利用PowerSI的电源完整性仿真案例(2)

描述

在上一期中,我们介绍了噪声耦合分析(Noise Coupling Analysis)的基础工作流。本期我们将继续利用PowerSI仿真平台,基于官方样例模型(psi_brd_PDS design_Decap_stage1.spd 与 stage2.spd),通过多阶段的仿真对比,量化分析去耦电容布局对电源分配网络(PDN)谐振特性的影响,进而确立科学的电容优化设计准则。

stage1仿真与结果

这里用到的模型是官方样例psi_brd_PDSdesign_Decap_stage1.spd,该模型相较于无电容(NoCaps)模型,已在特定位置(白圈标注处)预置了去耦电容。

电源完整性

器件参数核查:通过Setup > Component Manager 可查阅器件属性,以右上角4颗电容为例,具体容值分别为:220pF(2颗)、180pF(1颗)及330pF(1颗)。

选择工作流,切换至噪声耦合分析,进行仿真。

电源完整性

点击Show Peak > Play > (等待动画结束)Show Peak,仿真结果如下图

电源完整性

在结果界面,利用Show Peak 动画功能捕捉电压峰值分布,得到关键数据:在600MHz频率下,3D电压分布显示最大峰值电压为 89.66 mV;在1MHz低频段,峰值电压为 311.3 mV。

切换至2D视图(频域曲线图):

电源完整性

在左下角Loaded Curves中,导入之前的Nocaps的仿真结果(2D视图),可以得到对比结果:

电源完整性

可以看到纹波位置发生了改变,分别位于110MHz和461MHz,第一谐振峰值为0.06,第二谐振峰值降低至0.16。

stage2 仿真与结果

为了验证电容布局的优化效果,引入psi_brd_PDSdesign_Decap_stage2.spd 模型进行对比分析。Stage 2模型在Stage 1的基础上,进一步在右下角和左上角(白圈标注处)增加了新的去耦电容,共8个。

导入psi_brd_PDSdesign_Decap_stage2.spd

电源完整性

切换工作流至噪声耦合分析,再开始仿真。

电源完整性

Show Peak > Play > (等待动画结束)Show Peak,仿真结果如下图:

电源完整性

导入之前的Nocaps和stage1仿真结果(2D视图)作对比,发现峰值电压由最高的440mV、310mV降低到现在的115mV。

切换至2D曲线图并且导入之前的Nocaps和stage1曲线图,结果如图:5mV

电源完整性

可以看到第一谐振降低至0.05,位于167MHz;第二谐振点为0.13,位于565MHz。

对比结果

3D空间分布对比:

NoCaps模型:峰值电压高达 440 mV。

Stage 1模型:峰值电压降至 311 mV。虽然较基准有显著改善,但局部区域仍存在明显纹波。

Stage 2模型:峰值电压进一步大幅降低至 115 mV。

结论:增加电容数量并优化布局能有效抑制电源平面上的电压波动,显著降低谐振能量。

2D频域响应特性分析:

通过加载不同阶段的仿真曲线(Loaded Curves),可观察到频域特性的具体演变:

谐振峰位移:引入电容后,第一谐振峰频率发生偏移(由低频段向高频段移动),且幅值显著衰减。

Stage 1频域表现:第一谐振峰值为 0.06(约110MHz),第二谐振峰值为 0.16(约461MHz)。

Stage 2频域表现:第一谐振峰值进一步降低至 0.05 (167MHz),第二谐振峰值为 0.13(565MHz)。

结论

结果表明,科学的去耦电容布局不仅能降低特定频率点的电压纹波,更能通过改变谐振模态,全面提升电源分配网络的高频性能。在实际工程设计中,通过仿真手段,可对谐振热点区域进行针对性的电容补强。

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