onsemi FFSP1065B - F085碳化硅肖特基二极管的设计分析

在当今的电力电子领域，碳化硅（SiC）肖特基二极管凭借其显著优势成为了热门之选。此次我们聚焦 onsemi 推出的 FFSP1065B - F085 这款 10A、650V 的碳化硅肖特基二极管，深入探讨其技术特点和应用价值，希望能为电子工程师们的设计工作带来新的启发。

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碳化硅技术优势

SiC 肖特基二极管采用全新技术，相比传统硅二极管，具有卓越的开关性能和更高的可靠性。它不存在反向恢复电流，开关特性不受温度影响，而且热性能出色，这些优势使得碳化硅成为下一代功率半导体的代表。用它进行系统设计能带来诸多利好，包括更高的效率、更快的工作频率、更高的功率密度以及更低的电磁干扰（EMI），同时还能减小系统尺寸和降低成本。大家在项目中考虑功率半导体选型时，有没有因传统二极管的性能局限而烦恼过呢？SiC 肖特基二极管或许能成为解决方案。

产品特性

电气性能

• 耐压与电流：最大重复反向峰值电压（VRRM）为 650V，在 $T{C}<139^{circ}C$ 时，连续整流正向电流可达 11A。在 $T{C}=25^{circ}C$、脉冲宽度为 10μs 的条件下，非重复峰值正向浪涌电流表现出色；$T_{C}=150^{circ}C$ 时也有相应的参数。非重复浪涌电流（F.SM）在 tp = 8.3ms 时也有特定的数值。这些参数为电路在不同工况下的稳定运行提供了保障。
• 正向电压与反向电流：正向电压（VF）在不同电流和温度条件下有不同的值。例如，$I{F}=10A$、$T{C}=25^{circ}C$ 时，VF 范围在 1.38 - 1.7V；$I{F}=10A$、$T{C}=125^{circ}C$ 时，VF 范围变为 1.6 - 2.0V。反向电流（IR）在 $V{R}=650V$、$T{C}=25^{circ}C$ 时为 40nA，$T_{C}=125^{circ}C$ 时有所增大。了解这些参数变化对于准确评估二极管在不同环境下的性能至关重要。
• 电荷特性：电荷（Qc）在不同反向电压和频率条件下也有相应的数值。如 $V_{R}=400V$、$f = 100kHz$ 时，有特定的 Qc 值。这对于那些对电荷特性有要求的电路设计很关键。

温度特性

最大结温可达 175°C，雪崩额定值为 49mJ。正向温度系数使多个二极管并联更容易实现。这种温度特性使得二极管在高温环境下也能稳定工作，大大拓宽了其适用场景。大家在高温环境的项目中，是不是特别关注器件的温度性能呢？

可靠性与环保

该器件通过了 AEC - Q101 认证且具备生产件批准程序（PPAP）能力，符合汽车级应用的可靠性要求。同时，它无铅、无卤素/无溴化阻燃剂（BFR Free），符合 RoHS 标准，满足环保设计的要求。

应用领域

这款二极管适用于多个领域，尤其在汽车领域表现突出。它可用于混合动力电动汽车（HEV - EV）的车载充电器以及 HEV - EV 的 DC - DC 转换器。在这些应用中，其高性能和高可靠性能够有效提升系统的整体性能。大家在汽车电子设计中，有没有尝试过使用碳化硅二极管呢？

封装与订购

封装信息

采用 TO - 220 - 2L 封装，这种封装常见且便于安装和散热。封装尺寸参考 JEDEC TO220（2002 年 4 月发布的 K 版本，AC 变体），所有尺寸单位为毫米，尺寸公差遵循 ASME Y14.5 - 2009 标准，且尺寸不包括毛刺、模具飞边和连接条突出部分。

订购信息

产品型号为 FFSP1065B - F085，顶部标识为 FFSP1065B，包装方式为管装，每管 50 个单元。详细的订购和运输信息可在数据手册第 2 页的封装尺寸部分查看。

总结

onsemi 的 FFSP1065B - F085 碳化硅肖特基二极管凭借其先进的碳化硅技术、出色的电气和温度特性、广泛的应用领域以及良好的封装和环保性能，为电子工程师在功率电路设计方面提供了一个优秀的选择。不过在实际应用中，大家还是要根据具体的电路需求和工作环境，对器件的各项参数进行详细的评估和验证。希望本文能为大家在使用这款二极管进行设计时提供一定的帮助。大家在实际应用中还遇到过哪些器件选型和设计的问题呢？欢迎一起交流探讨。