ON Semiconductor ECH8651R N-Channel Power MOSFET：特性、参数与应用考量

在电子设计领域，功率MOSFET是不可或缺的关键元件，广泛应用于各种电源管理和开关电路中。今天我们来深入了解一下ON Semiconductor推出的ECH8651R N - Channel Power MOSFET，看看它有哪些独特的特性和性能参数，以及在使用时需要注意的问题。

文件下载：ECH8651R-D.PDF

一、产品概述

ECH8651R是一款由ON Semiconductor生产的N - Channel Power MOSFET，其型号编号为ENA1010A。它具有24V的耐压能力、10A的连续电流处理能力以及低至14mΩ的导通电阻，适用于锂电池的充放电开关等应用场景。其官网为http://onsemi.com ，方便工程师获取更多相关信息。

二、产品特性

低导通电阻

低导通电阻意味着在导通状态下，MOSFET的功率损耗较小，能够有效提高电路的效率。这对于需要长时间工作的设备来说尤为重要，可以减少发热，延长设备的使用寿命。

2.5V驱动能力

支持2.5V的驱动电压，这使得它可以与一些低电压的控制电路直接兼容，简化了电路设计，降低了系统的成本。

共漏极类型

共漏极结构在某些电路应用中具有独特的优势，例如可以方便地实现多个MOSFET的并联，以提高电路的电流处理能力。

内置保护功能

• 保护二极管：内置的保护二极管可以防止反向电压对MOSFET造成损坏，提高了器件的可靠性。
• 栅极保护电阻：栅极保护电阻可以限制栅极电流，防止栅极受到过电压和过电流的冲击，保护MOSFET的栅极结构。

适合锂电池充放电开关

由于其低导通电阻和合适的耐压、电流能力，ECH8651R非常适合作为锂电池的充放电开关，能够有效地控制锂电池的充放电过程，保护电池的安全。

无卤合规

符合无卤标准，这对于环保要求较高的应用场景来说是一个重要的特性。

三、规格参数

绝对最大额定值（Ta = 25°C）

参数	符号	条件	额定值	单位
漏源电压	VDSS		24	V
栅源电压	VGSS		±12	V
漏极电流（直流）	ID		10	A
漏极电流（脉冲）	IDP	PW ≤ 10 μs，占空比 ≤ 1%	60	A
允许功率耗散	PD	安装在陶瓷基板（900mm² × 0.8mm）上1单元	1.4	W
总耗散	PT	安装在陶瓷基板（900mm² × 0.8mm）上	1.5	W
通道温度	Tch		150	°C
储存温度	Tstg		-55 至 +150	°C

需要注意的是，超过最大额定值的应力可能会损坏器件，并且在推荐工作条件以上的功能操作并不被保证。长时间暴露在超过推荐工作条件的应力下可能会影响器件的可靠性。

电气特性（Ta = 25°C）

电气特性参数众多，这里重点关注几个关键参数：

• 导通电阻：不同的栅源电压下，导通电阻有所不同。例如，当ID = 5A，VGS = 4.5V时，导通电阻RDS(on)1在7 - 14mΩ之间。
• 开关时间：包括导通延迟时间td(on)、上升时间tr、关断延迟时间td(off)和下降时间tf等。这些参数对于开关电路的性能至关重要，例如td(on)为300ns，tr为1000ns等。
• 栅极电荷：总栅极电荷Qg、栅源电荷Qgs和栅漏“米勒”电荷Qgd等参数会影响MOSFET的开关速度和驱动功率。例如，Qg为24nC，Qgs为2nC，Qgd为4.5nC。

四、封装与包装信息

封装

采用ECH8封装，这种封装具有一定的散热和电气性能优势，适合功率MOSFET的应用。

包装

• 最小包装数量：每卷3000个。
• 包装类型：TL（Embossed Taping）。 包装格式和尺寸等信息也有详细规定，例如载带类型为CPH6，每卷包含3000个器件，内盒每盒可装5卷，外盒每盒可装6个内盒等。同时，终端处理为无铅工艺，符合环保要求。

五、使用注意事项

由于ECH8651R是MOSFET产品，在使用过程中应避免将其放置在高电荷物体附近，以免静电等因素对器件造成损坏。

此外，ON Semiconductor对产品的知识产权、产品变更、保修责任等方面也有相关说明。例如，公司保留对产品进行更改而不另行通知的权利，不承担产品在特定应用中的适用性保证和相关责任等。工程师在使用该产品时，需要仔细阅读相关文档，确保产品的正确使用。

总的来说，ECH8651R N - Channel Power MOSFET以其丰富的特性和合适的参数，为电子工程师在电源管理和开关电路设计中提供了一个不错的选择。但在实际应用中，还需要根据具体的电路需求和工作条件，对其性能进行充分的评估和验证。你在使用功率MOSFET时，有没有遇到过一些特殊的问题呢？欢迎在评论区分享。