探索 onsemi 肖特基功率整流器 MBRAF260T3G 和 NRVBAF260T3G

在电子设计的世界里，选择合适的整流器对于确保系统的高效运行至关重要。今天我们就来深入了解 onsemi 推出的两款肖特基功率整流器：MBRAF260T3G 和 NRVBAF260T3G。

文件下载：MBRAF260-D.PDF

一、器件原理与应用场景

这两款器件采用大面积金属 - 硅功率二极管的肖特基势垒原理，具有先进的外延结构、氧化物钝化和金属覆盖接触几何特征。其非常适用于低压、高频整流，或者作为表面贴装应用中的续流和极性保护二极管，尤其在对尺寸和重量要求苛刻的系统中表现出色。

大家不妨思考一下，在你的过往设计中，有没有类似对空间和重量要求严格的应用场景呢？

二、主要特性亮点

封装优势

• 低外形封装：专为空间受限的应用设计，能有效节省电路板空间。
• 矩形封装：便于自动化处理，提高生产效率。

电气稳定性

• 高度稳定的氧化物钝化结：确保器件在工作过程中的稳定性。
• 150°C 工作结温：适应较高的工作温度环境，保证性能可靠。
• 保护环设计：提供应力保护，增强器件的耐用性。

特殊前缀与认证

NRVB 前缀适用于汽车和其他有独特场地和控制变更要求的应用，并且符合 AEC - Q101 标准，具备生产件批准程序（PPAP）能力。同时，这两款器件均为无铅、无卤产品。

三、机械特性详情

外壳与重量

器件外壳采用环氧树脂模制，符合 UL 94 V - 0 标准，重量约为 95 mg。

表面处理与焊接要求

所有外表面具有抗腐蚀性，引脚易于焊接。焊接时，引脚和安装表面温度在 10 秒内最大为 260°C。此外，器件带有阴极极性带，并且满足 MSL 1 要求。在静电放电（ESD）方面，机器模型为 C，人体模型为 3B。

四、订购信息

器件型号	封装形式	包装方式
MBRAF260T3G	SMA - FL（无铅）	5000 / 盘带包装
NRVBAF260T3G	SMA - FL（无铅）	5000 / 盘带包装

关于盘带规格的详细信息，可参考 Tape and Reel Packaging Specification Brochure, BRD8011/D。

五、最大额定值

额定参数	符号	值	单位
峰值重复反向电压 工作峰值反向电压 直流阻断电压	VRRM、VRWM、VR	60	V
平均整流正向电流（在额定 VR，TL = 120°C 时）	lo	2.0	A
峰值重复正向电流（额定 VR，方波，20kHz，TL = 90°C）	FRM	4.0	A
非重复峰值浪涌电流（在额定负载条件下半波、单相、60Hz 时施加浪涌）	IFSM	60	A
存储温度范围	Tstg	- 55 至 + 150	°C
工作结温	TJ	- 55 至 + 150	°C
电压变化率（额定 VR，TJ = 25°C）	dv/dt	10,000	V/μs
可控雪崩能量（见图 6 和图 7 中的测试条件）	WAVAL	10	mJ

需要注意的是，超过最大额定值表中所列应力可能会损坏器件。如果超过这些限制，不能保证器件的功能，可能会发生损坏并影响可靠性。

六、热特性

特性	符号	值	单位
结到引脚的热阻（注 1）	RoL	2590	°C/W
结到环境的热阻（注 1）	RUA

注 1：在 FR4 板上采用 1 英寸见方的焊盘尺寸（每个引脚 1 x 0.5 英寸）。在实际设计中，热特性的考虑对于保证器件的长期稳定运行至关重要，大家在布局和散热设计时要格外注意。

七、电气特性

最大瞬时正向电压

条件	TJ = 25°C	TJ = 125°C	单位
iF = 1.0 A	0.51	0.475	V
iF = 2.0 A	0.63	0.55	V

最大瞬时反向电流

条件	TJ = 25°C	TJ = 125°C	单位
VR = 60 V	0.2	20	mA

产品的参数性能在所列测试条件下的电气特性中给出，除非另有说明。如果在不同条件下运行，电气特性可能无法反映产品性能。测试采用脉冲测试：脉冲宽度 ≤250 μs，占空比 ≤2.0%。

八、雪崩测试相关

通过图 6 所示的未钳位电感开关电路来演示该器件的可控雪崩能力。当开关操作时，电感中的电流和二极管两端的电压会发生变化，通过求解回路方程可以近似计算转移到二极管的总能量。当 VDD 电压远低于器件的击穿电压时，总能量近似等于开关闭合时线圈中存储的能量。这部分内容对于理解器件在特殊工况下的性能表现很有帮助，你在实际设计中有没有遇到过需要考虑雪崩能量的情况呢？

九、机械尺寸与标记

封装尺寸

SMA 2.60x4.30x1.00 封装，各尺寸有相应的最小、标称和最大值要求，具体可参考文档中的表格。

标记信息

标记格式为 XXXX AYWW，其中 XXXX 为特定器件代码，A 为组装地点，Y 为年份，WW 为工作周，还可能有表示无铅的标识。不过实际标记需参考器件数据手册，部分产品可能不遵循通用标记格式。

总结

onsemi 的 MBRAF260T3G 和 NRVBAF260T3G 肖特基功率整流器凭借其优异的性能、合理的封装设计以及广泛的适用性，为电子工程师在低压、高频整流等应用中提供了可靠的选择。在实际设计过程中，大家要充分考虑器件的各项参数和特性，确保其满足系统的需求。同时，要关注 onsemi 提供的相关技术文档和支持信息，为设计成功打下坚实基础。