onsemi碳化硅MOSFET NTH4L028N170M1：高性能与可靠性的完美结合

在电子工程领域，功率半导体器件的性能和可靠性对整个系统的运行起着至关重要的作用。今天，我们将深入探讨 onsemi 推出的一款碳化硅（SiC）MOSFET——NTH4L028N170M1，它在诸多方面展现出了卓越的特性，为工程师们提供了强大的设计选择。

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产品特性亮点

低导通电阻与低门极电荷

NTH4L028N170M1 在 (V{GS}=20V) 时，典型导通电阻 (R{DS(on)}) 仅为 28mΩ，这一特性使得在导通状态下的功率损耗大幅降低，提高了系统的效率。同时，其超低温门极电荷 (Q_{G(tot)}) 仅为 200nC，这有助于降低驱动功率，实现更快的开关速度。大家在实际应用中，有没有遇到过低门极电荷带来的明显优势呢？

高速开关与低电容

该 MOSFET 具备高速开关能力，且输出电容 (C_{oss}) 低至 200pF。低电容特性使得开关过程中的能量损耗减少，进一步提高了开关速度和效率。而且，它经过了 100% 雪崩测试，这意味着它在面对雪崩能量冲击时具有更高的可靠性。

环保合规

NTH4L028N170M1 是无铅产品，并且符合 RoHS 标准，这符合当今电子行业对环保的要求，工程师们在设计时无需担心环保合规问题。

典型应用场景

这款 MOSFET 适用于多种应用场景，包括不间断电源（UPS）、DC - DC 转换器和升压转换器等。在这些应用中，其高性能特性能够充分发挥作用，提高系统的整体性能和稳定性。

关键参数解读

最大额定值

参数	符号	值	单位
漏源电压	(V_{DSS})	1700	V
栅源电压	(V_{GS})	-15/+25	V
推荐的栅源电压工作值（ (T_{C}<175^{circ}C) ）	(V_{GSop})	-5/+20	V
连续漏极电流（ (T_{C}=25^{circ}C) ）	(I_{D})	81	A
功率耗散（ (T_{C}=25^{circ}C) ）	(P_{D})	535	W
连续漏极电流（ (T_{C}=100^{circ}C) ）	(I_{D})	57	A
功率耗散（ (T_{C}=100^{circ}C) ）	(P_{D})	267	W
脉冲漏极电流（ (T_{C}=25^{circ}C) ）	(I_{DM})	363	A
工作结温和存储温度范围	(T{J},T{stg})	-55 至 +175	(^{circ}C)
源极电流（体二极管）	(I_{S})	124	A
单脉冲漏源雪崩能量（ (I_{L(pk)} = 30A) ， (L = 1mH) ）	(E_{AS})	450	mJ
焊接时的最大引线温度（距外壳 1/8 英寸，5s）	(T_{L})	300	(^{circ}C)

需要注意的是，超过最大额定值可能会损坏器件，影响其功能和可靠性。而且，整个应用环境会影响热阻数值，这些数值并非恒定不变，仅在特定条件下有效。

电气特性

在 (T{J}=25^{circ}C) 时，该 MOSFET 的电气特性表现出色。例如，漏源击穿电压 (V{(BR)DSS}) 为 1700V，零栅压漏极电流 (I{loss}) 在 (V{GS}=0V) ， (V{DS}=1700V) 时最大为 100μA。在导通特性方面，当 (V{GS}=20V) ， (I{D}=60A) ， (T{J}=175^{circ}C) 时，漏源导通电阻最大为 40mΩ。

封装与订购信息

NTH4L028N170M1 采用 TO - 247 - 4L 封装，这种封装具有良好的散热性能和机械稳定性。订购时，每管包含 30 个器件。

总结

onsemi 的 NTH4L028N170M1 碳化硅 MOSFET 凭借其低导通电阻、低门极电荷、高速开关和高可靠性等特性，在功率半导体领域具有显著的优势。它适用于多种应用场景，能够满足工程师们对高性能和可靠性的需求。在实际设计中，工程师们需要根据具体的应用要求，合理选择和使用该器件，以充分发挥其性能优势。大家在使用类似的 MOSFET 器件时，有没有遇到过什么挑战或者有什么独特的经验呢？欢迎在评论区分享。