电子说
在电子电路设计领域,合适的晶体管对于实现高效、稳定的电路性能至关重要。今天,我们就来详细了解一下 Onsemi 的塑料中功率硅 NPN 达林顿晶体管系列,包括 BD675G、BD675AG、BD677G、BD677AG、BD679G、BD679AG 和 BD681G 等型号。
文件下载:BD675-D.PDF
这个系列的晶体管可作为互补通用放大器应用中的输出设备。它们采用塑料封装,具备中功率特性,基于硅材料的 NPN 达林顿结构设计。
高直流电流增益是该系列晶体管的一大亮点,这使得它们在放大电路中能够更有效地放大信号,提高电路的性能。
采用单片结构设计,具有更好的稳定性和可靠性,减少了外部元件的使用,简化了电路设计。
与 BD676、676A、678、678A、680、680A、682 等型号互补,方便工程师在设计电路时进行匹配和选择。
BD677、677A、679、679A 等效于 MJE 800、801、802、803,为工程师提供了更多的选择和替换方案。
这些器件是无铅的,并且符合 RoHS 标准,满足环保要求,适应现代电子产业的发展趋势。
| 额定参数 | 符号 | 值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 集电极 - 发射极电压(不同型号) | VCEO | 45、60、80、100 | Vdc |
| 集电极 - 基极电压(不同型号) | VCBO | 45、60、80、100 | Vdc |
| 发射极 - 基极电压 | VEBO | 5.0 | Vdc |
| 集电极电流 | IC | 4.0 | Adc |
| 基极电流 | IB | 1.0 | Adc |
| 总器件功耗(@TC = 25°C,25°C 以上降额) | PD | 40、0.32 | W、W/°C |
| 工作和存储结温范围 | TJ, Tstg | –55 到 +150 | °C |
需要注意的是,超过最大额定值表中列出的应力可能会损坏器件。如果超过这些限制,不能保证器件的功能,可能会发生损坏并影响可靠性。
小信号电流增益(IC = 1.5 Adc,VCE = 3.0 Vdc,f = 1.0 MHz):hfe 最小为 1.0。
热阻相关参数 ReJC 文档未给出具体值。
| 采用 TO - 225 CASE 77 - 09 封装,各引脚的功能和封装尺寸有详细规定,具体尺寸如下: | 尺寸 | 最小值(mm) | 最大值(mm) |
|---|---|---|---|
| A | 2.40 | 3.00 | |
| A1 | 1.00 | 1.50 | |
| b | 0.60 | 0.90 | |
| b2 | 0.51 | 0.88 | |
| c | 0.39 | 0.63 | |
| D | 10.60 | 11.10 | |
| E | 7.40 | 7.80 | |
| e | 2.04 | 2.54 | |
| L | 14.50 | 16.63 | |
| L1 | 1.27 | 2.54 | |
| P | 2.90 | 3.30 | |
| Q | 3.80 | 4.20 |
| 器件型号 | 包装数量 |
|---|---|
| BD681G | 500 单位/盒 |
| BD675G(已停产) | 500 单位/盒 |
| BD675AG(已停产) | 500 单位/盒 |
| BD677G(已停产) | 500 单位/盒 |
| BD677AG(已停产) | 500 单位/盒 |
| BD679G(已停产) | 500 单位/盒 |
| BD679AG(已停产) | 500 单位/盒 |
需要注意的是,部分器件已停产,不建议用于新设计。如需相关信息,请联系 Onsemi 代表,最新信息可在 www.onsemi.com 上获取。
晶体管的功率处理能力受到平均结温和二次击穿的限制。安全工作区曲线表明了晶体管的 (I{C}-V{CE}) 限制,为了可靠运行,必须遵守这些限制。在高外壳温度下,热限制会使可处理的功率低于二次击穿所施加的限制。
在实际设计中,工程师们需要根据具体的应用场景和需求,仔细考虑这些参数和限制,以确保电路的稳定性和可靠性。大家在使用这些晶体管时,有没有遇到过什么特别的问题或者有什么独特的应用经验呢?欢迎在评论区分享。
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