电子说
在电子工程师的设计世界中,晶体管是不可或缺的基础元件。而 onsemi 推出的 NSS30201MR6T1G 和 SNSS30201MR6T1G 这两款 30V、3A 的低 (V_{CE(sat)}) NPN 晶体管,凭借其独特的性能和广泛的应用场景,成为了众多设计中的理想选择。下面,我们就来深入了解一下这两款晶体管。
文件下载:NSS30201MR6T1G-D.PDF
这两款晶体管属于 onsemi 的 e2PowerEdge 系列,是微型表面贴装器件。它们的显著特点是超低饱和电压 ((V_{CE(sat)})) 和高电流增益能力,专为低压、高速开关应用而设计,在需要经济高效能源控制的场合表现出色。
在诸如手机、无绳电话、个人数字助理(PDA)、计算机、打印机、数码相机和 MP3 播放器等产品中,这两款晶体管可用于 DC - DC 转换器和电源管理,帮助实现高效的能量转换和管理。
在磁盘驱动器和磁带驱动器等大容量存储产品中,它们可用于低压电机控制,确保电机的稳定运行。
在汽车安全气囊展开系统和仪表盘等应用中,也能看到它们的身影,为汽车电子系统的稳定运行提供支持。
高电流增益使得 e2PowerEdge 器件可以直接由电源管理单元(PMU)的控制输出驱动,而线性增益(Beta)则使其成为模拟放大器中的理想组件。
这两款产品为无铅器件,符合环保要求。对于无铅策略和焊接细节的更多信息,可下载 onsemi 焊接和安装技术参考手册(SOLDERRM/D)。
| 额定值 | 符号 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 集电极 - 发射极电压 | (V_{CEO}) | 30 | V |
| 集电极 - 基极电压 | (V_{CBO}) | 50 | V |
| 发射极 - 基极电压 | (V_{EBO}) | 5.0 | V |
| 集电极连续电流 | (I_{C}) | 2.0 | A |
| 集电极峰值电流 | (I_{CM}) | 3.0 | A |
| 特性 | 符号 | 详情 | 单位 |
|---|---|---|---|
| (T_{A}=25^{circ}C) 时,25°C 以上降额 | (P_{D})(注 1) | 535 4.3 | mW/°C |
| 结到环境热阻 | 234 | °C/W | |
| 25°C 以上降额 | W | ||
| 结到环境热阻 | (R_{UA})(注 2) | ||
| 热阻 | 110 50 | °C/W | |
| 总器件功耗 | (P_{Dsingle})(注 2 和 3) | ||
| 结温和储存温度范围 | (T{J}, T{stg}) | -55 至 +150 | °C |
| 特性分类 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|
| 关断特性 | 集电极 - 发射极击穿电压 ((I{C}=10mA, I{B}=0)) | 30 | V | ||
| ((I{C}=0.1 mA, I{E}=0)) | 50 | V | |||
| 集电极截止电流 ((V{CB}=30V, I{E}=0)) | μA | ||||
| ((V_{CES}=30V)) | μA | ||||
| 导通特性 | 直流电流增益(注 4) ((I{C}=1.0 mA, V{CE}=5.0 V)) | 300 | 500 | ||
| ((I{C}=0.5 A, V{CE}=5.0 V)) | |||||
| ((I{C}=0.5 A, I{B}=50 mA)) | 0.10 | 0.075 | |||
| 基极 - 发射极饱和电压(注 4) ((I{C}=1.0 A, I{B}=0.1 A)) | |||||
| (V_{BE(on)}) | |||||
| ((I{C}=100 mA, V{CE}=5.0 V, f = 100 MHz)) | 200 | 300 | MHz | ||
| (C_{obo}) | pF |
需要注意的是,产品的参数性能是在所列测试条件下给出的,如果在不同条件下运行,产品性能可能会有所不同。对于脉冲条件,脉冲宽度 ≤300 μs,占空比 ≤2%。
采用 TSOP - 6 封装(CASE 318G STYLE 6),封装尺寸为 3.00x1.50x0.90,引脚间距 0.95P。
| 器件型号 | 封装 | 包装方式 |
|---|---|---|
| NSS30201MR6T1G | TSOP - 6(无铅) | 3000 / 卷带包装 |
| SNSS30201MR6T1G | TSOP - 6(无铅) | 3000 / 卷带包装 |
对于卷带规格的详细信息,包括零件方向和卷带尺寸,可参考 onsemi 的卷带包装规格手册(BRD8011/D)。
onsemi 的 NSS30201MR6T1G 和 SNSS30201MR6T1G 低 (V_{CE(sat)}) NPN 晶体管以其卓越的性能、广泛的应用领域和可靠的质量,为电子工程师在设计低压、高速开关应用时提供了一个优秀的选择。在实际应用中,工程师们需要根据具体的设计需求,合理选择和使用这两款晶体管,以确保系统的性能和可靠性。你在使用这类晶体管时遇到过哪些问题呢?欢迎在评论区分享你的经验。
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