电子说
在电子工程师的日常工作中,选择合适的模拟开关对于实现系统的高性能和可靠性至关重要。今天,我们就来深入探讨两款出色的高压模拟开关——ADG5433和ADG5434,看看它们究竟有哪些独特之处。
文件下载:ADG5433_5434.pdf
ADG5433和ADG5434是两款单片工业CMOS模拟开关。ADG5433包含三个独立可选的单刀双掷(SPDT)开关,而ADG5434则有四个独立可选的SPDT开关。所有通道都具备先断后通的开关动作,这就避免了在切换通道时出现瞬间短路的情况。此外,ADG5433(LFCSP和TSSOP封装)上有一个 (overline{EN}) 输入,可用于启用或禁用设备,当禁用时,所有通道都会关闭。
这两款开关采用了沟槽隔离技术,在每个CMOS开关的NMOS和PMOS晶体管之间放置了绝缘氧化物层(沟槽),消除了结隔离开关中晶体管之间产生的寄生结,从而实现了完全抗闩锁的开关。在结隔离中,PMOS和NMOS晶体管的N和P阱会形成一个在正常操作下反向偏置的二极管,但在过压条件下,这个二极管可能会正向偏置,形成一个可控硅整流器(SCR)型电路,导致电流显著放大并引发闩锁。而沟槽隔离技术去除了这个二极管,避免了闩锁问题。
ADG5433/ADG5434具有超低的导通电阻,典型值为13.5 Ω。这种低导通电阻特性使得它们在数据采集和增益切换应用中非常理想,因为在这些应用中,低失真至关重要。大家不妨思考一下,在自己的项目中,低导通电阻能为电路性能带来哪些具体的提升呢?
它们的人体模型(HBM)ESD额定值达到了8 kV,这为设备提供了较强的静电保护能力,在一些应用中甚至可以省去单独的保护电路设计。
数字输入 (V{INH}=2.0 V),(V{INL}=0.8 V),并且不需要VL逻辑电源,这使得它们与常见的数字电路兼容,方便进行系统集成。
不同的电源电压和封装形式下,ADG5433和ADG5434每个通道(Sx或Dx)的连续电流有所不同。例如,在 (V{DD} = +15 V),(V{SS} = -15 V) 的条件下,ADG5433的TSSOP封装((theta{JA} = 112.6°C/W))在25°C时连续电流最大为80 mA,而LFCSP封装((theta{JA} = 30.4°C/W))在相同温度下最大可达147 mA。这表明封装形式对散热性能有影响,进而影响连续电流的承载能力。
在不同的电源电压和温度条件下,还给出了导通电阻、泄漏电流、插入损耗、串扰、总谐波失真 + 噪声等性能参数。这些参数对于评估开关在各种实际应用中的表现非常重要。
ADG5433和ADG5434有不同的引脚配置和功能。例如,ADG5433的VDD引脚是最正电源电位,S1A、S1B等引脚是源端子,D1、D2等引脚是漏端子,IN1、IN2等是逻辑控制输入,(overline{EN}) 是使能输入,低电平有效。而ADG5434的引脚功能也类似,但由于通道数量不同,引脚数量和布局有所差异。通过真值表可以清晰地了解不同输入信号下开关的导通和关闭状态。
由于其低导通电阻、快速开关速度和抗闩锁特性,ADG5433/ADG5434可以很好地替代传统的继电器,用于需要频繁切换的电路中。
这些领域对信号的准确性和稳定性要求较高,ADG5433/ADG5434的低失真和宽电源电压范围能够满足这些需求。
在这些对可靠性和抗干扰能力要求苛刻的应用中,其高ESD额定值和抗闩锁设计可以确保系统的稳定运行。
总之,ADG5433和ADG5434这两款模拟开关凭借其丰富的特性和出色的性能,在众多应用领域都具有很大的优势。电子工程师在设计相关电路时,可以根据具体的需求和应用场景,充分利用它们的特点,实现高性能、高可靠性的系统设计。大家在实际使用中,有没有遇到过与这两款开关相关的有趣问题或成功案例呢?欢迎在评论区分享。
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