探索 ON Semiconductor 的 SWITCHMODE™ 功率整流器：MBR2080CT、MBR2090CT 和 MBR20100CT

在电子工程领域，功率整流器是电源电路中不可或缺的关键组件。今天，我们将深入探讨 ON Semiconductor（现更名为 onsemi）推出的 MBR2080CT、MBR2090CT 和 MBR20100CT 这三款 SWITCHMODE™ 功率整流器，了解它们的特性、参数以及应用场景。

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一、产品简介

这一系列整流器采用了带有铂势垒金属的肖特基势垒原理，代表了先进的半导体技术。它们适用于需要高效功率转换的各种开关电源应用，能够为工程师提供可靠的解决方案。

二、产品特性

1. 高电流处理能力：每二极管支腿可处理高达 10A 的电流，总电流可达 20A，能够满足高功率应用的需求。
2. 低正向电压：在不同的温度和电流条件下，正向电压较低，从而降低了功率损耗，提高了效率。例如，在 (i_F = 10) 安培、(T_C = 125^{circ}C) 时，最大瞬时正向电压为 0.75V。
3. 高工作温度：具有高达 175°C 的工作结温，能够在恶劣的环境条件下稳定工作。
4. 高浪涌能力：可以承受非重复性的浪涌电流，如 IFSM 可达 150A，增强了产品的可靠性。
5. 低存储电荷：多数载流子传导机制使得存储电荷低，有利于快速开关操作。
6. 环保封装：提供无铅封装选项，符合环保要求。

三、电气参数

（一）最大额定值

额定参数	符号	MBR2080CT	MBR2090CT	MBR20100CT	单位
峰值重复反向电压、工作峰值反向电压、直流阻断电压	VRRM、VRWM、VR	80	90	100	V
平均整流正向电流（额定 (V_R)，(T_C = 133^{circ}C)）	(I_{F(AV)})	10			A
峰值重复正向电流（额定 (V_R)，方波，20kHz，(T_C = 133^{circ}C)）	IFRM	20			A
非重复性峰值浪涌电流（额定负载条件下半波、单相、60Hz 时施加浪涌）	IFSM	150A
峰值重复反向浪涌电流（2.0μs，1.0kHz）	IRRM		0.5		A
工作结温	TJ		-65 至 +175		°C
存储温度	Tstg		-65 至 +175		°C
电压变化率（额定 (V_R)）	dv/dt		10,000		V/μs

从这些参数中我们可以看出，不同型号的整流器在耐压能力上有所差异，工程师可以根据具体的应用需求来选择合适的型号。比如，如果应用场景需要承受较高的反向电压，那么 MBR20100CT 可能更合适。

（二）电气特性

1. 最大瞬时正向电压：不同的电流和温度组合下，正向电压不同。例如，在 (i_F = 20) 安培、(T_C = 25^{circ}C) 时，最大瞬时正向电压为 0.95V。
2. 最大瞬时反向电流：在额定直流电压下，不同温度时的反向电流也不同。如在额定直流电压、(T_C = 125^{circ}C) 时，最大瞬时反向电流为 6.0mA。

四、机械特性

该系列整流器采用 TO - 220AB CASE 221A 塑料封装，重量约为 1.9 克。其外部表面具有抗腐蚀能力，引脚易于焊接，焊接时引脚温度最大为 260°C，持续时间不超过 10 秒。这种封装形式便于安装和散热，适合在各种电路板上使用。

五、订购信息

器件型号	封装	发货方式
MBR2080CT	TO - 220	50 个/导轨
MBR2080CTG	TO - 220（无铅）
MBR2090CT	TO - 220	50 个/导轨
MBR2090CTG	TO - 220（无铅）
MBR20100CT	TO - 220	50 个/导轨
MBR20100CTG	TO - 220（无铅）

六、注意事项

1. 产品的热管理至关重要，产生的热量必须小于结到环境的热传导，即 (dP_D / dTJ < 1 / R{theta JA})。
2. 产品的 “典型” 参数在不同应用中可能会有所变化，所有工作参数（包括 “典型值”）都必须由客户的技术专家针对每个客户应用进行验证。
3. onsemi 的产品不设计、不打算也未获授权用于生命支持系统、FDA 3 类医疗设备或类似分类的医疗设备以及人体植入设备。如果客户将产品用于此类未经授权的应用，客户需承担相关责任。

在实际的设计过程中，你会如何根据这些特性和参数来优化你的电源电路呢？欢迎在评论区分享你的想法。

通过对 MBR2080CT、MBR2090CT 和 MBR20100CT 这三款功率整流器的详细了解，我们可以看到它们在开关电源设计中具有很大的优势。工程师们可以根据具体的应用需求，充分发挥这些整流器的特性，设计出更加高效、可靠的电源电路。