可实现极低的导通电阻和栅极电荷的N型550V功率MOSFET-SSx55R160F

功率MOSFET是靠电压控制开关的器件‌，栅极加电压形成沟道让电流通过，不加电压就关断，就像用水龙头控制水流一样。‌‌栅极和源极之间加电压UGS，当UGS超过阈值电压UT时，栅极下方的P型半导体表面反型形成N型导电沟道，漏极和源极之间就导通了。栅极和源极之间有绝缘层隔开，基本不消耗电流，所以驱动功率很小。‌‌‌‌

功率MOSFET采用垂直导电结构（VMOS/VDMOS），电流从顶部源极垂直流向底部漏极，通过增大导电截面积来提高耐压和电流能力，一个器件由成千上万个小MOSFET并联集成。‌‌

功率MOSFET-SSx55R160F

工采电子代理的SSx55R160F系列是一款采用先进超结技术的功率MOSFET，可实现极低的导通电阻和栅极电荷。通过运用优化的电荷耦合技术，该器件能显著提升能效；其设计重点在于较大限度降低导通损耗，并针对极端开关性能需求进行优化以减少开关损耗；专为高功率密度应用场景打造，完全符合较高能效标准要求。

此外，我们的碳化硅功率MOSFET具有高可靠性和极高的效率，其开发旨在提升终端应用的性能表现，特别是在工作频率、能效、可靠性以及系统尺寸和重量的缩减方面。

关键优势：

‌更低导通损耗‌：RDS(on)大幅降低，提升效率‌。

‌更快开关速度‌：栅极电荷（Qg）和寄生电容更小，适合高频应用（如LLC、PFC拓扑）‌。

‌更高功率密度‌：芯片面积更小，散热更优，适用于紧凑型设计（如快充、适配器）。

‌更强高温稳定性‌：内阻温度系数更平缓，重载高温下性能更稳定‌。

须知：

须知

功率MOS管 - SSx55R160F的特性：

低RDS（开启）& FOM

通过高速切换实现低功耗及低导通电阻

优异的稳定性和均一性

中高压MOS管 - SSx55R160F的应用场景：

电脑电源

LED照明

电信电力

服务器电源

电动汽车充电器

太阳能/不间断电源
 

审核编辑 黄宇