奥松真空技术赋能半导体产业高质量发展

2026年作为“十五五”开局之年，国家密集出台税收减免、研发加计扣除、大基金三期定向扶持等全链条政策，覆盖设计、制造、材料、封测各环节，为半导体国产替代注入强劲动力。在政策红利与AI需求双重驱动下，产业链关键环节的自主可控需求日益迫切，而真空计作为半导体制造中不可或缺的核心部件，其重要性愈发凸显。

真空计：半导体制造不可或缺的“精密之眼”

在半导体芯片制造的万千工序中，真空环境控制是决定产品良率与性能的核心要素。从薄膜沉积到等离子体刻蚀，从光刻到扩散，几乎每一道关键工艺都对真空度有着严苛要求。

真空计在半导体制造中扮演着“精密之眼”的角色。皮拉尼真空计和电容式薄膜真空规主要应用于刻蚀、原子层沉积（ALD）、化学气相沉积（CVD）、磁控溅射、扩散等工艺中真空压力的监测，是半导体工艺中不可替代的真空规类型。冷阴极真空计则持续跟踪工艺室内的真空压力，确保薄膜沉积和等离子体刻蚀等关键操作的稳定条件。

半导体工艺常涉及腐蚀性气体，可能在真空计传感器隔膜上形成沉积物造成零点偏移。因此，半导体级真空计必须具备卓越的抗腐蚀性能、长期稳定性和高精度——这正是奥松真空计产品的核心优势。

奥松真空计产品系列：国产替代的可靠之选

奥松是应用MEMS半导体工艺技术生产传感器特色芯片的国家级专精特新“小巨人”企业，也是MEMS领域集研发、设计、制造、封装测试、终端应用为一体的全产业链（IDM）企业。依托二十多年传感器研发经验，奥松打造了覆盖高中低全真空范围的真空计产品矩阵，是半导体、光伏等行业国产替代的理想选择。

AGP3系列皮拉尼真空计  MEMS技术驱动的经典之作

基于先进MEMS技术研发，采用热导式原理，集成了高精度气压传感器模块与MEMS皮拉尼真空传感器芯片。

核心参数：

• 测量范围：5×10⁻² ~ 1.2×10⁵ Pa（等效于5×10⁻⁴ ~ 1.2×10³ mbar）
• 重复性：1×10⁻1~1.2×10⁵Pa（误差为读数的±2%）
• 响应时间：≤300ms
• 0~10V模拟输出 + 标准Modbus RTU通信（RS485）
• 具有不同的通讯接口，提供了灵活且专业的连接方案

应用场景：广泛应用于半导体智能设备、真空镀膜、真空热处理、真空钎焊、真空涂层、光伏装备、海洋装备、石油化工、冶金钢铁、仪器仪表等领域。

 

AGP4000复合冷阴极真空计  旗舰级宽域真空监测方案

核心技术突破：

• 量程覆盖1×10⁻⁶Pa ~ 1×10⁵Pa
• 智能自动切换：皮拉尼系统全程工作，当压力＜10Pa时自动启动冷阴极系统，彻底解决传统设备量程局限的痛点
• 精度：±30%读数（N₂）
• 重复性：±5%读数
• 0~10V模拟信号 + 标准Modbus RTU协议（RS485），通信接口为RJ45，便捷集成

应用场景：半导体制造、真空镀膜、真空炉控制、航天器件测试、科学研究等高要求场景。

 

AGP21系列电容式薄膜真空规  高精度工艺控制的理想之选

专为对真空压力测量至关重要的关键工艺设计。

核心参数：

• 提供0~1Torr、0~10Torr、0~100Torr、0~1000Torr四款量程可选
• 精度高达±0.3%读数
• 响应时间≤60ms
• 触气材质为INCONEL高温耐蚀合金及316L不锈钢，抗腐蚀、抗蠕变、高稳定
• 0~10V模拟输出和Modbus RTU通信，便于工业自动化集成

应用场景：特别适用于半导体行业的PECVD/ALD镀膜工艺、等离子体刻蚀等对精度和稳定性要求极高的工艺过程，亦可用于光伏、石化、真空灭菌等领域。

 

AGP11系列压阻真空规  中低真空测量的专业之选

采用高精度扩散硅充油传感器芯体，测量结果不受气体种类影响。

核心参数：

• 量程：0~100Torr / 0~1000Torr
• 精度：±0.5%FS
• 输出信号：4~20mA / 0~10V，兼容PLC、DCS
• 暴露于真空的材料：304不锈钢，KF16电抛光法兰，抗腐蚀耐磨

应用场景：真空烘烤、真空包装、真空焊接、真空涂层、金属冶炼、光伏装备等中低真空测量场景。

 

2026年，中国半导体产业正站在政策与市场的双重风口之上。从顶层设计到精准扶持，国产替代浪潮奔涌向前。真空计作为半导体制造的核心部件，其重要性日益凸显。奥松以全系列真空计产品，为半导体行业提供从低真空到高真空、从通用测量到高精度工艺控制的完整解决方案。