电子说
在汽车电子领域,功率MOSFET模块的性能对于实现高效、可靠的电力转换至关重要。今天我们来深入探讨安森美(onsemi)的汽车功率MOSFET模块NXV08H350XT1,看看它有哪些独特的特性和优势。
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NXV08H350XT1是一款专为汽车应用设计的2相MOSFET模块,在客户端,通过组合2相输出功率端子,该模块可用作半桥MOSFET模块。它具有电气隔离的DBC基板,可实现低Rthjc(结到壳热阻),紧凑的设计有助于降低模块总电阻。此外,模块支持序列化,可实现完全可追溯性,并且符合AQG324标准,内部组件分别符合AEC Q101(MOSFET)和AEC Q200(无源元件)标准,还符合UL 94 V - 0阻燃等级要求,是无铅且符合RoHS指令的产品。
NXV08H350XT1主要应用于48V逆变器和48V牵引系统。在这些应用中,它能够充分发挥其高效、可靠的特性,为汽车的电力转换和驱动提供有力支持。
| 符号 | 参数 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| VDS(Q1~Q4) | 漏源电压 | 80 | V |
| VGS(Q1 - Q4) | 栅源电压 | +20 | V |
| EAS(Q1 - Q4) | 单脉冲雪崩能量(注1) | 1946 | mJ |
注1:起始温度 (T{J}=25^{circ} C), (L = 0.47 mH), (I{AS}=91 A), (V{DD}=72 V), (V{DD}=0 V) 。
| 这里包含了漏源击穿电压等参数,不同的MOSFET(Q1 - Q4)因测量路径不同,其Rdson(导通电阻)值有所差异。其中,Q3和Q4(低端FET)的Rdson测量路径最短,在简单功率损耗计算时,可以使用Q3或Q4的Rdson值作为每个开关的Rdson值。 电阻测量方法如下表所示: | + Force Pin# | − Force Pin# | + Sense Pin# | − Sense Pin# | |
|---|---|---|---|---|---|
| FET Rdson Q1 | B1+ | Phase1 | B1+ Sense | Q1 Source Sense | |
| FET Rdson Q2 | B2+ | Phase2 | B2+ Sense | Q2 Source Sense | |
| FET Rdson Q3 | Phase1 | GND | Q1 Source Sense | Q3 Source Sense | |
| FET Rdson Q4 | Phase2 | GND | Q2 Source Sense | Q4 Source Sense | |
| Module Rdson Q1 | B1+ | Phase1 | B1+ | Phase1 | |
| Module Rdson Q2 | B2+ | Phase2 | B2+ | Phase2 | |
| Module Rdson Q3 | Phase1 | GND | Phase1 | GND | |
| Module Rdson Q4 | Phase2 | GND | Phase2 | GND |
| 参数 | 条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|
| 电压 | 电流 = 1 mA,温度 = 25 ° C | 7.5 | - | 12 | V |
| 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 | |
|---|---|---|---|---|---|
| Rthjc :结到壳热阻,单逆变器FET | Q1, Q2, Q3, Q4热阻J - C | - | - | 0.21 | ° C/W |
| 测试 | 测试条件 | 测试时间 | 最小值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|
| 隔离电压泄漏(Hi - Pot) | VAC 3kV | 时间1s | - | 250 | μA |
包括输入电容、输出电容、反向传输电容、栅极电阻、总栅极电荷、开关时间等参数。这些参数对于评估模块在高速开关应用中的性能至关重要。例如,开关时间越短,模块的开关损耗就越小,效率也就越高。
包含反向恢复时间和反向恢复电荷等参数,这些参数影响着模块在反向电压下的性能。
| 参数 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|
| 器件平整度 | 参考封装尺寸 | 0 | - | 150 | μm |
| 安装扭矩 | 安装螺丝:M3,推荐 | 0.4 | 0.7 | 1.4 | N•m |
| 重量 | - | - | 23.6 | - | g |
该模块采用APM17 - MDC封装,文档中详细给出了各尺寸的最小值、标称值和最大值,设计人员在进行电路板布局时需要参考这些尺寸信息,确保模块能够正确安装和使用。
NXV08H350XT1功率MOSFET模块凭借其丰富的特性和出色的性能,在汽车48V逆变器和牵引系统等应用中具有很大的优势。对于电子工程师来说,在设计过程中需要充分考虑其各项参数和特性,合理布局电路板,优化散热设计,以确保模块能够发挥出最佳性能。同时,我们也可以思考,随着汽车电子技术的不断发展,对于功率MOSFET模块的性能要求也会越来越高,未来的产品在哪些方面还可以进一步改进和提升呢?欢迎大家在评论区留言讨论。
希望这篇文章能够帮助大家更好地了解NXV08H350XT1模块,在实际设计中有所参考。如果你在使用过程中有任何问题或经验,也欢迎与我分享。
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