深入解析FDMA86151L:适用于同步降压转换器的N沟道MOSFET

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深入解析FDMA86151L:适用于同步降压转换器的N沟道MOSFET

在电子设计领域,MOSFET是不可或缺的关键元件。今天我们要深入探讨的是安森美(onsemi)的FDMA86151L,一款专为同步降压转换器设计的N沟道MOSFET。

文件下载:FDMA86151L-D.pdf

一、产品概述

FDMA86151L旨在为同步降压转换器提供最高的效率和热性能。其低导通电阻((R_{DS (on) }))和栅极电荷确保了出色的开关性能。这意味着在实际应用中,它能够有效降低功耗,提高能源转换效率,为设备的稳定运行提供有力保障。我们在设计中,是否也能充分利用这些特性来优化电路性能呢?

二、产品特点

低导通电阻

  • 在(V{GS}=10 V)、(I{D}=3.3 A)时,最大(R_{DS(on)}=88 m Omega);
  • 在(V{GS}=4.5 V)、(I{D}=2.7 A)时,最大(R_{DS(on)}=132 m Omega)。 较低的导通电阻能减少功率损耗,提高电路效率,在对功耗要求较高的应用中具有明显优势。

低外形封装

采用新的MicroFET 2x2 mm封装,最大高度仅为0.8 mm。这种封装形式不仅节省了电路板空间,还适用于对空间要求苛刻的应用场景,如便携式电子设备。

环保设计

该产品不含卤化化合物和氧化锑,并且符合RoHS标准,体现了环保理念,也满足了市场对绿色电子元件的需求。

三、应用领域

主要应用于DC - DC降压转换器。在各种电子设备中,DC - DC降压转换器是实现电源转换的关键部分,FDMA86151L的高性能能够为其提供稳定可靠的支持。例如,在智能手机、平板电脑等移动设备的电源模块中,都可能会用到这款元件。

四、绝对最大额定值

Symbol Parameter Ratings Unit
(V_{DS}) Drain to Source Voltage 100 V
(V_{GS}) Gate to Source Voltage ± 20 V
(I_{D}) Drain Current Continuous (T_{A} = 25 °C) (Note 1a) Pulsed (Note 3) 3.3 20 A
(P_{D}) Power Dissipation, (T_{A} = 25 °C) (Note 1a) (Note 1b) 2.4 0.9 W
(T{J}, T{STG}) Operating and Storage Junction Temperature Range −55 to +150 °C

需要注意的是,超过最大额定值表中所列的应力可能会损坏设备。在实际设计中,我们必须严格遵守这些参数限制,以确保设备的可靠性和稳定性。

五、热特性

热特性对于MOSFET的性能和寿命至关重要。该产品的热阻会根据不同的安装条件而有所不同:

  • (R_{theta JA}):在安装在1 (in^2) 2 oz铜焊盘上时为52°C/W;安装在最小2 oz铜焊盘上时为145°C/W。 我们在设计散热系统时,需要根据实际的电路布局和安装条件来考虑热阻,以保证元件在合理的温度范围内工作。

六、电气特性

截止特性

  • 漏源击穿电压(BVDSS)在(I{D}=250 A)、(V{GS}=0 V)时为100 V;
  • 击穿电压温度系数(BVDSST)为69 mV/°C((I{D}=250 A),参考温度25°C);
  • 零栅压漏电流(IDSS)在(V{DS}=80 V)、(V{GS}=0 V)时为1 A;
  • 栅源泄漏电流(IGSS)在(V{GS}= ±20 V)、(V{DS}=0 V)时为100 nA。

导通特性

主要关注栅源阈值电压和导通电阻等参数。低导通电阻有助于降低导通损耗,提高效率。

动态特性

包括输出电容(Coss)、反向传输电容等,这些参数会影响MOSFET的开关速度和响应时间。

开关特性

如上升时间(tr)、关断延迟时间等,这些特性对于开关电源的性能至关重要。在高速开关应用中,我们需要特别关注这些参数,以确保电路的稳定运行。

七、典型特性

文档中给出了多个典型特性曲线,如导通区域特性、归一化导通电阻与漏极电流和栅极电压的关系、归一化导通电阻与结温的关系等。通过这些曲线,我们可以更直观地了解元件在不同工作条件下的性能表现,为设计提供参考。例如,根据归一化导通电阻与结温的关系曲线,我们可以预测在不同温度下元件的导通损耗,从而合理设计散热方案。

八、机械尺寸和封装信息

该产品采用WDFN6 2x2, 0.65P封装,并提供了推荐的焊盘图案。在进行电路板布局时,我们需要严格按照这些尺寸和图案进行设计,以确保元件的正确安装和良好的电气连接。

九、总结

FDMA86151L是一款性能出色的N沟道MOSFET,具有低导通电阻、低外形封装、环保等优点,适用于DC - DC降压转换器等应用。在设计过程中,我们需要充分考虑其绝对最大额定值、热特性、电气特性等参数,结合实际应用需求进行合理选择和布局。同时,要关注典型特性曲线,以优化电路性能。大家在实际应用中是否遇到过类似元件的使用问题呢?欢迎一起交流探讨。

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