新洁能Gen.8系列1200V/140A IGBT产品介绍

新洁能最新推出的第八代IGBT（Gen.8 IGBT）系列，实现了最佳的饱和压降（VCE(sat)）和开关损耗（Eon、Eoff）折中特性。该系列采用超高密度微沟槽栅架构，显著提升器件结构密度，有效降低导通损耗；同时通过器件漂移区和缓冲层的设计创新，实现了开关损耗和关断应力的双重优化，能够在实际应用中兼顾系统效率和应用裕量。

本文以Gen.8系列中的一款典型产品——NCE140GD120VTP4为例，介绍该系列的主要特点。该器件额定电压1200V，100°C 条件下额定电流140A，采用TO-247Plus-4L封装，适用于光伏逆变、储能、UPS、充电桩等绿色新能源及高能效应用场景。

下表为该产品与同规格业界最优竞品在相同条件、相同设备下的实测参数对比：

从实测数据，NCE140GD120VTP4具备：

更低导通损耗：饱和压降VCE(sat)较竞品降低约8.6%，可有效降低系统长期运行功耗；

更快开关速度与更低开关损耗：更小的输入电容 Cies与栅极电荷 Qg（仅为竞品的 54%），开关损耗Ets较竞品低10%左右，进一步提升系统应用频率上限。

更高系统安全裕量：高母线电压工况下关断电压尖峰VCEpeak更低，为系统设计预留更大的安全裕量。

此外，该产品基于 12 英寸晶圆制程量产，工艺稳定性更优，充分保障器件参数一致性，为器件并联和批量应用提供坚实保障。

产品优势

● -40℃~175℃全温度范围V(BR)CES大于额定耐压

● 100% Icpuls关断测试

● 可以通过更严苛的HV-H3TRB考核

● 更低的导通损耗，卓越的开关损耗

● 极低的关断VCEpeak尖峰

应用领域

● 光伏逆变

● 储能

● UPS

新洁能 Gen.8 系列 IGBT 还将陆续推出更多规格型号，覆盖 650V、750V、1000V、1200V、1400V、1700V 六个电压平台。针对不同应用领域的差异化需求，相同电流/电压规格下亦提供多个子系列供选择。例如，与 NCE140GD120VTP4 同电流/电压规格的 S 系列（型号 NCE140GS120VTP4），专门面向储能等对二极管浪涌能力要求较高的应用，进一步增强了续流二极管的浪涌承受能力。

该产品的发布不仅是单一型号的参数升级，更标志着新洁能 Gen.8 IGBT技术进入成熟量产阶段，性能可直接对标甚至超越国际最优竞品。

命名规则