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在电子工程师的日常工作中,为牵引逆变器选择合适的功率模块是一项关键任务。今天,我们就来深入了解一下onsemi推出的NVXR22S90M2SPB碳化硅模块,看看它有哪些独特的优势。
文件下载:NVXR22S90M2SPB-D.PDF
NVXR22S90M2SPB是EliteSiC牵引逆变器功率模块系列的一员,属于高移动性复合半导体产品家族。它能够在相似且高度兼容的封装解决方案中,提供更高的性能、更好的效率以及更高的功率密度。该模块采用6 - 封装配置集成了900V SiC MOSFET,为了便于组装并提高可靠性,信号端子采用了新一代压配引脚,同时在基板中集成了优化的针翅式散热器。此外,为了增强可靠性和热性能,芯片连接应用了烧结技术,并且该模块的设计符合AQG324汽车标准。
该模块为无铅产品,并且符合RoHS标准,体现了环保理念,也满足了相关的环保法规要求。
NVXR22S90M2SPB主要应用于混合动力和电动汽车的牵引逆变器。随着电动汽车市场的不断发展,对高性能、高效率的牵引逆变器需求也日益增长,这款模块正好能够满足这一需求。
| 引脚编号 | 引脚功能描述 |
|---|---|
| P1, P2, P3 | 正电源端子 |
| N1, N2, N3 | 负电源端子 |
| 1 | 相1输出 |
| 2 | 相2输出 |
| 3 | 相3输出 |
| G1 - G6 | SiC MOSFET栅极 |
| S1 - S6 | SiC MOSFET源极/栅极返回 |
| D1 - D6 | SiC MOSFET漏极感应 |
| T11, T12 | 相1温度传感器输出 |
| T21, T22 | 相2温度传感器输出 |
| T31, T32 | 相3温度传感器输出 |
| 符号 | 参数 | 额定值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| VDS | 漏源电压 | 900 | V |
| VGS | 栅源电压 | +22/ - 8 | V |
| IDS | 连续直流漏极电流((V{GS} = 18V),(T{vj}= 175^{circ}C),(T_{F}= 65^{circ}C) @ 10LPM) | 510 | A |
| IDS.pulsed | 脉冲漏极电流((V{GS} = 18V),受(T{vj.Max})限制) | 1020 | A |
| ISD.BD | 连续直流体二极管电流((V{GS} = - 5V),(T{vj}= 175^{circ}C),(T_{F}= 65^{circ}C) @ 10LPM) | 230 | A |
| ISD.pulsed | 脉冲体二极管电流((V{GS} = - 5V),受(T{vj.Max})限制) | 1020 | A |
| Ptot | 总功率耗散((T{vj.Max}= 175^{circ}C),(T{F}= 65^{circ}C)) | 900 | W |
在不同的条件下,MOSFET具有不同的特性参数,例如在(V{GS} = 18V),(I{D} = 510A),(T{vj}= 25^{circ}C)时,漏源导通电阻(R{DS(ON)})典型值为2.20mΩ;在(T_{vj}= 175^{circ}C)时,典型值为3.10mΩ。这些参数对于评估MOSFET的性能至关重要,大家在设计电路时,会如何根据这些参数进行优化呢?
体二极管的正向电压、反向恢复电荷等参数也会影响模块的性能。在不同的温度和电流变化率条件下,这些参数会有所不同。
NTC传感器用于监测温度,其额定电阻、温度系数等参数在不同的温度条件下也有相应的变化。
FET结到流体的热阻(R_{th,J - F})在测试条件为10L/min,65°C,50/50 EGW时,典型值为0.12°C/W,最大值为0.131°C/W。良好的热特性对于保证模块的正常运行至关重要。
文档中还给出了一系列典型特性曲线,如输出特性曲线、归一化导通电阻与漏极电流的关系曲线、归一化导通电阻与温度的关系曲线等。这些曲线能够帮助工程师更好地了解模块在不同工作条件下的性能表现,为电路设计提供参考。
该模块采用SSDC39封装,尺寸为154.50x92.00x15.80。其标记信息包含特定器件代码、组装与测试地点代码以及年份和工作周代码等。
onsemi的NVXR22S90M2SPB碳化硅模块在性能、可靠性、散热等方面都表现出色,适用于混合动力和电动汽车的牵引逆变器应用。电子工程师在进行牵引逆变器设计时,可以充分考虑这款模块的优势,结合实际需求进行合理选型和设计。同时,在使用过程中,要严格按照其电气参数和使用条件进行操作,确保模块的正常运行。大家在实际项目中,是否使用过类似的碳化硅模块呢?使用过程中有哪些经验和问题可以分享呢?
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