晶体管工作原理

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  晶体管工作原理

  利用半导体的特性,每个管子工作原理个不同,你可以找机电方面的书看下。下图中的S是指源极(Source),D是指漏极(Drain),G是栅极(Gate)。晶体管的工作原理其实很简单,就是用两个状态表示二进制的“0”和“1”。

  源极和漏极之间是沟道,当没有对栅极(G)施加电压的时候,沟道中不会聚集有效的电荷,源极(S)和漏极(S)之间不会有有效电流产生,晶体管处于关闭状态。可以把这种关闭的状态解释为“0”。 当对栅极(G)施加电压的时候,沟道中会聚集有效的电荷,形成一条从源极(S)到漏极(D)导通的通道,晶体管处于开启状态,可以把这种状态解释为“1”。这样二进制的两个状态就由晶体管的开启和关闭状态表示出来了。

  场效应晶体管工作原理

  场效应晶体管,英语名称为Field Effect Transistor,简称为场效应管,是一种通过对输入回路电场效应的控制来控制输出回路电流的器件。可分为结型和绝缘栅型、增强型和耗尽型、N沟道和P沟道,接下来我们就以N沟道结型场效应管为例来对场效应管的工作原理进行说明。

  对应于三极管的基极、集电极和发射极,场效应管分别是栅极、漏极和源极。在其栅-源间加负向电压、漏-源间加正向电压以保证场效应管可以正常工作。所加负向电压越大,在PN结处所形成的耗尽区越厚,导电沟道越窄,沟道电阻越大,漏极电流越小;反之,所加负向电压越小,在PN结处所形成的耗尽区越薄,导电沟道越厚,沟道电阻越小,漏极电流越大。由此通过控制栅-源间所加负向电压完成了对沟道电流的控制。

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