onsemi碳化硅MOSFET NVT2012N065M3S:高性能与可靠性的完美结合

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onsemi碳化硅MOSFET NVT2012N065M3S:高性能与可靠性的完美结合

在电子工程领域,功率半导体器件的性能和可靠性至关重要。onsemi的NVT2012N065M3S碳化硅(SiC)MOSFET,以其卓越的特性和广泛的应用范围,成为了工程师们在设计中的理想选择。下面我们就来详细了解一下这款器件。

文件下载:NVT2012N065M3S-D.PDF

一、产品概述

NVT2012N065M3S是一款650V的N沟道MOSFET,采用T2PAK-7L封装。它属于EliteSiC系列,典型导通电阻(RDS(on))在VGS = 18V时为12.7mΩ,具备低有效输出电容、超低栅极电荷等特性,并且经过了100%的UIS测试,符合AECQ101标准,同时还满足RoHS合规要求。

二、产品特性

(一)低导通电阻

典型的RDS(on)仅为12.7mΩ(@VGS = 18V),这意味着在导通状态下,器件的功率损耗较低,能够有效提高系统的效率。低导通电阻可以减少发热,延长器件的使用寿命,对于长期稳定运行的系统来说至关重要。大家在实际设计中,是否考虑过如何充分利用低导通电阻来优化系统性能呢?

(二)出色的电容和电荷特性

它具有低有效输出电容和超低栅极电荷。低输出电容可以降低开关过程中的能量损耗,提高开关速度;而超低栅极电荷则使得驱动电路的功耗降低,简化了驱动电路的设计。在高频应用中,这些特性能够显著提升系统的性能。

(三)高可靠性测试

经过100%的UIS(非钳位感性开关)测试,这表明该器件在感性负载应用中具有良好的可靠性,能够承受较大的电压和电流冲击。同时,它还符合AECQ101标准,适用于汽车等对可靠性要求极高的应用场景。在汽车电子设计中,如何确保器件的可靠性是一个关键问题,这款器件的这些特性无疑为工程师们提供了有力的保障。

三、应用领域

(一)汽车充电系统

适用于汽车的车载和非车载充电器。在电动汽车的快速发展过程中,高效的充电系统是关键。该MOSFET的低损耗和高可靠性特性,能够提高充电效率,缩短充电时间,为电动汽车的普及提供支持。

(二)汽车DC - DC转换器

对于EV - HEV(电动汽车 - 混合动力汽车)的DC - DC转换器,该器件能够稳定地实现电压转换,满足汽车电子系统对不同电压的需求。在设计汽车DC - DC转换器时,如何选择合适的器件来保证系统的稳定性和效率,是工程师们需要重点考虑的问题。

四、电气参数

(一)最大额定值

参数 条件 单位
VDSS - 650 V
VGS - - -
ID,$T_{C}=25^{circ}C$ - 112 A
Power Dissipation(PD) - 429 W
Pulsed Drain Current(IDM) $T{C}=25^{circ}C$,$t{p}=100 mu s$ 237 A
Pulsed Source - Drain Current(ISM) $t_{p}=100 mu s$ 259 -
EAS $(I_{LPK}=72 ~A, ~L = 0.1 mH)$ - mJ
TJ,Tstg - -55 to - -

需要注意的是,应力超过最大额定值可能会损坏器件,影响其功能和可靠性。在实际应用中,我们必须严格按照器件的额定参数进行设计,避免出现过压、过流等情况。

(二)推荐工作条件

推荐的栅源电压(VGSop)为 - 3/+18V。在这个范围内工作,器件能够正常发挥其性能。超出推荐工作范围的长时间应力暴露可能会影响器件的可靠性。那么在实际设计中,如何确保器件始终工作在推荐工作条件下呢?这就需要我们对电路进行合理的设计和保护。

(三)电气特性

包括关断特性、导通特性、电荷及电容特性、开关特性等。例如,关断特性中的漏源击穿电压(V(BR)DSS)在VGS = 0V,ID = 1mA,TJ = 25 °C时为650V;导通特性中的栅极阈值电压(VGS(TH))在$V{DS}=10 ~V,I{D}=40 ~A$时为2.0 - 4.0V。这些电气特性为我们在电路设计中提供了重要的参考依据。

五、热特性

器件的热阻(RθJC)为0.35。需要注意的是,整个应用环境会影响热阻的值,热阻不是一个常数,仅在特定条件下有效。在设计散热方案时,我们需要充分考虑应用环境对热阻的影响,以确保器件能够在合适的温度范围内工作。

六、机械尺寸和封装

采用T2PAK - 7L封装,详细的机械尺寸在文档中有明确给出。合适的封装不仅影响器件的安装和散热,还会影响整个系统的布局。在设计 PCB时,我们需要根据器件的封装尺寸进行合理的布局,以确保器件的正常安装和使用。同时,参考推荐的安装脚印(Recommended Mounting Footprint),可以提高设计的准确性和可靠性。

七、总结

onsemi的NVT2012N065M3S碳化硅MOSFET以其优异的性能、广泛的应用范围和高可靠性,为电子工程师们在设计汽车充电器、DC - DC转换器等应用时提供了一个优秀的选择。在实际应用中,我们需要充分了解器件的各项特性和参数,合理进行电路设计和散热设计,以确保系统的性能和可靠性。大家在使用这款器件的过程中,有遇到过哪些问题呢?欢迎一起交流探讨。

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