Onsemi肖特基功率整流器MBRS2H100T3G等系列产品介绍

在电子工程师的日常设计工作中，整流器是不可或缺的元件。今天，我们要详细介绍Onsemi推出的一系列表面贴装肖特基功率整流器，包括MBRS2H100T3G、NBRS2H100NT3G、MBRA2H100T3G和NRVBA2H100NT3G。这些产品在低电压、高频开关电源等应用中表现出色，下面让我们深入了解它们的特点和性能。

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产品特性

设计与工艺特性

这些器件采用了金属 - 硅功率整流器的肖特基势垒原理，具有外延结构、氧化物钝化和金属覆盖层接触。这种设计使得它们具有高度稳定的氧化物钝化结，并且配备了用于过压保护的保护环。同时，紧凑的J形弯曲引脚封装非常适合自动化处理，方便大规模生产。

电气特性

• 低正向压降：能够有效降低功率损耗，提高电源效率。
• 适用于多种应用：带有NBR和NRVB前缀的产品适用于汽车和其他有独特场地和控制变更要求的应用，并且通过了AEC - Q101认证，具备PPAP能力。

环保特性

这些器件为无铅产品，符合RoHS标准，并且满足MSL1要求，符合环保和可靠性的设计趋势。

机械特性

封装与材料

• 外壳：采用模压环氧树脂封装，环氧树脂符合UL 94 V - 0标准（厚度为0.125英寸）。
• 重量：SMA封装约70mg，SMB封装约95mg。
• 极性标识：具有阴极极性带，方便安装时识别极性。

焊接与温度特性

• 焊接温度：为了焊接目的，引脚和安装表面温度最大为260°C，持续时间不超过10秒。
• 表面处理：所有外表面具有抗腐蚀性，引脚易于焊接。
• ESD评级：充电设备模型（CDM）大于1000V（C5类），人体模型（HBM）为3B。

产品规格

最大额定值

额定值	符号	值	单位
峰值重复反向电压、工作峰值反向电压、直流阻断电压	(V{RRM})、(V{RWM})、(V_{R})	100	V
平均整流正向电流（(T_{L}=150°C)）	(I_{O})	2.0	A
非重复峰值浪涌电流（额定负载条件下半波、单相、60Hz）	(I_{FSM})	130	A
存储温度范围	(T_{stg})	- 65至 + 175	°C
工作结温（注1）	(T_{J})	- 65至 + 175	°C

需要注意的是，超过最大额定值可能会损坏器件，影响其功能和可靠性。注1指出，产生的热量必须小于结到环境的热导率，即 (dP{D}/dT{J}<1/R_{theta JA})。

热特性

特性	符号	值	单位
结到引脚热阻（注2）	(Psi_{JCL})		°C/W
MBRA2H100T3G、NRVBA2H100NT3G		14
MBRS2H100T3G、NBRS2H100NT3G		12
结到环境热阻（注2）	(R_{UA})	75（MBRA2H100T3G、NRVBA2H100NT3G） 71（MBRS2H100T3G、NBRS2H100NT3G）	°C/W
结到环境热阻（注3）	(R_{AJA})	275（MBRA2H100T3G、NRVBA2H100NT3G） 230（MBRS2H100T3G、NBRS2H100NT3G）	°C/W

注2表明，器件安装在700平方毫米（约1平方英寸）的1盎司FR4板铜焊盘上；注3则是安装在最小推荐焊盘尺寸的1盎司FR4板上。

电气特性

特性	符号	值（(T_{J}=25°C)）	值（(T_{J}=125°C)）	单位
最大瞬时正向电压（注4，(i_{F}=2.0A)）	(v_{F})	0.79	0.65	V
最大瞬时反向电流（注4，(V_{R}=100V)）	(I_{R})	0.008	1.5	mA

注4指出，采用脉冲测试，脉冲宽度 ≤ 380μs，占空比 ≤ 2.0%。产品的参数性能是在所列测试条件下给出的，如果在不同条件下运行，性能可能会有所不同。

订购信息

器件	封装	包装数量
MBRA2H100T3G	SMA（无铅）	5,000 / 卷带包装
MBRS2H100T3G、NBRS2H100NT3G*	SMB（无铅）	2,500 / 卷带包装
NRVBA2H100NT3G*	SMA（无铅）	5,000 / 卷带包装

如果需要了解卷带规格，包括零件方向和卷带尺寸等信息，请参考Onsemi的卷带包装规格手册BRD8011/D。

总结

Onsemi的MBRS2H100T3G等系列肖特基功率整流器具有多种优良特性，在低电压、高频开关电源、续流二极管和极性保护二极管等应用中具有很大的优势。作为电子工程师，在设计相关电路时，可以根据具体的应用需求，结合这些产品的特性和规格，合理选择合适的器件。同时，在使用过程中，一定要注意最大额定值和测试条件等参数，以确保器件的正常工作和可靠性。大家在实际应用中是否遇到过类似整流器的选型问题呢？欢迎在评论区分享你的经验和见解。