Winbond DDR2 SDRAM双倍数据速率（DDR）架构解析

W972GG6KB-25是华邦电子（Winbond）推出的一款高速DDR2 SDRAM同步动态随机存储器，采用84-BGA封装，适用于对读写带宽和功耗比有严格要求的嵌入式系统、通信设备及工业控制模块。W972GG6KB-25存储容量为2Gb，内部组织为256M×8位结构，属于易失性DRAM类别，依赖连续刷新维持数据状态。这款DDR2 SDRAM同步动态随机存储芯片供电电压范围为1.7V至1.9V，工作温度区间覆盖0°C至85°C（TC），可满足大多数商业级与工业级温度场景。

W972GG6KB-25采用双倍数据速率（DDR）架构，在单个时钟周期的上升沿和下降沿各完成一次数据传输，等效带宽较同频SDRAM翻倍。W972GG6KB-25时钟输入端采用差分信号对（CK与/CK），借助差分抗共模干扰能力，提升高频率下时钟采样的稳定性。所有指令（如激活、读、写、预充电等）均在时钟上升沿锁存生效，而数据（DQ）和数据掩码（DM）则以DQS（数据选通信号）的上下边沿为参考进行采样，其中读取数据边沿对齐于DQS，写入数据则为中心对齐，这种双模式设计为系统板级时序补偿提供了明确依据。

对于需要连续随机访问的场景，建议关闭自动预充电，由控制器按需管控预充电时机，以降低无效功耗。此外，W972GG6KB-25内置两种刷新模式——自动刷新（Auto Refresh）和自刷新（Self Refresh）。前者由外部时钟驱动，按标准间隔执行；后者在待机或休眠状态下启用，片内集成刷新定时器，可有效维持数据完整性，适用于低功耗待机场景。如需进一步了解DDR2 SDRAM同步动态随机存储器W972GG6KB-25产品数据或样品申请，请搜索英尚微电子获取专业服务。

审核编辑 黄宇