Onsemi双系列肖特基势垒二极管BAS40 - 04LT1G、SBAS40 - 04LT1G深度解析

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描述

Onsemi双系列肖特基势垒二极管BAS40 - 04LT1G、SBAS40 - 04LT1G深度解析

在电子设计领域,肖特基势垒二极管凭借其独特的性能优势,在高速开关、电路保护和电压钳位等应用中发挥着关键作用。今天我们就来深入了解一下Onsemi推出的双系列肖特基势垒二极管BAS40 - 04LT1G和SBAS40 - 04LT1G。

文件下载:BAS40-04LT1-D.PDF

产品概述

BAS40 - 04LT1G和SBAS40 - 04LT1G主要用于高速开关应用、电路保护和电压钳位。其极低的正向电压能够有效降低传导损耗,而小型化的表面贴装封装,使其在空间有限的手持和便携式设备中表现出色。

产品特性

高速开关特性

这两款二极管具有极快的开关速度,这对于需要快速响应的电路来说至关重要。在高速信号处理、通信设备等应用中,能够迅速切换状态,减少信号延迟,提高系统的整体性能。大家可以思考一下,在自己的设计中,哪些场景需要这种高速开关特性呢?

低正向电压

极低的正向电压使得二极管在导通时的功耗大大降低,从而减少了传导损耗。这不仅有助于提高电路的效率,还能降低发热,延长设备的使用寿命。在追求低功耗的设计中,这一特性无疑是非常有吸引力的。

汽车级应用支持

带有“S”前缀的型号适用于汽车及其他有特殊场地和控制变更要求的应用。它们通过了AEC - Q101认证,具备PPAP能力,能够满足汽车电子等对可靠性要求极高的领域的需求。

环保特性

这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂,并且符合RoHS标准,体现了Onsemi在环保方面的努力,也满足了现代电子产品对环保的要求。

最大额定值

额定值 符号 单位
40 V
正向功率耗散 @ $T_{A}=25^{circ} C$ 225
TJ.Tstg
FM
t≤1s t ≤ 10 ms 600 mA
热阻 (注1) °C/W

需要注意的是,超过最大额定值表中列出的应力可能会损坏器件。如果超出这些限制,不能保证器件的功能正常,可能会造成损坏并影响可靠性。注1中提到了不同PCB板(FR - 4)在不同焊盘条件下的情况。

电气特性

在环境温度$T_{A}=25^{circ} C$的条件下,这些二极管具有以下电气特性: 特性 符号 最大值 单位
反向击穿电压 (R = 10 μA) V(BR)R V
总电容 $left(V_{R}=1.0 ~V, f = 1.0 MHzright)$ CT 5.0
反向泄漏 (VR = 25 V) R 1.0 μA
正向电压 VF
500 mV
正向电压 (I = 40 mA) VF V

需要注意的是,产品的参数性能是在所列测试条件下的电气特性所示,若在不同条件下运行,产品性能可能与电气特性不一致。

封装与订购信息

这两款二极管采用SOT - 23(TO - 236)封装,是无铅封装。订购信息如下: 器件 封装 包装数量
BAS40 - 04LT1G SOT - 23 (无铅) 3,000 / 卷带包装
SBAS40 - 04LT1G SOT - 23 (无铅) 3,000 / 卷带包装

若需要了解卷带包装的规格,包括零件方向和卷带尺寸等信息,请参考Onsemi的卷带包装规格手册BRD8011/D。

机械尺寸与引脚定义

文档中还提供了SOT - 23(TO - 236)封装的机械尺寸图和不同引脚样式的定义。尺寸标注和公差有相应说明,同时对引脚的定义也有多种样式,工程师在设计时需要根据具体需求选择合适的引脚样式。

Onsemi的BAS40 - 04LT1G和SBAS40 - 04LT1G肖特基势垒二极管以其出色的性能和特性,为电子工程师在高速开关、电路保护等应用中提供了可靠的选择。在实际设计中,大家可以根据具体的应用场景和需求,充分发挥这些二极管的优势,同时也要注意各项参数和规格的限制,以确保设计的可靠性和稳定性。

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