$ V			±2.0	μA

2. 导通特性

栅极阈值电压（V_GS(TH)）在I_D = 250 μA时，范围是0.4 - 1.0 V。不同的栅源电压和漏极电流条件下，漏源导通电阻（R_DS(ON)）有所不同。例如，当$V_{GS}=4.5$ V，I_D = 100 mA时，典型值为0.65 Ω，最大值为1.4 Ω。

3. 电荷和电容特性

输入电容（C_ISS）在f = 1.0 MHz，$V{GS}=0$ V，$V{DS}=15$ V时，典型值为15.8 pF。还有输出电容（C_OSS）、反向传输电容（C_RSS）等参数也有相应的典型值。

4. 开关特性

在$V_{GS}=4.5$ V的条件下，开启延迟时间（t_d(ON)）为18 ns，上升时间为35 ns，关断延迟时间为201 ns，下降时间为110 ns。并且开关特性与工作结温无关，这在实际应用中是一个非常好的特性。

四、典型特性曲线参考

文档中提供了丰富的典型特性曲线，包括PNP BJT的直流电流增益与集电极电流关系、V_CE与I_C关系等，以及N - 沟道MOSFET的导通区域特性、转移特性、导通电阻与栅源电压关系等。这些曲线可以帮助工程师更好地了解器件在不同工作条件下的性能表现，从而进行更合理的电路设计。

五、封装与订购信息

（一）封装尺寸

器件采用UDFN6（1.6x1.6，0.5P）封装，文档给出了详细的封装尺寸图和各尺寸的具体范围，设计时需要根据这些尺寸进行电路板的布局和布线。

（二）订购信息

器件型号为NSM3005NZTAG，采用UDFN6（无铅）封装，包装形式为3000 / Tape & Reel。如果需要了解卷带和卷盘的规格，包括元件方向和卷带尺寸等信息，可以参考安森美半导体的卷带和卷盘包装规格手册（BRD8011/D）。

总结

总的来说，onsemi的NSM3005NZ以其集成的结构、良好的电气性能和环保特性，为便携式设备等应用提供了一个不错的解决方案。电子工程师在设计相关电路时，可以根据其参数和特性，合理选择和应用该器件。大家在实际使用过程中，有没有遇到过类似集成器件的应用挑战呢？欢迎在评论区分享。