控制/MCU
void Flash_Init(void)
{
// 调整flash与时钟速率之间的关系
FLASH-》ACR |= FLASH_ACR_LATENCY;
}
void Flash_Unlock(void)
{
// FLASH-》CR 的第7位为解锁的标志位或者上锁的操作位
while(FLASH-》CR & FLASH_CR_LOCK)
{
FLASH-》KEYR = FLASH_FKEY1;
FLASH-》KEYR = FLASH_FKEY2;
}
}
void Flash_Lock(void)
{
FLASH-》CR |= FLASH_CR_LOCK;
}
void Flash_Clear_All_Flag(void)
{
unsigned long flag_temp;
flag_temp = FLASH-》SR;
FLASH-》SR = flag_temp & 0x34;
}
// 因为flash是从0x08000000开始的,总共64k,每1k就是1页
// which_page_temp -- 你所清空页包含的地址(该地址在哪一页的范围就清空哪一页)
void Flash_Earse_Page(unsigned long which_page_temp)
{
FLASH-》CR |= FLASH_CR_PER;
FLASH-》AR = which_page_temp;
FLASH-》CR |= FLASH_CR_STRT;
while(FLASH-》SR & FLASH_SR_BSY); // 等待BSY清零
FLASH-》CR &= ~FLASH_CR_PER;
}
// 因为flash是从0x08000000开始的,总共64k,每1k就是1页
// 我们直接将最后一页当做一个储存空间,即储存的首地址为 (0x08000000 + 1024 * 63)
// 所以 write_dat_temp 的范围 0 -- (1024 / 4 - 1)
// Flash数据长度必须是半字节,其它长度会引起中断
// 为了配合读取的时候是整个一个字,写入的时候也写入一个字
void Flash_Write_Dat(unsigned long write_num_temp,unsigned long write_dat_temp)
{
Flash_Clear_All_Flag();
Flash_Unlock();
Flash_Earse_Page(0x08000000 + 1024 * 63);
FLASH-》CR |= FLASH_CR_PG;
*(__IO uint16_t*)(0x08000000 + 1024 * 63 + write_num_temp * 4 + 0) = (write_dat_temp & 0xffff);
*(__IO uint16_t*)(0x08000000 + 1024 * 63 + write_num_temp * 4 + 2) = ((write_dat_temp & 0xffff0000) 》》 16);
while(FLASH-》SR & FLASH_SR_BSY); // 等待BSY清零
FLASH-》CR &= ~FLASH_CR_PG;
Flash_Lock();
}
// 因为flash是从0x08000000开始的,总共64k,每1k就是1页
// 我们直接将最后一页当做一个储存空间,即储存的首地址为 (0x08000000 + 1024 * 63)
// 所以 read_num_temp 的范围 0 -- (1024 / 4 - 1)
// 读取一个地址的时候,读取的是一个字,4个字节,所以一次需要跳过四个字节
unsigned long Flash_Read(unsigned long read_num_temp)
{
unsigned long read_dat_temp;
read_dat_temp = *(__IO uint32_t *)(0x08000000 + 1024 * 63 + read_num_temp * 4);
while(FLASH-》SR & FLASH_SR_BSY); // 等待BSY清零
return read_dat_temp;
}
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