思派科创携“红外940 nm LED芯片”参加芯片类“年度创新产品”奖项评选

从2016年开始，LED行业就处在高速发展的阶段。纵观整个LED产业链，我们可以看到，LED 芯片领域是其中的高毛利环节。然而，随着国内主要LED芯片企业相继扩产，国内LED芯片将出现产能过剩的问题，价格会转而下行。但同时，全球LED芯片产能逐渐向中国大陆转移，又让国内企业看到了更多机会。

在由高工LED主办、强力巨彩总冠名的“2018高工金球奖”评选中，芯片领域同样是企业们瞄准的红心。此次，马鞍山思派科创科技有限公司就将携“红外940 nm LED芯片”参加芯片类“年度创新产品”奖项评选。

公开资料显示，思派科创是一家专著于半导体发射类、激光等半导体器件研发、生产和销售的高新技术企业，主要研发的项目属半导体光电产业上游核心领域。经营范围包含半导体激光器、外延片、芯片、封装、应用产品等研发及产销。

思派科创介绍到，此次参评产品具有发光功率高，寿命长，光谱特性好等优势，可与硅探测器良好匹配等优点，适合于遥控器、光电耦合器和光电断路器等器件。在此前的测试对比中，以300 mA电流为准，思派科创此款芯片的正向电压比同尺寸产品低15%，发光功率高20%。

在技术层面上，思派科创称公司拥有从外延到芯片工艺的完整生产链，运用了相比于液相外延法更加精确可控的气相外延结构，提高了量子效率且使芯片工艺更加成熟，通过外延生长精确调节有源区，保证了参数的均匀性；另外，公司对电极进行了优化，从而扩展电流。因为大尺寸芯片电流扩展属于难点，所以公司采用了多次光刻制作扩展电极，增加电流均匀性，提高了电流扩展；同时，公司发现晶粒侧壁通过粗化后可以产生漫反射，增加出光效率，因此对产品侧面进行粗化，成功增加衬底出光功率。

“可以说，产品各方面光电参数在现有市场均处于行业前列。”思派科创表示。

凭借其优越的产品性能，产品在推向市场后就获得了许多肯定。有客户表示，思派科创红外LED芯片与其他公司同款相比，芯片功率高且电压低；易识别、易固晶焊线；可靠性高于同类芯片。

思派科创的“红外940 nm LED芯片”能否顺利斩获金球奖？答案将于“高工LED十周年庆典暨金球奖颁奖典礼”上揭晓！这一场LED行业的年终盛会将于12月13日-14日在深圳维纳斯皇家酒店(宝安沙井)隆重举办，届时超500+LED企业高层共话产业新思路。