Onsemi NSS1C201L和NSV1C201L晶体管:高效低饱和电压的理想之选

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描述

Onsemi NSS1C201L和NSV1C201L晶体管:高效低饱和电压的理想之选

在电子设备的设计中,选择合适的晶体管对于实现高效、稳定的电路性能至关重要。今天,我们来深入了解一下Onsemi推出的NSS1C201L和NSV1C201L这两款100V、3.0A的低 $V_{CE(sat)}$ NPN晶体管,看看它们在实际应用中能为我们带来哪些优势。

文件下载:NSS1C201L-D.PDF

产品概述

Onsemi的e2PowerEdge系列低 $V{CE(sat)}$ 晶体管属于微型表面贴装器件,具有超低饱和电压 $(V{CE(sat)})$ 和高电流增益能力。这些特性使得它们非常适合用于低压、高速开关应用,尤其是在对能源控制效率和成本有较高要求的场景中。

典型应用场景

便携式和电池供电产品

在手机、无绳电话、个人数字助理(PDA)、计算机、打印机、数码相机和MP3播放器等设备中,DC - DC转换器和电源管理是关键的功能模块。NSS1C201L和NSV1C201L晶体管凭借其低饱和电压和高电流增益,能够有效降低功耗,延长电池续航时间。

存储产品

在磁盘驱动器和磁带驱动器等大容量存储产品中,低电压电机控制是必不可少的。这两款晶体管可以为电机控制提供稳定的电流和电压,确保电机的高效运行。

汽车行业

在汽车领域,NSS1C201L和NSV1C201L可用于安全气囊展开系统和仪表盘等。高电流增益使得这些器件可以直接由电源管理单元(PMU)的控制输出驱动,而线性增益(Beta)则使它们成为模拟放大器的理想组件。

产品特性

封装形式

采用SOT - 23(TO - 236)封装,这种封装形式体积小巧,适合高密度电路板设计。

环保特性

这些器件是无铅、无卤素/BFR且符合RoHS标准的,符合环保要求。

汽车应用认证

NSV前缀的产品适用于汽车和其他需要独特产地和控制变更要求的应用,并且通过了AEC - Q101认证,具备生产件批准程序(PPAP)能力。

电气特性

最大额定值

额定值 符号 最大值 单位
集电极 - 发射极电压 $V_{CEO}$ 100 Vdc
集电极 - 基极电压 $V_{CBO}$ 140 Vdc
发射极 - 基极电压 $V_{EBO}$ 7.0 Vdc
集电极连续电流 $I_{C}$ 2.0 A
集电极峰值电流 $I_{CM}$ 3.0 A

电气特性参数

特性 符号 最小值 典型值 最大值 单位
集电极 - 发射极击穿电压 $V_{(BR)CEO}$ 100 - - Vdc
集电极 - 基极击穿电压 $V_{(BR)CBO}$ 140 - - Vdc
发射极 - 基极击穿电压 $V_{(BR)EBO}$ 7.0 - - Vdc
集电极截止电流 $I_{CBO}$ - - 100 nAdc
发射极截止电流 $I_{EBO}$ - - 50 nAdc
直流电流增益 $h_{FE}$ 40($I_{C}$ = 2.0A时) 150 - 360(不同$I_{C}$值) - -
集电极 - 发射极饱和电压 $V_{CE(sat)}$ 0.030($I_{C}$ = 0.1A时) - 0.150($I_{C}$ = 2.0A时) V
基极 - 发射极饱和电压 $V_{BE(sat)}$ - - 0.950 V
基极 - 发射极导通电压 $V_{BE(on)}$ - - 0.850 V
截止频率 $f_{T}$ - 110 - MHz
输入电容 $C_{ibo}$ - 230 - pF
输出电容 $C_{obo}$ - 14 - pF

需要注意的是,产品的参数性能是在规定的测试条件下给出的,如果在不同条件下运行,实际性能可能会有所不同。

热特性

特性 符号 最大值 单位
总器件功耗 $P_{D}$(注1) 490 mW
热阻,结到环境 $R_{JA}$(注1) 255 °C/W
25°C以上降额 $P_{D}$(注2) 4.3 mW/°C
结到环境 $R_{BA}$(注2) 176 °C/W
温度范围 $T{J}$,$T{stg}$ - °C

注1:FR - 4 @ $100 mm^{2}$,1 oz. 铜走线;注2:FR - 4 @ $500 mm^{2}$,1 oz. 铜走线。

机械尺寸和引脚定义

封装尺寸

SOT - 23(TO - 236)封装的尺寸为2.90x1.30x1.00 1.90P,详细的尺寸信息可参考文档中的机械尺寸图。

引脚定义

不同的引脚样式有不同的引脚定义,例如:

  • STYLE 6:引脚1为基极,引脚2为发射极,引脚3为集电极。
  • STYLE 7:引脚1为发射极,引脚2为基极,引脚3为集电极。

总结

Onsemi的NSS1C201L和NSV1C201L晶体管以其超低饱和电压、高电流增益和丰富的特性,为电子工程师在低压、高速开关应用中提供了一个优秀的选择。无论是在便携式设备、存储产品还是汽车行业,这些晶体管都能发挥重要的作用。在实际设计中,工程师需要根据具体的应用需求,合理选择晶体管的型号和参数,以确保电路的性能和可靠性。你在设计中是否使用过类似的晶体管呢?欢迎分享你的经验和见解。

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