电子说
在电力电子领域,功率半导体器件的性能对整个系统的效率、可靠性和成本有着至关重要的影响。碳化硅(SiC)肖特基二极管作为新一代的功率半导体,凭借其卓越的性能,正逐渐成为工程师们的首选。今天,我们就来深入了解一下安森美(onsemi)的FFSH15120ADN - F155碳化硅肖特基二极管。
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碳化硅肖特基二极管采用了全新的技术,与传统的硅二极管相比,具有明显的优势。它没有反向恢复电流,开关特性不受温度影响,并且具备出色的热性能。这些特点使得碳化硅成为下一代功率半导体的理想选择,能够为系统带来更高的效率、更快的工作频率、更高的功率密度、更低的电磁干扰(EMI)以及更小的系统尺寸和成本。
FFSH15120ADN - F155适用于多种应用场景,包括:
| 符号 | 参数 | 值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| VRRM | 重复峰值反向电压 | 1200 | V |
| EAS | 单脉冲雪崩能量(注1) | 80 | mJ |
| IF | 连续整流正向电流(@Tc < 153°C) | 8*/15** | A |
| PTOT | 功率耗散(Tc = 25°C) | 110 | W |
| PTOT | 功率耗散(Tc = 150°C) | 19 | W |
| TJ, TSTG | 工作和存储温度范围 | -55 至 +175 | °C |
注:* 每腿,** 每器件。EAS的80 mJ基于起始TJ = 25°C,L = 0.5 mH,IAS = 18 A,V = 150 V。
| 参数 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|
| VF | IF = 8 A,TC = 25°C | 1.45 | V | ||
| VF | IF = 8 A,TC = 125°C | 1.7 | V | ||
| IR | VR = 1200 V,TC = 25°C | 200 | μA | ||
| CTT | 538 | pF |
热特性对于功率半导体器件来说至关重要,FFSH15120ADN - F155的热阻等参数能够帮助工程师更好地设计散热系统,确保器件在工作过程中保持稳定的温度。
该二极管采用TO - 247 - 3LD封装,这种封装具有良好的散热性能和机械稳定性,方便安装和使用。
| 产品编号 | 顶部标记 | 封装 | 包装方式 | 数量 |
|---|---|---|---|---|
| FFSH15120ADN - F155 | FFSH15120ADN | TO - 247 - 3LD | 管装 | 30 个 |
文档中提供了未钳位电感开关测试电路及波形,这对于工程师验证器件的性能和设计电路具有重要的参考价值。通过测试电路和波形,工程师可以更深入地了解二极管在实际工作中的表现,优化电路设计。
FFSH15120ADN - F155碳化硅肖特基二极管凭借其卓越的性能和广泛的应用领域,为电子工程师提供了一个优秀的选择。在设计电力电子系统时,工程师们可以充分利用该二极管的特性,提高系统的效率、可靠性和性能。同时,在使用过程中,也需要根据实际情况合理设计散热系统和电路,确保器件的正常运行。你在实际应用中是否使用过类似的碳化硅肖特基二极管?遇到过哪些问题呢?欢迎在评论区分享你的经验。
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