安森美FGH4L50T65MQDC50 IGBT：高效能解决方案

在电力电子设计领域，IGBT（绝缘栅双极型晶体管）一直是关键元件，其性能直接影响到整个系统的效率和稳定性。今天，我们就来深入了解安森美（onsemi）推出的一款IGBT——FGH4L50T65MQDC50。

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产品概述

FGH4L50T65MQDC50采用了创新的第四代场截止IGBT技术和1.5代SiC肖特基二极管技术，并封装在TO - 247 4引脚封装中。这一组合使其在各种应用中都能实现低导通损耗和开关损耗，从而达到高效运行，尤其适用于图腾柱无桥PFC和逆变器应用。

产品特性

易于并联操作

具有正温度系数，这一特性使得多个IGBT并联时能够实现均匀的电流分配，避免因局部过热导致的元件损坏，从而提高系统的可靠性和稳定性。你在设计多管并联电路时，是否会优先考虑具有正温度系数的元件呢？

高电流能力

这款IGBT具备高电流承载能力，并且100%的产品都经过了(I_{LM})测试，确保了每一个元件都能在规定的电流范围内稳定工作。在实际应用中，你是否遇到过因为元件电流能力不足而导致的系统故障呢？

平滑优化的开关性能

能够实现平滑的开关转换，减少开关过程中的电压和电流尖峰，降低电磁干扰（EMI）。这对于对EMI要求严格的应用场景来说至关重要。

低饱和电压

在(I{C}=50 A)的条件下，典型饱和电压(V{CE(Sat)}=1.45 V)，低饱和电压意味着更低的导通损耗，提高了系统的效率。

无反向恢复和无正向恢复

这一特性减少了开关过程中的能量损耗和发热，提高了系统的效率和可靠性。

紧密的参数分布

保证了产品的一致性，使得在大规模生产中能够更容易地进行电路设计和调试。

符合RoHS标准

符合环保要求，满足全球市场对于电子产品环保性的需求。

应用领域

充电设施

适用于电动汽车充电 station （EVSE），能够提高充电效率，减少充电时间。

不间断电源和储能系统

在UPS和ESS中，能够保证系统的稳定运行，提高能源利用效率。

太阳能逆变器

在太阳能发电系统中，能够将直流电转换为交流电，提高太阳能的利用效率。

PFC和转换器

在功率因数校正和电源转换应用中，能够提高系统的功率因数和效率。

技术参数

最大额定值

参数	符号	值	单位
集电极 - 发射极电压	(BV_{CES})	650	V
集电极电流	(I_{C})	50	A
脉冲集电极电流	(I_{CM})	200	A
二极管正向电流	(I_{F})	60	A
功率损耗	(P_{D})	(T_{C}=25^{circ}C)时为246	W

电气特性

特性	测试条件	符号	典型值	最大值	单位
栅 - 发射极阈值电压	(V{GE}=V{CE}, I_{C}=50 mA)	(V_{GE(th)})	3.0 - 4.5 - 6.0	-	V
集电极 - 发射极饱和电压	(V{GE}=15 V, I{C}=50 A, T_{J}=25^{circ}C)	(V_{CE(sat)})	-	1.45 - 1.8	V
(V{GE}=15 V, I{C}=50 A, T_{J}=175^{circ}C)	-	1.65	-	V
输入电容	(V{CE}=30 V, V{GE}=0 V, f = 1 MHz)	(C_{ies})	-	3340	-	pF
输出电容	-	(C_{oes})	-	630	-	pF
反向传输电容	-	(C_{res})	-	10	-	pF
栅极总电荷	(V{CE}=400 V, I{C}=50 A, V_{GE}=15 V)	(Q_{g})	-	102	-	nC
栅 - 发射极电荷	-	(Q_{ge})	-	19	-	nC
栅 - 集电极电荷	-	(Q_{gc})	-	25	-	nC

开关特性

特性	测试条件	符号	值	单位
导通延迟时间	(I{C}=25 A, R{G}=15 Omega)	(t_{d(on)})	24 - 26	ns
上升时间	-	(t_{r})	-	-	-
关断延迟时间	-	(t_{d(off)})	197 - 186	ns
下降时间	-	(t_{f})	-	-	-
导通开关损耗	(T{J}=25^{circ}C, V{CC}=400V, V_{GE}=15 V)，感性负载	(E_{on})	-	-	mJ
关断开关损耗	-	(E_{off})	-	-	mJ
总开关损耗	-	(E_{ts})	1.13 - 1.71	mJ

二极管特性

特性	测试条件	典型值	单位
二极管正向电压	(I{F}=50 A, T{J}=175^{circ}C)	1.83	V
结电容	(V{R}=600 V, f = 1 MHz, T{J}=25^{circ}C)	210	pF

封装信息

采用TO - 247 - 4LD封装，引脚连接包括E1（Kelvin发射极）和E2（功率发射极）。这种封装具有良好的散热性能和电气性能，方便在电路板上进行安装和布局。

总结

安森美FGH4L50T65MQDC50 IGBT凭借其先进的技术、出色的性能和广泛的应用领域，为电子工程师提供了一个高效、可靠的解决方案。在实际设计中，我们可以根据具体的应用需求和电路要求，合理选择和使用这款IGBT，以实现系统的优化和性能提升。你在实际项目中，是否使用过类似的IGBT产品呢？欢迎在评论区分享你的经验和见解。