探索onsemi FDMS007N08LC:N沟道屏蔽栅MOSFET的卓越性能

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探索onsemi FDMS007N08LC:N沟道屏蔽栅MOSFET的卓越性能

在电子电路设计中,MOSFET作为关键的功率开关器件,其性能直接影响着整个系统的效率、稳定性和可靠性。今天,我们就来深入了解一下安森美半导体(onsemi)推出的FDMS007N08LC N沟道屏蔽栅MOSFET,看看它有哪些独特的魅力。

文件下载:FDMS007N08LC-D.PDF

一、产品概述

FDMS007N08LC是一款N沟道MV MOSFET,采用了安森美先进的POWERTRENCH工艺,并融入了屏蔽栅技术。这种工艺经过优化,能够在降低导通电阻的同时,保持出色的开关性能,并且拥有同类产品中优秀的软体二极管特性。该MOSFET的额定电压为80V,最大连续电流可达84A,导通电阻低至6.7mΩ(在VGS = 10V,ID = 21A时),是一款性能卓越的功率开关器件。

二、产品特点

1. 屏蔽栅MOSFET技术

屏蔽栅技术是这款MOSFET的一大亮点。它有效降低了导通电阻,提高了开关速度,同时还能减少开关损耗。在不同的栅源电压下,都能展现出较低的导通电阻。例如,在VGS = 10V,ID = 21A时,最大rDS(on) = 6.7mΩ;在VGS = 4.5V,ID = 17A时,最大rDS(on) = 9.9mΩ。

2. 低反向恢复电荷(Qrr)

相比其他MOSFET供应商的产品,FDMS007N08LC的Qrr降低了50%。这一特性使得它在开关过程中能够减少能量损耗,降低开关噪声和电磁干扰(EMI),提高系统的稳定性和可靠性。

3. 稳健的封装设计

该产品采用了MSL1稳健封装设计,具有良好的机械性能和散热性能。同时,它经过了100%的UIL测试,确保了产品的质量和可靠性。

4. 环保特性

FDMS007N08LC是无铅、无卤素/BFR的产品,符合RoHS标准,满足环保要求。

三、典型应用

1. 初级DC - DC MOSFET

在DC - DC电源转换电路中,FDMS007N08LC可以作为初级开关管,凭借其低导通电阻和优秀的开关性能,提高电源转换效率,减少能量损耗。

2. 同步整流器

在DC - DC和AC - DC电源中,同步整流器能够有效提高整流效率。FDMS007N08LC的低导通电阻和快速开关特性使其非常适合作为同步整流器使用。

3. 电机驱动

在电机驱动电路中,MOSFET需要能够承受较大的电流和电压,并且具备快速的开关速度。FDMS007N08LC的高电流能力和优秀的开关性能能够满足电机驱动的需求,实现高效、稳定的电机控制。

4. 太阳能应用

在太阳能发电系统中,FDMS007N08LC可以用于功率转换和控制电路,提高太阳能电池板的发电效率,实现能量的有效转换和存储。

四、电气特性

1. 最大额定值

在环境温度TA = 25°C时,该MOSFET的漏源电压VDS最大为80V,栅源电压VGS最大为±20V。连续漏极电流在不同条件下有所不同,例如在TC = 25°C时为84A,在TC = 100°C时为53A,在TA = 25°C时为14A;脉冲漏极电流最大可达345A。单脉冲雪崩能量EAS为181.5mJ,功率耗散在TC = 25°C时为92.6W,在TA = 25°C时为2.5W。工作和存储结温范围为 - 55°C至 + 150°C。

2. 电气参数

在结温TJ = 25°C时,其关断特性包括:漏源击穿电压BVDSS为80V(ID = 250A,VGS = 0V),击穿电压温度系数为32mV/°C(ID = 250A,参考25°C),零栅压漏极电流IDSS为 - 1A(VDS = 64V,VGS = 0V),栅源泄漏电流IGSS为±100A(VGS = ±20V,VDS = 0V)。导通特性方面,栅源阈值电压VGS(th)在1.4V至2.5V之间,导通电阻rDS(on)在不同条件下有不同的值,如VGS = 4.5V,ID = 17A时为9.9mΩ,VGS = 10V,ID = 21A,TJ = 125°C时为8.5mΩ。动态特性和开关特性也有相应的参数指标,这些参数为电路设计提供了重要的参考依据。

五、热特性

热特性对于MOSFET的性能和可靠性至关重要。该MOSFET的结到外壳的热阻以及结到环境的热阻(RθJA)在不同的安装条件下有所不同。当安装在1in²的2oz铜焊盘上时,RθJA为50°C/W;当安装在最小的2oz铜焊盘上时,RθJA为125°C/W。在实际设计中,需要根据具体的应用场景和散热要求,合理选择安装方式和散热措施,以确保MOSFET在正常工作温度范围内运行。

六、总结

FDMS007N08LC作为安森美半导体的一款高性能N沟道屏蔽栅MOSFET,凭借其先进的工艺、优秀的性能和广泛的应用场景,为电子工程师提供了一个可靠的功率开关解决方案。在实际设计中,我们需要充分考虑其电气特性、热特性等参数,结合具体的应用需求,合理选择和使用这款MOSFET,以实现系统的高效、稳定运行。

大家在使用FDMS007N08LC或者其他MOSFET时,有没有遇到过一些有趣的问题或者挑战呢?欢迎在评论区分享你的经验和见解。

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