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在电子工程师的日常设计工作中,整流器是不可或缺的基础元件。今天,我们就来深入探讨一款高性能的肖特基势垒整流器——ON Semiconductor(现 onsemi)的 MBR8170TFS。
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MBR8170TFS 是一款采用 8 - FL 封装的高性能肖特基整流器。其具有较低的正向电压、较小的漏电流以及小的结电容,非常适合用于高开关频率、高密度的 DC - DC 转换应用。同时,它还具备较高的雪崩能量能力,可用于 Oring 或反向保护应用。这款整流器不仅在性能上表现出色,其 8 - FL 封装还具有出色的热性能、较小的电路板占用面积和较低的外形高度。
| 特性 | 符号 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 结到环境热阻 | RJA | 70 | °C/W |
| 结到外壳底部热阻 | RJCB | 2.4 | °C/W |
| 结到外壳顶部热特性 | JCT | 4.3 | °C/W |
| 结到阴极引脚热特性 | JLC | 2.5 | °C/W |
这些热特性参数表明,该整流器具有良好的散热性能。在实际应用中,合理的散热设计可以进一步提高其工作效率和可靠性。需要注意的是,这些参数是在假设 (600 ~mm^{2})、1 oz 铜焊盘的 FR4 电路板条件下得出的。
| 额定参数 | 符号 | 值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 峰值重复反向电压、工作峰值反向电压、直流阻断电压 | VRRM、VRWM、VR | 170 | V |
| 连续正向电流((T_{C}=162^{circ}C),直流) | (I_{F(DC)}) | 8 | A |
| 峰值重复正向电流((T_{C}=159^{circ}C),方波,占空比 = 0.5) | (I_{FRM}) | 16 | A |
| 非重复峰值浪涌电流(正弦半波,8.3 ms) | (I_{FSM}) | 140 | A |
| 非重复峰值浪涌电流(方波,1 ms) | 200 | A | |
| 非重复峰值浪涌电流(方波,100 μs) | 330 | A | |
| 非重复雪崩能量((T_{J}=25^{circ}C)) | EAS | 72 | mJ |
| 存储温度范围 | Tstg | - 65 至 + 175 | °C |
| 工作结温范围 | (T_{J}) | - 55 至 + 175 | °C |
| ESD 等级(人体模型) | 3B | ||
| ESD 等级(机器模型) | M4 |
在设计电路时,必须严格遵守这些最大额定值,否则可能会损坏器件,影响其功能和可靠性。例如,当工作电压或电流超过额定值时,整流器可能会出现过热、击穿等问题。
| 特性 | 符号 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|
| 瞬时正向电压((I{F}=4 A),(T{J}=25^{circ}C)) | VF | 0.76 | V | |
| 瞬时正向电压((I{F}=4 A),(T{J}=125^{circ}C)) | 0.61 | V | ||
| 瞬时正向电压((I{F}=8 A),(T{J}=25^{circ}C)) | 0.82 | 0.89 | V | |
| 瞬时正向电压((I{F}=8 A),(T{J}=125^{circ}C)) | 0.68 | 0.73 | V | |
| 瞬时反向电流((V{R}=)额定直流电压,(T{J}=25^{circ}C)) | IR | 0.2 | 30 | μA |
| 瞬时反向电流((V{R}=)额定直流电压,(T{J}=125^{circ}C)) | 0.3 | 2 | mA | |
| 结电容((V{R}=1 V),(T{J}=25^{circ}C),(f = 1 MHz)) | CJ | 237 | pF |
这些电气特性参数是在特定测试条件下得出的,实际应用中,如果工作条件不同,产品性能可能会有所差异。例如,正向电压会随着温度和电流的变化而变化,在设计时需要充分考虑这些因素。
由于其低正向电压降、小结电容和适应高开关频率的特性,MBR8170TFS 非常适合用于高开关频率的 DC/DC 转换器。在这类应用中,它可以提高转换效率,减少能量损耗,同时满足高频工作的要求。
与感性负载配合使用时,可作为续流二极管。当感性负载中的电流突然变化时,续流二极管可以为电流提供一个泄放路径,防止感性负载产生的反向电动势对电路造成损坏。
其较高的雪崩能量能力使其能够在 Oring 或反向保护应用中发挥重要作用。可以有效保护电路免受反向电压的冲击,提高系统的可靠性。
| 器件型号 | 封装 | 包装规格 |
|---|---|---|
| MBR8170TFSTAG | WDFN8(无铅) | 1500/卷带和卷轴,引脚 1 位于左上角 |
| MBR8170TFSTWG | WDFN8(无铅) | 5000/卷带和卷轴,引脚 1 位于左上角 |
| MBR8170TFSTBG | WDFN8(无铅) | 1500/卷带和卷轴,引脚 1 位于右上角 |
| MBR8170TFSTXG | WDFN8(无铅) | 5000/卷带和卷轴,引脚 1 位于右上角 |
关于卷带和卷轴的规格,包括零件方向和卷带尺寸等信息,可参考 ON Semiconductor 的 Tape and Reel Packaging Specification Brochure(BRD8011/D)。
如果在使用过程中遇到问题,可以通过以下方式获取技术支持:
MBR8170TFS 肖特基势垒整流器凭借其优越的性能、良好的热特性和广泛的应用场景,为电子工程师在设计高开关频率、高密度的 DC - DC 转换电路等方面提供了一个优秀的选择。在实际应用中,我们需要根据具体的电路要求,合理利用其参数和特性,以确保设计出高效、可靠的电子系统。大家在使用这款整流器的过程中,有没有遇到过什么特别的问题或者有什么独特的应用经验呢?欢迎在评论区分享交流。
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