紫光国芯ICEPT 2026展示全国产化DDR4、PSRAM及15年+先进封装设计服务

贞光科技授权代理品牌紫光国芯亮相ICEPT 2026，携SeDRAM三维异质集成DRAM、CXL内存扩展及车规级存储等前沿方案登场，以超高带宽技术突破AI"内存墙"，展现国产先进存储与封装设计硬核实力。

2026年8月5-7日，第27 届电子封装技术国际会议（ICEPT 2026）在西安盛大启幕。紫光国芯受邀携多款先进存储产品和创新技术方案亮相大会，并举办“紫光国芯之夜·专家交流晚宴”，高级副总裁王成伟出席并发表致辞。大会期间，公司技术与项目合作部高级总监拜福君发表了题为“面向智能时代的三维异质集成DRAM”的主题演讲，系统阐述了以三维先进封装突破智能时代“内存墙”的技术路径。

作为电子封装与集成技术领域的重要国际会议，以及亚洲地区规模最大的封装技术交流平台，ICEPT汇聚了全球各地专家学者与产业界代表。

智能时代，算力需求呈指数级攀升，算力以每年约68%的速度增长，而内存带宽仅提升约30%，差距持续扩大，“内存墙”成为制约计算性能跃迁的主要限制因素之一。随着AI进入爆发期，云边端多元场景对芯片的差异化需求亟需定制化的存储解决方案。

 

 

拜福君在演讲中指出“紫光国芯自主研发的三维异质集成DRAM（SeDRAM）技术，通过三维堆叠实现逻辑晶圆与DRAM晶圆3D集成，可为算力芯片提供每秒高达数十TB的访存带宽，并支持高达百GB级别的内存容量，是实现算力芯片性能极致发挥的超高带宽存储解决方案。目前，凭借超大带宽、超低功耗和和超大容量，以及行业领先的量产3D整合经验等优势，紫光国芯三维堆叠DRAM技术正在支持用户AI芯片性能跨数量级提升。”

大会展区，紫光国芯全面展示了SeDRAM和CXL内存扩展解决方案、高性能PSRAM产品、高可靠DRAM颗粒及先进工艺全流程设计服务等前沿存储产品和创新方案，全面展示公司在AI、IoT、网络通信、消费电子、汽车电子及工业控制等关键领域的创新技术和市场竞争力，吸引了诸多封装测试厂商、设备与材料供应商驻足交流。

亮相此次大会的CXL内存扩展主控芯片产品，旨在满足服务器系统主存容量扩展、带宽扩展等方面的核心需求，能够助力高性能服务器实现TB级内存容量。同时展出的还有面向端侧AI差异化应用需求的128Mb PSRAM系列产品，可为通信、穿戴等高端领域客户提供业界领先的DRAM KGD解决方案；已通过AEC-Q100车规认证的高可靠LPDDR4/4X产品，年出货量已达数百万颗规模，全新一代4Gb DDR3/DDR4实现了从设计、晶圆流片到封装与测试全国产化。
 

此外，紫光国芯深耕芯片设计服务超15年，在先进工艺节点和超大规模芯片领域积累了丰富的项目落地经验。同时，作为业内率先基于堆叠DRAM开展3D芯片物理设计的团队，数年来已助力客户完成多款3D芯片成功流片。

 

 

大会开幕前夕，紫光国芯举办“紫光国芯之夜·专家交流晚宴”，公司高级副总裁王成伟出席并致致辞，逾百位特邀专家、产学研代表及产业链合作伙伴齐聚现场，就行业前沿动态与技术创新成果展开深入交流。

作为以科技创新为驱动的综合性集成电路设计企业，紫光国芯持续深耕存储赛道，聚焦市场趋势和客户多元需求，以创新性与竞争力兼具的存储产品与技术方案，助力先进封装产业持续突破，为全球生态伙伴创造长期价值。