onsemi FDMA291P P通道MOSFET:为超便携设备提供高效解决方案

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onsemi FDMA291P P通道MOSFET:为超便携设备提供高效解决方案

在电子设备小型化、高效化的今天,超便携设备如手机等对其内部电子元件的性能提出了更高的要求。MOSFET作为电路中重要的开关元件,其性能直接影响到设备的整体表现。今天我们就来详细了解一下安森美(onsemi)推出的FDMA291P单P通道MOSFET。

文件下载:FDMA291P-D.pdf

产品概述

FDMA291P专为手机和其他超便携应用中的电池充电或负载切换而设计。它采用了POWERTRENCH技术,具有低导通电阻的特点,能有效降低功率损耗。其采用的MicroFET 2x2封装,在有限的物理尺寸内提供了出色的热性能,非常适合线性模式应用。

产品特性

电气性能

  • 大电流承载能力:可承受 -6.6 A的连续电流和24 A的脉冲电流,能满足超便携设备在不同工作状态下的电流需求。
  • 低导通电阻
    • 在 $V{GS}=-4.5 V$ 时,$R{DS(ON)}=42 m Omega$;
    • 在 $V{GS}=-2.5 V$ 时,$R{DS(ON)}=58 m Omega$;
    • 在 $V{GS}=-1.8 V$ 时,$R{DS(ON)}=98 m Omega$。 低导通电阻有助于减少功率损耗,提高设备的效率。

环保特性

  • 低外形:最大高度仅为0.8 mm,符合超便携设备对空间的严格要求。
  • 环保材料:采用无卤化合物和氧化锑的MicroFET 2x2新封装,并且该器件无铅、无卤化物,符合RoHS标准,响应了环保的大趋势。

绝对最大额定值

符号 参数 单位
$V_{DS}$ 漏源电压 -20 V
$V_{GS}$ 栅源电压 ± 8 V
$I_{D}$ 漏极电流(连续/脉冲) -6.6 / 24 A
$P_{D}$ 单操作功率耗散 2.4 / 0.9 W
$T{J}, T{STG}$ 工作和存储结温范围 -55 至 +150 °C

需要注意的是,超过最大额定值可能会损坏器件,影响其功能和可靠性。

热特性

热阻是衡量器件散热能力的重要指标。FDMA291P在不同的安装条件下具有不同的热阻:

  • 当安装在1平方英寸、2盎司铜焊盘上时,热阻为52 °C/W;
  • 当安装在最小的2盎司铜焊盘上时,热阻为145 °C/W。

这表明器件的散热性能与安装方式密切相关,工程师在设计时需要根据实际情况选择合适的安装方式。

电气特性

关断特性

  • 漏源击穿电压:$BVDSS$ 在 $V{GS} = 0 V$,$I{D} = -250 mu A$ 时为 -20 V,其温度系数为 -12 mV/°C。
  • 零栅压漏极电流:$IDSS$ 在 $V{DS} = -16 V$,$V{GS} = 0 V$ 时为 -1 μA,最大为 ±100 nA。
  • 栅体泄漏电流:$IGSS$ 在 $V{GS} = ±8 V$,$V{DS} = 0 V$ 时给出了相应的特性。

导通特性

  • 阈值电压:$VGS(th)$ 在 $I_{D}=-250 mu A$,参考温度为 $25^{circ} C$ 时,最小值为 -0.7 V,典型值为 -1.0 V。
  • 导通电阻:在不同的测试条件下,如 $V{GS}=-4.5 V$,$I{D}=-6.6 A$,$T{J}=125^{circ} C$ 以及 $V{DS}=-5 V$,$I_{D}=-6.6 A$ 时,导通电阻有相应的表现。

动态特性

  • 输入电容:$C{iss}$ 在 $V{DS} = -10 V$,$V_{GS} = 0 V$,$f = 1.0 MHz$ 时,最大值为1000 pF。
  • 输出电容:$C_{oss}$ 最大值为190 pF。
  • 反向传输电容:$C_{rss}$ 最大值为100 pF。

开关特性

  • 导通延迟时间:$td(on)$ 在 $V{GS}=-4.5 V$,$R{GEN}=6 Omega$ 时为18 ns。
  • 关断延迟时间:$td(off)$ 在 $V{DS}=-10 V$,$I{D}=-6.6 A$,$V_{GS}=-4.5 V$ 时为10 ns。

漏源二极管特性

文档中给出了最大连续漏源二极管正向电流和电压等相关特性。

典型特性曲线

文档中提供了一系列典型特性曲线,如导通区域特性、导通电阻随漏极电流和栅极电压的变化、导通电阻随温度的变化、导通电阻随栅源电压的变化、传输特性、体二极管正向电压随源电流和温度的变化、栅极电荷特性、电容特性、最大安全工作区、单脉冲最大功率耗散以及瞬态热响应曲线等。这些曲线有助于工程师更直观地了解器件在不同工作条件下的性能表现,从而进行更合理的电路设计。

封装信息

FDMA291P采用WDFN6(2x2,0.65P)封装,文档中给出了详细的机械外形尺寸图和推荐的焊盘图案。需要注意的是,该封装不完全符合JEDEC MO - 229注册标准,尺寸单位为毫米,公差遵循ASME Y14.5M,2009标准。

总结

FDMA291P凭借其低导通电阻、出色的热性能、环保的封装以及丰富的电气特性,为超便携设备的电池充电和负载切换提供了一个高效、可靠的解决方案。电子工程师在设计相关电路时,可以根据实际需求,结合文档中的各项参数和特性曲线,充分发挥该器件的优势,实现更优化的设计。你在使用类似MOSFET器件时遇到过哪些问题呢?欢迎在评论区分享交流。

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