Kioxia与Sandisk北上Fab2工厂启动第十代3D闪存量产，锚定AI存储新赛道

近日，存储芯片领域迎来重磅里程碑：铠侠（Kioxia）与闪迪（Sandisk）联合宣布，位于日本岩手县北上市的Fab2（K2）工厂正式启动第十代3D闪存产品的量产工作。这一动作并非普通的产线更新，而是两家企业在AI存储需求井喷的行业背景下，为抢占下一代高密度存储市场话语权落下的关键一子。

这座于2025年9月正式落成的K2工厂，从规划之初就瞄准了高端先进闪存的制造需求。在本次第十代产品导入之前，工厂已经完成了第八代3D闪存的量产爬坡，面向工业级与消费级市场稳定供货。如今新产线正式启动，工厂将形成第八代与第十代两代产品并行生产的格局，且两代产品均搭载了CBA（CMOS直接键合到阵列）核心技术，在高性能、高容量、低功耗三个维度实现了全面升级。

本次量产的第十代产品BiCS10，在技术规格上实现了突破性跨越：采用332层存储单元堆叠架构，存储密度达到29Gb/mm²以上，相较上一代产品提升59%；I/O接口支持Toggle DDR6.0标准，数据传输速率最高可达4800MT/s，整体性能较前代提升约33%。在AI数据中心最为关注的功耗表现上，这款新品同样交出亮眼答卷：读取延迟降低约10%，读取能耗下降25%，写入能效提升18%，能够有效缓解大规模存储集群的能耗压力。

值得注意的是，K2工厂是铠侠与闪迪全球范围内唯一可稳定规模化产出332层BiCS FLASH的制造基地。厂房配备了适配300mm高层闪存的沉积、刻蚀、键合全套先进设备，采用减震建筑结构与AI驱动的生产管理系统，在保障良率稳定的同时大幅提升制造效率。为了最大化产线价值，两家企业还规划了差异化的产能分配策略：岩手县北上的Fab2工厂专注生产旗舰级332层BiCS10，瞄准AI数据中心等高端企业级市场；而位于三重县四日市的成熟生产基地，则继续量产218层BiCS9产品，面向消费级SSD与主流工业市场供货，既保障了高端产品的产能优先级，也依托折旧完成的成熟产线维持了大众市场的成本优势。

当前全球存储行业正经历结构性变革，AI大模型与向量数据库的爆发式增长，让高密度、高性能闪存的需求持续攀升。据行业机构预测，2025至2028财年间，全球NAND位元需求年复合增长率将达到22%，其中AI推理场景的需求年均增速更是高达46%。铠侠与闪迪此次启动第十代闪存量产，恰逢双方将合资框架延长至2034年底的关键节点，意味着这是一场跨越近十年的长期战略投入，而非短期的产能释放动作。

从行业格局来看，这次投产标志着两家企业在AI存储赛道完成了关键卡位。在三星、SK海力士等巨头纷纷布局300层以上新一代闪存的竞争中，铠侠与闪迪依托成熟的CBA技术体系，大幅缩短了新品量产爬坡周期，率先将332层产品推向规模化量产阶段。未来随着K2工厂产能的逐步释放，这款面向AI场景优化的闪存产品，将为全球数据中心提供更高效的存储支撑，也将深刻改写未来十年全球3D NAND市场的竞争格局。