铠侠第十代BiCS FLASH™样品正式出货 为AI存储赛道注入核心动力

近日，铠侠（Kioxia）正式宣布，搭载第十代BiCS FLASH™ 3D闪存技术的1Tb TLC存储器件已全面启动样品出货，这款凝聚了十余年技术迭代成果的全新产品，将率先集成到铠侠面向企业级与数据中心场景的SSD产品线中，为当下高速增长的AI存储需求提供高性能、大容量、低功耗的核心硬件支撑。

作为3D NAND闪存领域的标杆性技术，BiCS FLASH™的研发脉络最早可追溯至2007年，彼时铠侠的前身东芝存储团队首次在行业内提出垂直堆叠存储单元的创新思路，打破了传统2D平面闪存的物理性能瓶颈。经过十余年持续迭代，铠侠始终坚持“向空间要容量”的技术路线，从最初24层原型验证到48层产品实现大规模商用，再到如今第十代技术落地，堆叠层数、位密度、接口速度等核心指标实现了跨越式提升，持续引领全球3D闪存的技术发展方向。

此次正式出样的第十代BiCS FLASH™，在技术架构上延续了自第八代起成熟应用的CBA（CMOS直接键合阵列）与OPS（节距选通漏极）两大核心技术，将存储单元堆叠层数大幅提升至332层，较第八代产品层数增长超50%，配合平面布局的高密度优化，最终实现位密度同比提升59%，创下行业同类型产品的密度新高。在性能层面，其NAND接口速度达到4.8Gb/s，相比第八代产品提升33%，能够完美适配AI数据中心对高速数据吞吐的严苛要求，大幅缩短大模型训练、推理过程中的数据读写等待时间。

能效表现是第十代BiCS FLASH™的另一大核心亮点。通过架构优化与工艺升级，这款新品的写入能效较前代提升18%，读取能效更是实现30%的显著改善，单颗芯片的运行功耗大幅降低。对于动辄部署数万颗SSD的AI超算数据中心而言，闪存层面的能效提升能够直接转化为整站PUE的优化，在降低电力成本的同时，也减少了散热系统的配套投入，为数据中心的绿色低碳运营提供关键支撑。

值得注意的是，铠侠在BiCS FLASH™的产品布局上采用了双轨并行的差异化策略：第九代产品侧重平衡成本与性能，面向主流大容量存储场景实现高性价比交付；第十代则聚焦极致性能与超大容量，精准匹配AI数据中心这类对存储密度、读写速度、能效都有极高要求的高端场景。目前这款第十代新品的生产工作，将在铠侠位于日本岩手县北上市的北上工厂第二制造栋完成，依托厂区内的最新先进制造设备，保障后续量产阶段的稳定交付能力。

铠侠表示，未来将继续以“用记忆让世界更有趣”为核心使命，深化全球产业生态合作，持续推进存储技术创新，为AI基础设施建设提供更可靠的核心存储产品，助力全球数字经济的高效运转与持续升级。