电子说
在功率半导体领域,碳化硅(SiC)技术正逐渐崭露头角,为电子工程师带来了全新的设计思路和解决方案。今天,我们就来深入探讨一下 onsemi 公司推出的一款碳化硅肖特基二极管——NDSH25170A。
文件下载:NDSH25170A-D.PDF
NDSH25170A 是 onsemi 旗下 EliteSiC 系列的一员,它是一款额定电流 25A、耐压 1700V 的碳化硅肖特基二极管,采用 TO - 247 - 2L 封装。与传统的硅基二极管相比,碳化硅肖特基二极管采用了全新的技术,具有卓越的开关性能和更高的可靠性。
碳化硅肖特基二极管没有反向恢复电流,其开关特性不受温度影响,并且具备出色的热性能。这使得它成为下一代功率半导体的理想选择。从系统层面来看,使用该二极管可以实现最高效率的能量转换、支持更快的工作频率、提高功率密度、降低电磁干扰(EMI),同时还能减小系统的尺寸和成本。
NDSH25170A 的应用范围广泛,主要包括以下几个方面:
| 符号 | 参数 | 值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| VRRM | 重复峰值反向电压 | 1700 | V |
| EAS | 单脉冲雪崩能量(Note 1) | 506 | mJ |
| IF(@ TC < 153°C) | 连续整流正向电流 | 25 | A |
| IF(@ TC < 135°C) | 连续整流正向电流 | 35 | A |
| IF, Max(TC = 25°C, 10s) | 非重复峰值正向浪涌电流 | 1435 | A |
| IF, Max(TC = 150°C, 10s) | 非重复峰值正向浪涌电流 | 1428 | A |
| IF,SM | 非重复正向浪涌电流(半正弦脉冲,tp = 8.3ms) | 220 | A |
| IF,RM | 重复正向浪涌电流(半正弦脉冲,tp = 8.3ms) | 66 | A |
| Ptot(TC = 25°C) | 功率耗散 | 385 | W |
| Ptot(TC = 150°C) | 功率耗散 | 64 | W |
| TJ, TSTG | 工作和存储温度范围 | -55 至 +175 | °C |
需要注意的是,超过最大额定值表中列出的应力可能会损坏器件。
热阻相关参数 RUC 为 0.39,这对于评估器件的散热性能至关重要。
在 (T{J}=25^{circ}C) 时,当 (I{F}=25A) , (V{F}) 为 1.50V;当 (V{R}=1700V) , (T_{J}=175^{circ}C) 时,反向电流为 100µA。产品的参数性能在规定的测试条件下由电气特性表示,但在不同条件下运行时,性能可能会有所不同。
该二极管采用 TO - 247 - 2LD 封装,文档中详细给出了封装的尺寸信息,包括各部分的最大和最小值,这对于 PCB 布局设计非常重要。
| 部件编号 | 顶部标记 | 封装 | 包装 |
|---|---|---|---|
| NDSH25170A | NDSH25170A | TO - 247 - 2LD(无铅/无卤) | 30 个/管 |
文档中提供了一系列典型特性曲线,如正向特性、反向特性、电流降额、功率降额、电容电荷与反向电压关系、电容与反向电压关系、电容存储能量以及结到壳的瞬态热响应曲线等。这些曲线对于工程师在实际设计中评估器件在不同工况下的性能非常有帮助。
作为电子工程师,在设计功率电路时,NDSH25170A 这类碳化硅肖特基二极管为我们提供了一个高性能、高可靠性的选择。但在实际应用中,我们还需要根据具体的电路要求,综合考虑器件的各项参数和特性,充分发挥其优势,同时也要注意避免超过其额定值,以确保系统的稳定运行。大家在使用这款二极管的过程中,有没有遇到过什么特别的问题或者有什么独特的应用经验呢?欢迎在评论区分享交流。
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