国产串行SRAM存储芯片低引脚数扩容方案

在嵌入式系统中，静态随机存取存储器（SRAM）只要电源供应不断，数据便能稳定保存，无需像DRAM那样定期刷新，因而读写速度更快、控制逻辑更简单。不过，SRAM存储芯片的单颗容量通常有限，且成本较高，在实际项目中往往需要将多颗芯片组合，以满足系统对大容量缓存的需求。为此RAMSUN定制开发多个SRAM存储芯片低引脚数扩容方案，致力于以低引脚数、低功耗和高性价比，为系统扩容提供了轻量化的选择。

微处理器的数据总线宽度多为8位、16位或32位，地址总线则从16位到24位不等。当SRAM存储芯片的地址线或数据线与CPU不匹配时，工程师常采用地址扩展、数据扩展或两者结合的方式来实现容量扩充。但并行扩展方案会占用大量I/O引脚，增加PCB布局难度和功耗。

串行SRAM存储芯片的出现提供了一种新的解决方案。它采用SPI等串行接口，仅需少数几根信号线即可完成与主控的通信，大幅减少引脚占用。相比于并行SRAM，串行器件功耗更低、封装更小，特别适合空间受限、对低功耗有严格要求的场景，如便携医疗设备、工业传感器和物联网终端。虽然串行SRAM存储芯片在整体市场中曾属小众，但其在“小容量高速缓存”这一细分需求上，正逐步成为并行方案的兼容替代方案。

以国产型号EMI7002WTMI为例，SRAM存储芯片提供2Mb存储容量，工作电压范围2.7~3.6V，采用紧凑的TSSOP-8封装。SRAM存储芯片SPI总线接口兼容标准SPI、双路SDI及四路SQI模式，各模式时钟频率均可达20MHz，兼顾了传输效率与引脚经济性。SRAM存储芯片基于低功耗CMOS工艺，支持无限次读写循环，并提供了字节模式和顺序模式两种操作方式，便于灵活适配不同数据吞吐逻辑。温度范围覆盖-40℃至+85℃，满足工业级应用要求，同时符合RoHS环保标准。更多SRAM存储芯片扩容方案请洽英尚微电子。.


审核编辑 黄宇