Vishay SiP32460/461/462系列负载开关:高效稳定的电源控制方案

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描述

Vishay SiP32460/461/462系列负载开关:高效稳定的电源控制方案

在电子设备的电源管理领域,负载开关扮演着至关重要的角色。Vishay Siliconix推出的SiP32460、SiP32461和SiP32462系列负载开关,以其出色的性能和紧凑的封装,为各类电子设备提供了高效稳定的电源控制解决方案。

文件下载:SIP32460EVB.pdf

产品特性

宽输入电压范围

该系列负载开关可在1.2 V至5.5 V的输入电压范围内稳定工作,适用于多种不同电源供电的系统。无论是由低电压的电池供电,还是高电压的电源模块供电,都能轻松应对。

低导通电阻

典型情况下,在3 V输入电压时,导通电阻仅为54 mΩ,有效降低了功率损耗,提高了电源效率。低电阻还能减少热量产生,有助于提升整个系统的稳定性。

压摆率控制

具备压摆率控制功能,能够有效限制浪涌电流,降低对电源和其他电路元件的冲击。特别是在系统启动时,可以避免过大的电流对电源造成损坏。

反向电流阻断

当开关断开时,具备反向电流阻断功能,防止电流在输出电压高于输入电压时回流到输入端,保护电源和其他电路元件的安全。

集成功能丰富

部分型号(如SiP32461)集成了输出放电开关,能够在设备关闭时快速放电,提高系统的安全性。此外,所有型号都在“EN”引脚集成了下拉电阻,方便与各种逻辑电路连接。

产品规格

绝对最大额定值

参数 条件 限制 单位
电源输入电压VIN(参考GND) - -0.3至6.5 V
输出电压VOUT(参考GND) - -0.3至6.5 V
输出电压VOUT(1 ms脉冲,参考GND) - -1.6 V
使能输入电压EN(参考GND) - -0.3至6.5 V
最大连续开关电流 - 1.2 A
最大脉冲开关电流(1 ms脉冲,10%占空比) - 2 A
ESD额定值(HBM) - 4000 V
热阻 - 205 °C/W
最大功耗(TA = 25 °C) - 300 mW
工作温度范围 - -40至+85 °C
工作结温 - 125 °C
储存温度范围 - -65至+150 °C

推荐工作范围

输入电压(VIN)和输出电压(VOUT)的推荐范围为1.2 V至5.5 V。

详细电气参数

  • 电源参数:静态电流IQ在VIN = 3.3 V,IOUT = 0 mA时,典型值为4.5 μA,最大值为7 μA;关断电流ISD在OUT = GND时,最小值为0.01 μA,最大值为2 μA;开关关断电流IDS(off)在EN = GND,OUT = GND时,最小值为0.01 μA,最大值为2 μA。反向阻断电流I(in)RB在不同条件下,最小值为0.01 μA,最大值为1 μA。
  • 开关电阻:导通电阻RDS(on)在不同输入电压和负载电流下有不同的值。例如,在IOUT = 500 mA,VIN = 3 V,TA = 25 °C时,典型值为54 mΩ,最大值为65 mΩ。放电开关导通电阻RPD在VIN = 1.8 V,25 °C时小于200 Ω。EN引脚下拉电阻REN在EN = 1.2 V时,最小值为1 MΩ,典型值为2.6 MΩ,最大值为5 MΩ。导通电阻温度系数TCRDS为2800 ppm/°C。
  • 开关逻辑:EN输入低电压VIL在VIN = 1.5 V时为0.4 V,EN输入高电压VIH在VIN = 5.5 V时为1 V。

开关速度

不同型号的开关速度有所差异。例如,SiP32461的开关导通延迟时间ton_DLY在RLOAD = 500 Ω,CL = 0.1 μF,VIN = 5 V时,典型值为130 μs;开关导通上升时间tr在相同条件下,典型值为170 μs。SiP32462的开关导通时间ton(包括导通延迟和上升时间)在相同条件下,典型值为7.5 μs,最大值为20 μs。开关关断延迟时间toff在RLOAD = 500 Ω,CL = 0.1 μF,(50 % VIN至90 % VOUT)时,典型值为2 μs。

引脚配置与真值表

引脚配置

引脚编号 名称 功能
A1 OUT 开关输出
A2 IN 开关输入
B1 GND 接地连接
B2 EN 开关通断控制,集成下拉电阻

真值表

EN 开关状态
1 导通
0 断开

典型应用与电路设计

典型应用场景

该系列负载开关广泛应用于智能手机、GPS和便携式媒体播放器、平板电脑、医疗和保健设备、工业和仪器仪表以及游戏机等领域。

电路设计要点

  • 输入电容:虽然输入旁路电容不是必需的,但在几乎所有应用中,建议使用4.7 μF或更大的电容作为CIN。旁路电容应尽可能靠近输入引脚放置,以有效减少输入瞬变。推荐使用陶瓷电容,因为它们能够承受便携式设备中电池等低阻抗源的输入电流浪涌。
  • 输出电容:建议在VOUT和GND之间连接一个0.1 μF的电容,以确保正常的压摆操作。通过输出MOSFET会有浪涌电流,浪涌电流的大小取决于输出电容,COUT越大,浪涌电流越高。对ESR或电容类型没有要求。
  • 使能控制:EN引脚与CMOS逻辑电压电平兼容。要完全关闭设备,需要至少0.4 V或更低的电压;要完全打开设备,需要1 V或更高的电压。EN引脚和GND引脚之间连接有一个2.6 MΩ的电阻。
  • 反向电压保护:该设备包含反向阻断电路,当禁用时(VEN小于0.4 V),当输出电压高于输入电压时,该电路可防止输出电流回流到输入。
  • 热考虑:由于设备布局和组装的物理限制,绝对最大额定值表中规定的最大开关电流为1.2 A。然而,安全工作负载电流的另一个限制因素是封装的热功率耗散。在任何应用中,最大功耗取决于最大结温TJ(max) = 125 °C、结到环境的热阻θJ - A = 205 °C / W和环境温度TA,计算公式为: [P(max)=frac{T{J(max)}-T{A}}{theta{JA}}=frac{125-T{A}}{205}] 假设环境温度为70 °C,最大功耗将限制在约268 mW。只要负载电流低于1.2 A的限制,最大连续开关电流就取决于两件事:封装功率耗散和环境温度下的RDS(on)。为避免可能对设备造成永久性损坏并保持合理的设计余量,建议仅按照绝对最大额定值表中所列,将设备的最大工作电流限制在1.2 A。

产品选型

型号 SiP32460 SiP32461 SiP32462
描述 1.2 V至5.5 V,50 mΩ,200 μs上升时间,双向关断隔离 1.2 V至5.5 V,50 mΩ,200 μs上升时间,双向关断隔离,输出放电 1.2 V至5.5 V,50 mΩ,7.5 μs上升时间,双向关断隔离
配置 单通道 单通道 单通道
压摆率时间(μs) 170 170 7.5
导通延迟时间(μs) 130 130 -
最小输入电压(V) 1.2 1.2 1.2
最大输入电压(V) 5.5 5.5 5.5
最小输入电压下的导通电阻(mΩ) 95 95 95
最大输入电压下的导通电阻(mΩ) 50 50 50
最小输入电压下的静态电流(μA) 1.2 1.2 1.2
最大输入电压下的静态电流(μA) 5.5 5.5 5.5
输出放电(是/否)
反向阻断(是/否)
连续电流(A) 1.2 1.2 1.2
封装类型 WCSP4 WCSP4 WCSP4
封装尺寸(W, L, H)(mm) 0.8 x 0.8 x 0.5 0.8 x 0.8 x 0.5 0.8 x 0.8 x 0.5
状态代码 2 2 2
产品类型 压摆率控制 压摆率控制 压摆率控制
应用领域 计算机、消费、工业、医疗、网络、便携式设备 计算机、消费、工业、医疗、网络、便携式设备 计算机、消费、工业、医疗、网络、便携式设备

总结

Vishay SiP32460、SiP32461和SiP32462系列负载开关凭借其宽输入电压范围、低导通电阻、压摆率控制、反向电流阻断等诸多特性,以及丰富的集成功能和紧凑的封装,为电子工程师在电源管理设计中提供了一个可靠、高效的解决方案。在实际应用中,根据具体的需求和电路设计要求,合理选择合适的型号,并注意电路设计中的各项要点,能够确保系统的稳定运行和性能优化。你在使用这类负载开关时遇到过什么问题呢?或者对于电源管理设计还有其他疑问,欢迎在评论区留言讨论。

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